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公开(公告)号：CN102983243B
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201210080105.3
申请日：2012-03-23
申请人： LG伊诺特有限公司
IPC分类号： H01L33/38
CPC分类号： H01L33/20 , F21K9/23 , F21Y2115/10 , H01L21/0237 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/02521 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L33/007 , H01L33/02 , H01L33/025 , H01L33/06 , H01L33/10 , H01L33/16 , H01L33/22 , H01L33/24 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2924/10158 , H01L2924/00014
摘要： 本发明公开了一种发光器件及包括该发光器件的发光器件封装。公开了一种发光器件。所公开的发光器件包括发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。该第一导电类型半导体层、该有源层和该第二导电类型半导体层被设置为在相同方向上彼此邻近。该有源层包括交替地堆叠至少一次的阱层和势垒层。该阱层具有比该势垒层小的能带隙。该发光器件进一步包括设置在第一导电类型半导体层中的掩模层、设置在第一导电类型半导体层上的第一电极和设置在第二导电类型半导体层上的第二电极。该第一导电类型半导体层被形成有至少一个凹部。
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公开(公告)号：CN102867897B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201210050654.6
申请日：2012-02-29
申请人： LG伊诺特有限公司
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/025 , H01L33/32 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要： 本发明提供了一种发光器件、一种发光器件封装件以及一种照明系统。发光器件包括第一导电型第一半导体层、有源层、第二导电型第二半导体层、可靠性增强层以及第二导电型第三半导体层。有源层设置在第一导电型第一半导体层上。第二导电型第二半导体层设置在有源层上。可靠性增强层设置在第二导电型第二半导体层上。第二导电型第三半导体层设置在可靠性增强层上并且包括光提取图案。可靠性增强层和有源层彼此间隔开0.3μm到5μm的距离。
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公开(公告)号：CN103633208B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201310367268.4
申请日：2013-08-21
申请人： LG伊诺特有限公司
IPC分类号： H01L33/06
CPC分类号： H01L33/12 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要： 本发明涉及发光器件。具体地，公开了一种发光器件、发光器件封装件和照明系统。发光器件包括第一导电半导体层；在第一导电半导体层上的第二导电半导体层；以及在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层，有源层包括多个阱层和多个势垒层，其中多个阱层包括第一阱层和相邻于第一阱层的第二阱层，多个势垒层包括设置在第一阱层和第二阱层之间的第一势垒层，第一势垒层包括能带隙宽于第一阱层的能带隙的多个半导体层，以及多个半导体层中的相邻于第一阱层和第二阱层的至少两层的铝含量大于其它的层的铝含量。
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公开(公告)号：CN104380487A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201380030173.1
申请日：2013-05-29
申请人： LG伊诺特有限公司
摘要： 根据一个实施例，一种发光元件包括：第一导电型半导体层、第二导电型半导体层、以及被插入在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的有源层，并且其中阱层和势垒层交替层压至少一次。有源层包括：第一区域，其被布置在相邻的势垒层和阱层之间，并且线性减少能带隙；以及第二区域，其被布置在相邻的阱层和势垒层之间，并且线性增加能带隙。在阱层中，与相同的阱层相邻的至少一个第一区域和第二区域具有相互不同的厚度。
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公开(公告)号：CN107799639A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710780660.X
申请日：2017-09-01
申请人： LG伊诺特有限公司
CPC分类号： H01L33/06 , H01L22/12 , H01L23/62 , H01L25/0753 , H01L33/0025 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/04 , H01L33/14 , H01L33/145 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/42 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/34333 , H01S5/34346 , H01L33/325 , H01L33/62
摘要： 公开了一种半导体器件及包括其的半导体器件封装，器件包括：半导体结构，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层及布置在第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的有源层，有源层包括多个阻挡层和阱层，第二导电型半导体层包括第2-2导电型半导体层、和布置在所述第2-2导电型半导体层上的第2-1导电型半导体层，阻挡层、阱层、第2-2导电型半导体层及第2-1导电型半导体层包括AlGaN，第2-2导电型半导体层的铝组成高于阱层的铝组成，第2-1导电型半导体层的铝组成低于阱层的铝组成，第2-1导电型半导体层的铝组成越远离有源层，以第一斜率越减少，第2-2导电型半导体层的铝组成越远离有源层，以第二斜率越减少，第一斜率大于第二斜率。本公开提高光输出。
