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公开(公告)号：CN1937884B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200610127271.9
申请日：2006-09-19
Applicant: 财团法人工业技术研究院
CPC classification number: H01L23/50 , H01G4/38 , H01L23/49822 , H01L2224/16 , H01L2924/01079 , H05K1/0231 , H05K1/162 , H05K2201/09309 , H05K2201/10734
Abstract: 本发明提供一种在电路板内的埋入式电容装置，在其上具有集成电路。该电路板在该集成电路的下方具有共享耦合区域。该埋入式电容装置包括第一电容区段，其提供至少一个电容给该集成电路的第一终端组，而第二电容区段，其提供至少一个电容给该集成电路的第二终端组。该第一电容区段的一部分在该共享耦合区域中，并将其耦合到位于该共享耦合区域中该第一终端组。类似地，该第二电容区段的一部分在该共享耦合区域中，并将其耦合到位于该共享耦合区域中该第二终端组。
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公开(公告)号：CN107222970B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201611004131.2
申请日：2016-11-15
Applicant: 财团法人工业技术研究院 , 高技企业股份有限公司 , 新汉股份有限公司
IPC: H05K1/02
Abstract: 本发明公开一种多层线路结构，包括差动传输线对及至少一导电图样。差动传输线对包括并排的第一及第二传输线。第一及第二传输线分别包括相连的第一及第二部分，两第一部分之间的间距存在变化，两第二部分之间的间距固定，第一区位于两第一部分之间，第二区与第一区相对且位于第一传输线的第一部分的外侧，第三区与第一区相对且位于第二传输线的第一部分的外侧。导电图样与差动传输线对共平面且位于第一区、第二区及第三区的至少其中之一，导电图样电连接于参考电位且与差动传输线对电性绝缘。
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公开(公告)号：CN101527199B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200910130724.7
申请日：2009-02-27
Applicant: 财团法人工业技术研究院
CPC classification number: H05K1/162 , H01G4/228 , H01G4/248 , H01G4/33 , H01L23/49827 , H01L23/50 , H01L2224/16225 , H01L2924/09701 , H01L2924/12044 , H01L2924/3011 , H05K1/112 , H05K2201/09309 , H05K2201/09663 , H05K2201/09736 , H05K2201/09845 , H05K2201/10674
Abstract: 本发明公开了一种电容器装置和电路。该电容器装置包括第一电极和第一电极下方并与其分开的第二电极，其中至少有一个第一电极或第二电极包括多个导电台阶部分，该多个导电台阶部分具有不同的高度。该电容器还包括第一电极和第二电极之间的绝缘材料区域；和形成于第一电极和第二电极上的至少一个槽。
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公开(公告)号：CN107222970A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201611004131.2
申请日：2016-11-15
Applicant: 财团法人工业技术研究院 , 高技企业股份有限公司 , 新汉股份有限公司
IPC: H05K1/02
Abstract: 本发明公开一种多层线路结构，包括差动传输线对及至少一导电图样。差动传输线对包括并排的第一及第二传输线。第一及第二传输线分别包括相连的第一及第二部分，两第一部分之间的间距存在变化，两第二部分之间的间距固定，第一区位于两第一部分之间，第二区与第一区相对且位于第一传输线的第一部分的外侧，第三区与第一区相对且位于第二传输线的第一部分的外侧。导电图样与差动传输线对共平面且位于第一区、第二区及第三区的至少其中之一，导电图样电连接于参考电位且与差动传输线对电性绝缘。
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公开(公告)号：CN101562433A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200910130723.2
申请日：2009-02-27
Applicant: 财团法人工业技术研究院
CPC classification number: H03H1/02 , H01G4/40 , H05K1/0231 , H05K1/0233 , H05K1/162 , H05K1/165 , H05K1/181 , H05K1/185 , H05K2201/1006
Abstract: 本发明公开了一种电容器装置。该电容器装置包括至少一个电容器。该电容器装置还包括第一电容器和连接该第一电容器与导电区域的第一滤波器，其中该第一电容器具有第一共振频率，并且该第一滤波器被配置为工作在覆盖该第一共振频率的第一频带内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101527199A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200910130724.7
申请日：2009-02-27
Applicant: 财团法人工业技术研究院
CPC classification number: H05K1/162 , H01G4/228 , H01G4/248 , H01G4/33 , H01L23/49827 , H01L23/50 , H01L2224/16225 , H01L2924/09701 , H01L2924/12044 , H01L2924/3011 , H05K1/112 , H05K2201/09309 , H05K2201/09663 , H05K2201/09736 , H05K2201/09845 , H05K2201/10674
Abstract: 本发明公开了一种电容器装置和电路。该电容器装置包括第一电极和第一电极下方并与其分开的第二电极，其中第一电极和第二电极中的至少一个包括多个导电台阶部分，该多个导电台阶部分具有不同的高度。该电容器还包括第一电极和第二电极之间的绝缘区域；和形成于第一电极和第二电极上的至少一个槽。
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公开(公告)号：CN1937884A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610127271.9
申请日：2006-09-19
Applicant: 财团法人工业技术研究院
CPC classification number: H01L23/50 , H01G4/38 , H01L23/49822 , H01L2224/16 , H01L2924/01079 , H05K1/0231 , H05K1/162 , H05K2201/09309 , H05K2201/10734
Abstract: 本发明提供一种在电路板内的埋入式电容装置，在其上具有集成电路。该电路板在该集成电路的下方具有共享耦合区域。该埋入式电容装置包括第一电容区段，其提供至少一个电容给该集成电路的第一终端组，而第二电容区段，其提供至少一个电容给该集成电路的第二终端组。该第一电容区段的一部分在该共享耦合区域中，并将其耦合到位于该共享耦合区域中该第一终端组。类似地，该第二电容区段的一部分在该共享耦合区域中，并将其耦合到位于该共享耦合区域中该第二终端组。
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公开(公告)号：CN102569216A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110068111.2
申请日：2011-03-18
Applicant: 财团法人工业技术研究院
CPC classification number: H01L25/165 , H01L23/3107 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种功率元件封装结构，是将功率元件封装结构的金属基板作为电容单元的下电极，并于该金属基板上依序设置介电材料层与上金属层，该上金属层为上电极，而该金属基板为下电极，使形成电容单元，简化并整合电容单元于功率元件封装结构中。
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公开(公告)号：CN101562433B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200910130723.2
申请日：2009-02-27
Applicant: 财团法人工业技术研究院
CPC classification number: H03H1/02 , H01G4/40 , H05K1/0231 , H05K1/0233 , H05K1/162 , H05K1/165 , H05K1/181 , H05K1/185 , H05K2201/1006
Abstract: 本发明公开了一种电容器装置。该电容器装置包括至少一个电容器。该电容器装置还包括第一电容器和连接该第一电容器与导电区域的第一滤波器，其中该第一电容器具有第一共振频率，并且该第一滤波器被配置为工作在覆盖该第一共振频率的第一频带内。
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公开(公告)号：CN2515804Y
公开(公告)日：2002-10-09
申请号：CN02201420.9
申请日：2002-01-11
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01L23/58
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014
Abstract: 一种具低切换噪声的构装结构,应用于集成电路芯片的封装,利用一芯片电容与一芯片直接接合,该芯片电容为一利用多层电极层配合高介电常数的绝缘材质所形成的电容结构,且每一电极层都具有连接至表层的I/O连接垫,不同电位的电极层其I/O连接垫互相分隔,本实用新型集成电路构装结构能提供更好的噪声过滤效果,有效降低切换噪声。
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