公开(公告)号：CN100524692C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200710101714.1

申请日：2002-10-25

申请人： 应用材料公司

发明人： 陈岭 ,  仲华 ,  肖恩·M·瑟特尔 ,  迈克尔·X·杨 ,  奚明 ,  文森特·库 ,  吴典晔 ,  艾伦·乌业 ,  诺曼·纳卡希玛 ,  巴里·金 ,  张弘

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/28562 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45508 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45582 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76871

摘要： 本发明提供了一种用于在衬底上形成金属互连的方法。一方面，本方法包括沉积含难熔金属的阻挡层，所述阻挡层的厚度小于2nm使得其呈现类晶体结构，并足以抑制至少一部分金属层上的原子迁移；通过交替地引入一次或多次含金属化合物的脉冲和一次或多次含氮化合物的脉冲，在至少一部分阻挡层上沉积晶种层；并在至少一部分晶种层上沉积第二金属层来生成互连。

公开(公告)号：CN101225514A

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200710199782.6

申请日：2007-11-09

申请人： 肖特股份公司

发明人： 克里斯托夫·默勒 ,  拉斯·贝韦格 ,  托马斯·屈佩尔

IPC分类号： C23C16/515 ,  C23C16/513 ,  C23C16/517 ,  C23C16/52 ,  C23C16/455

CPC分类号： C23C16/515 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45591

摘要： 在使用包括PECVD和PICVD方法的CVD方法的情况下，本发明的目的在于避免杂质并尽可能定时定量精确供应用于目标层系统的过程气体。为此，本发明提供一种涂敷系统和涂敷具有交替层的制品的方法，在这种情况下，将过程气体以交替形式引入到气体混合点并与另一气体混合，然后导入反应室，在反应室中通过产生等离子体来进行沉积。

公开(公告)号：CN1185365C

公开(公告)日：2005-01-19

申请号：CN01800693.0

申请日：2001-03-29

申请人： 精工爱普生株式会社

发明人： 名取荣治

IPC分类号： C23C16/40 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L27/10 ,  H01L41/22

CPC分类号： C23C16/45512 ,  C23C16/409 ,  C23C16/452

摘要： 本发明的陶瓷的制造方法包括：将至少形成陶瓷原材料一部分的原料材料微粒子和活性材料进行混合以后供给基体(10)，并在基体(10)上面形成陶瓷膜(20)的工序。制造设备具有：兼任基体(10)的加热部分的配置部分(40)、用于在微粒子的状态供给原料材料的原料材料供给部分(200)、用于供给活性材料的活性材料供给部分(100)、以及用于混合原料材料和活性材料的混合部分(300)。

公开(公告)号：CN1365399A

公开(公告)日：2002-08-21

申请号：CN01800693.0

申请日：2001-03-29

申请人： 精工爱普生株式会社

发明人： 名取荣治

IPC分类号： C23C16/40 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L27/10 ,  H01L41/22

CPC分类号： C23C16/45512 ,  C23C16/409 ,  C23C16/452

摘要： 本发明的陶瓷的制造方法包括:将至少形成陶瓷原材料一部分的原料材料微粒子和活性材料进行混合以后供给基体(10),并在基体(10)上面形成陶瓷膜(20)的工序。制造设备具有:兼任基体(10)的加热部分的配置部分(40)、用于在微粒子的状态供给原料材料的原料材料供给部分(200)、用于供给活性材料的活性材料供给部分(100)、以及用于混合原料材料和活性材料的混合部分(300)。

公开(公告)号：CN107254674A

公开(公告)日：2017-10-17

申请号：CN201710442144.6

申请日：2013-07-17

申请人： 塞莱斯技术公司

发明人： E·沃尔克 ,  R·L·小迪卡洛

IPC分类号： C23C16/448 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

CPC分类号： C23C16/45512 ,  B01F3/028 ,  B01F15/00331 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/4486 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/52 ,  C30B25/14 ,  C30B25/165 ,  C30B29/40 ,  Y10T137/0318 ,  Y10T137/2509

摘要： 一种方法，该方法包括将载气的第一物流传输到包括液体前体化合物的输送装置。所述方法还包括将载气的第二物流传输到输送装置下游的位置。所述第一物流从所述输送装置排出之后和第二物流合并，形成第三物流，这样所述第三物流中液体前体化合物的蒸气露点低于将所述蒸气传输至一个或多个CVD反应器的导管装置的温度。所述第一物流的流动方向,第二物流的流动方向以及第三物流的流动方向是单向的，不是彼此反向的。

公开(公告)号：CN106011792A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610596826.8

申请日：2016-07-26

申请人： 北京中科优唯科技有限公司

发明人： 梁勇 ,  曾一平 ,  王军喜 ,  段瑞飞 ,  李晋闽 ,  李辉

IPC分类号： C23C16/455

CPC分类号： C23C16/45512 ,  C23C16/45565

摘要： 本专利公开了一种在匀气盘内预先混气的匀气组件，包括：第一混气空腔，所述混气空腔中具有圆形截面的第一混气空间，所述第一混气空间中设置有第一喷嘴和第二喷嘴组；所述第一喷嘴沿着所述圆形的直径向内和向外两个方向喷射第一气体；所述第二喷嘴组包括多个沿着所述圆形半径设置的第二喷嘴，所述第二喷嘴沿着垂直于所述半径的方向喷射第二气体，形成旋转气流；第二混气空腔，一腔壁上设置有入口与所述第一混气空腔连通；另一腔壁上设置有出口与匀气组件外部连通；以及冷却层。通过采用上述技术方案，能够提高MOCVD反应气体混合的均匀程度，并且利用冷却层隔离所述匀气组件和周围环境，避免了混合气体在所述匀气组件中的预反应。