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公开(公告)号：CN103633208A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310367268.4
申请日：2013-08-21
申请人： LG伊诺特有限公司
IPC分类号： H01L33/06
CPC分类号： H01L33/12 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要： 本发明涉及发光器件。具体地，公开了一种发光器件、发光器件封装件和照明系统。发光器件包括第一导电半导体层；在第一导电半导体层上的第二导电半导体层；以及在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层，有源层包括多个阱层和多个势垒层，其中多个阱层包括第一阱层和相邻于第一阱层的第二阱层，多个势垒层包括设置在第一阱层和第二阱层之间的第一势垒层，第一势垒层包括能带隙宽于第一阱层的能带隙的多个半导体层，以及多个半导体层中的相邻于第一阱层和第二阱层的至少两层的铝含量大于其它的层的铝含量。
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公开(公告)号：CN109390446A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810923288.8
申请日：2018-08-14
申请人： LG伊诺特有限公司
摘要： 实施例公开了一种半导体器件，包括：发光结构，包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和有源层；第一电极，电连接至第一导电半导体层；第二电极，电连接至第二导电半导体层；第一覆盖电极，设置在第一电极上；以及绝缘层，设置在第一电极与第二电极之间，其中绝缘层包括设置在第一导电半导体层与第一覆盖电极之间的第一绝缘部以及设置在第一覆盖电极上的第二绝缘部，其中第一覆盖电极包括设置在第一绝缘部的上表面与第二绝缘部的下表面之间的第一突起部。
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公开(公告)号：CN103779459B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201310488036.4
申请日：2013-10-17
申请人： LG伊诺特有限公司
CPC分类号： H01L33/06 , B82Y20/00 , H01L21/0237 , H01L21/02444 , H01L21/02472 , H01L21/02502 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L33/22 , H01L33/387 , H01L33/42 , Y10S977/734 , Y10S977/95
摘要： 本发明公开了一种发光器件。所述发光器件包括纳米结构、设置在纳米结构上的第一半导体层、在第一半导体层上的有源层和设置在有源层上的第二导电半导体层。所述纳米结构包括设置在第一半导体层下方接触第一半导体层的石墨烯层和从石墨烯层的顶表面沿朝向第一半导体层的方向延伸并且接触第一半导体层的多个纳米构造物。
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公开(公告)号：CN102983243A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210080105.3
申请日：2012-03-23
申请人： LG伊诺特有限公司
IPC分类号： H01L33/38
CPC分类号： H01L33/20 , F21K9/23 , F21Y2115/10 , H01L21/0237 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/02521 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L33/007 , H01L33/02 , H01L33/025 , H01L33/06 , H01L33/10 , H01L33/16 , H01L33/22 , H01L33/24 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2924/10158 , H01L2924/00014
摘要： 本发明公开了一种发光器件及包括该发光器件的发光器件封装。公开了一种发光器件。所公开的发光器件包括发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。该第一导电类型半导体层、该有源层和该第二导电类型半导体层被设置为在相同方向上彼此邻近。该有源层包括交替地堆叠至少一次的阱层和势垒层。该阱层具有比该势垒层小的能带隙。该发光器件进一步包括设置在第一导电类型半导体层中的掩模层、设置在第一导电类型半导体层上的第一电极和设置在第二导电类型半导体层上的第二电极。该第一导电类型半导体层被形成有至少一个凹部。
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公开(公告)号：CN109791960A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201780056302.2
申请日：2017-09-13
申请人： LG伊诺特有限公司
IPC分类号： H01L33/02 , H01L33/48 , H01L33/36 , H01L33/04 , H01L33/14 , H01L33/22 , H01L33/10 , H01L33/44
摘要： 一个实施例公开了一种半导体器件和一种包括该半导体器件的半导体器件封装，该半导体器件包括：发光结构，包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和设置在第一和第二导电半导体层之间的有源层；与第一导电半导体层电连接的第一电极；以及与第二导电半导体层电连接的第二电极，其中第二导电半导体层包括第二电极被设置在其上的第一表面并且具有从第一表面到第二点的第二最小距离W2与从第一表面到第一点的第一最小距离W1的比率(W2：W1)1：1.25至1：100，分别地，第一点是具有与有源层的最靠近第二导电型半导体层的阱层的铝成分相同成分的点，第二点是第二导电半导体层的铝成分和掺杂剂成分相同的点。
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