半导体器件
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109390446A

    公开(公告)日:2019-02-26

    申请号:CN201810923288.8

    申请日:2018-08-14

    IPC分类号: H01L33/38 H01L33/24

    摘要: 实施例公开了一种半导体器件,包括:发光结构,包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和有源层;第一电极,电连接至第一导电半导体层;第二电极,电连接至第二导电半导体层;第一覆盖电极,设置在第一电极上;以及绝缘层,设置在第一电极与第二电极之间,其中绝缘层包括设置在第一导电半导体层与第一覆盖电极之间的第一绝缘部以及设置在第一覆盖电极上的第二绝缘部,其中第一覆盖电极包括设置在第一绝缘部的上表面与第二绝缘部的下表面之间的第一突起部。