公开(公告)号：CN103946956B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201280056768.X

申请日：2012-11-16

申请人： 株式会社EUGENE科技

发明人： 梁日光 ,  诸成泰 ,  宋炳奎 ,  金龙基 ,  金劲勋 ,  申良湜

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： C23C16/4412 ,  C23C16/0236 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4588 ,  C23C16/54 ,  C30B25/14 ,  H01L21/67757

摘要： 根据本发明的一实施方案，实现在基板上形成外延层的外延工艺的外延装置，其包括：下部腔室，其上部打开，并在一侧形成有使所述基板进出的通道；外部反应管，其用于关闭所述下部腔室中打开的上部，并提供实现所述外延工艺的工艺空间；基板支架，其在上下方向载置一个以上所述基板，且可以转换到载置所述基板的载置位置、和实现对所述基板的所述工艺的工艺位置；一个以上的供应喷嘴，其沿着所述外部反应管的内壁配置，并具有用于喷射所述反应气体的供应口；和一个以上的排气喷嘴，其沿着所述外部反应管的内壁配置，并具有用于吸入所述工艺空间内的未反应气体及反应副产物的排气口；以及后方排气线，其连接于所述排气喷嘴，并用于排出通过所述排气口吸入的所述未反应气体及所述反应副产物，其中，所述下部腔室具有将所述排气喷嘴和所述后方排气线连接的排气端口、和将形成在所述下部腔室内部的载置空间连接于所述后方排气线的辅助排气端口。

公开(公告)号：CN103518005B

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201280020467.1

申请日：2012-04-27

申请人： 应用材料公司

发明人： 叶祉渊 ,  金以宽

IPC分类号： C23C16/448 ,  C23C16/455

CPC分类号： C23C16/4481 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45557 ,  C23C16/45561 ,  Y10T137/0318 ,  Y10T137/0329 ,  Y10T137/0335 ,  Y10T137/877 ,  Y10T436/12

摘要： 本文揭示了用于气体输送的方法和设备。在一些实施例中，气体输送系统包括：安瓿，该安瓿用于储存固态或液态前驱物；第一导管，该第一导管耦接至该安瓿且该第一导管具有耦接至第一气源第一末端，以将前驱物的蒸气从安瓿中抽取到第一导管中；第二导管，该第二导管在位于安瓿下游的第一接合处耦接至第一导管且该第二导管具有第一末端和第二末端，该第一末端耦接至第二气源而该第二末端耦接至处理腔室；和热源，该热源配置成加热安瓿和从安瓿至第二导管的第一导管的至少第一部分，以及加热第二导管的仅第二部分，其中该第二导管的第二部分包括第一接合处。

公开(公告)号：CN104752272A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410092475.8

申请日：2014-03-13

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 西堂周平

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  C23C16/455

CPC分类号： F17D1/02 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45525 ,  Y10T137/0318

摘要： 本发明提供一种衬底处理装置和半导体器件的制造方法，使从多个供给管供给的气体在到达至处理容器之前混合，来抑制在供给至处理容器的气体中产生浓度梯度。衬底处理装置具有：通用管，与处理容器连接，且使第1和第2处理气体通过；缓冲部，与通用管的上游连接，且宽度比通用管的直径宽；第1供给管，与缓冲部的连接有通用管的第1面、或与其相对的第2面连接，且使第1处理气体通过；和第2供给管，与缓冲部的第1或第2面连接，且使第2处理气体通过，第1以及第2供给管在第1或第2面中，连接于比通用管位于外周侧的位置，缓冲部使第1面与第2面之间的距离，比通用管的中心线与第1供给管以及第2供给管的中心线之间的距离形成得较小。

公开(公告)号：CN102794136B

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201210164827.7

申请日：2012-05-23

申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司

发明人： E·沃克 ,  R·L·小迪卡洛

IPC分类号： B01J4/00

CPC分类号： C23C16/52 ,  B01D7/00 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45557 ,  C23C16/45561 ,  C30B25/14 ,  C30B25/165 ,  G05D11/138 ,  Y10T137/0318 ,  Y10T137/2499 ,  Y10T137/2501 ,  Y10T137/2509 ,  Y10T137/2559 ,  Y10T137/2562 ,  Y10T137/265 ,  Y10T137/2657 ,  Y10T137/2663 ,  Y10T137/7761

摘要： 一种方法，该方法包括将载气的第一物流传输到包括固体前体化合物的输送装置。所述载气的第一物流的温度等于或高于20℃。所述方法还包括将载气的第二物流传输到输送装置下游的位置。所述第一物流和第二物流合并，形成第三物流，使得第三物流中的所述固体前体化合物的蒸气的露点低于常温。所述第一物流的流动方向,第二物流的流动方向以及第三物流的流动方向是单向的，不是彼此反向的。