复合型电容
    13.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102693975A

    公开(公告)日:2012-09-26

    申请号:CN201210188751.1

    申请日:2007-12-28

    Abstract: 本发明公开了一种复合型电容,包含基板、至少一平行板电容与至少一贯通孔电容,上述基板具有贯通孔,而平行板电容则位于基板上包括第一导体层、二介电层以及第二导体层。至少一贯通孔电容与至少一平行板电容并联。这种贯通孔电容至少包括一层与第一导体层电性连接至基板的一面的正极层、一层第一介电层、一层第一负极层、及一层与第二导体层电性连接至基板的另一面的第二负极层,使平行板电容与贯通孔电容的单极拉出在基板的表面。而正极层位于至少一贯通孔的内表面,且正极层的表面为多孔结构。第一介电层则位于正极层的多孔结构上。至于第一负极层是覆盖于第一介电层的表面,第二负极层是覆盖于第一负极层的表面。

    互补镜像式内藏平面电阻架构

    公开(公告)号:CN101179898B

    公开(公告)日:2011-03-30

    申请号:CN200610143540.0

    申请日:2006-11-10

    Abstract: 在此提出一种互补镜像式内藏平面电阻架构,其内藏平面电阻设计是将内藏平面电阻的接地面或电极面做互补式的镂空结构,使得寄生电容最小,此可有效提高应用频率。另外,由于内藏平面电阻有时候下方会有其他信号线通过,若完全无区隔也会造成严重的干扰或是串音(Cross Talk)现象,因此邻近内藏平面电阻的接地面、电极面或电源层的互补式镂空可以设计成网格形状以减少干扰或是串音,此时可以使整个电阻结构在电路中具有最好的高频电气特性。

    镜像式屏蔽结构
    18.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101018473B

    公开(公告)日:2010-06-23

    申请号:CN200610007437.3

    申请日:2006-02-10

    Abstract: 本发明公开了一种镜像式屏蔽结构,包括有电子组件和位于电子组件下方的接地屏蔽面;其中,接地屏蔽面的形状相似于电子组件的垂直投影形状,且接地屏蔽面的水平尺寸大于等于电子组件的水平尺寸。如此一来,既可有效地缩小电子组件与接地屏蔽面的寄生效应,且减少电子组件间的垂直耦合效应。并且,可阻绝传输线走线方式垂直影响内藏组件信号完整性。

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