-
公开(公告)号：CN112701153A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011051349.X
申请日：2020-09-29
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 公开了具有注入拖尾补偿区的碳化硅器件。一种半导体器件的SiC衬底，包括：第一导电类型的漂移区；具有与SiC衬底的第一表面邻接的沟道区的第二导电类型的本体区；与沟道区的第一端部邻接的第一导电类型的源极区；在本体区的与源极区相对的一侧处并且竖向地延伸到漂移区的第一导电类型的延伸区；在本体区下方并且具有朝向第一表面延伸并且与延伸区邻接的拖尾的第二导电类型的掩埋区；以及第一导电类型的补偿区，其沿着第一表面从延伸区突出到本体区中并且终止于沟道区的与第一端部相对的第二端部处。
-
公开(公告)号：CN107180872B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201710131889.0
申请日：2017-03-07
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 公开了包括晶体管单元和补偿结构的宽带隙半导体器件。一种半导体器件(500)包括在得自碳化硅的半导体部分(100)中的晶体管单元(TC)，其中晶体管单元(TC)电连接到栅极金属化部(330)、源电极(310)和漏电极(320)。半导体器件(500)还包括在半导体部分(100)中的掺杂区域(180)。掺杂区域(180)电连接到源电极(310)。掺杂区域(180)的电阻具有负的温度系数。层间电介质(210)将栅极金属化部(330)与掺杂区域(180)分离。半导体部分(100)中的漏极结构(120)将晶体管单元(TC)与漏电极(320)电连接，并且与掺杂区域(180)形成pn结(pnx)。
-
公开(公告)号：CN105097682A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510267326.5
申请日：2015-05-22
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L21/8222 , H01L27/102 , H01L27/105
CPC classification number: H01L29/7805 , H01L21/046 , H01L29/045 , H01L29/0688 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/167 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/66068 , H01L29/66734 , H01L29/78 , H01L29/7804 , H01L29/7813 , H01L29/861 , H01L21/8234 , H01L21/8222 , H01L27/1022 , H01L27/105
Abstract: 本发明的各个实施例涉及一种半导体器件。公开了一种半导体器件及其生产方法。该半导体器件包括半导体本体、和集成在该半导体本体中的至少一个器件单元(101、102)。该至少一个器件单元包括：漂移区域(11)、源极区域(12)和布置在源极区域(12)与漂移区域(11)之间的本体区域(13)；二极管区域(30)和在二极管区域(30)与漂移区域(11)之间的pn结；沟槽，具有第一侧壁(1101)、与第一侧壁相对的第二侧壁(1102)、和底部(1103)；其中本体区域(13)与第一侧壁(1101)邻接，二极管区域(30)与第二侧壁(1102)邻接，并且pn结与沟槽的底部(1103)邻接；栅极电极(21)，布置在沟槽中，并且通过栅极电介质(22)与本体区域(13)、二极管区域(30)和漂移区域(11)介电绝缘；其中二极管区域(30)包括布置在沟槽的底部(1103)下方的下二极管区域；并且其中下二极管区域包括与沟槽的底部(1103)远离的掺杂浓度最大值。
-
公开(公告)号：CN119603998A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411248945.5
申请日：2024-09-06
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开涉及包括SiC半导体主体的垂直功率半导体装置。提出一种功率半导体装置。垂直功率半导体装置包括：碳化硅SiC半导体主体，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。SiC半导体主体包括：晶体管基元区域，包括栅极结构；栅极焊盘区域；和互连区域，经栅极互连按照电气方式耦合栅极结构的栅电极和栅极焊盘区域的栅极焊盘。垂直功率半导体装置还包括源电极或发射极电极。垂直功率半导体装置还包括：第一夹层电介质，包括针对源电极或发射极电极的第一界面和针对栅电极或者栅极互连或者栅极焊盘中的至少一个的第二界面，并且其中在第一界面的导带偏移处于从1eV到2.5eV的范围中。
-
公开(公告)号：CN113130634B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202110393910.0
申请日：2015-12-10
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L21/28 , H01L29/24 , H01L21/336
Abstract: 本公开涉及形成具有屏蔽栅极的碳化硅器件的方法，其中，提供了一种碳化硅半导体衬底，其具有彼此横向间隔开并且在主表面之下的多个第一掺杂区域，以及形成从主表面延伸到在第一掺杂区域之上的第三掺杂区域的第二掺杂区域。形成从主表面延伸到第一掺杂区域的第四掺杂区域。形成具有布置在第一掺杂区域中的一个区域的一部分之上的底部的栅极沟槽。对衬底应用高温步骤从而沿着沟槽的侧壁对碳化硅原子进行重排列并且在栅极沟槽中形成圆角。从衬底去除在高温步骤期间沿着栅极沟槽的侧壁形成的表面层。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112397574A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202010817408.3
申请日：2020-08-14
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L29/16 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/06 , H01L29/78
Abstract: 具有沟槽栅极的碳化硅器件。一种碳化硅器件（500）包括从第一表面（101）延伸到碳化硅本体（100）中的条形沟槽栅极结构（150）。栅极结构（150）具有沿着横向第一方向（291）的栅极长度（L0）。栅极结构（150）的底表面（158）和有源第一栅极侧壁（151）经由栅极结构（150）的第一底部边缘（156）连接。碳化硅器件（500）还包括第一导电类型的至少一个源极区（110）。第二导电类型的屏蔽区（160）跨栅极长度的至少20%与栅极结构（150）的第一底部边缘（156）接触。
-
公开(公告)号：CN107452803B
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201710368872.7
申请日：2017-05-23
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423
Abstract: 一种半导体器件包括从第一表面延伸至由宽带隙半导体材料形成的半导体本体中的沟槽栅极结构。沟槽栅极结构将半导体本体的台面部分彼此分离。在台面部分中，本体区域与漏极结构形成第一pn结并且直接地邻接第一台面侧壁。台面部分中源极区域与本体区域形成第二pn结，其中本体区域分离所述源极区域与所述漏极结构。源极区域直接地邻接第一台面侧壁以及与第一台面侧壁相对的第二台面侧壁。
-
公开(公告)号：CN119947185A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411564501.2
申请日：2024-11-05
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H10D30/66
Abstract: 本公开涉及包括传感器电极的垂直功率半导体装置，其包括：碳化硅SiC半导体主体，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。SiC半导体主体包括：晶体管基元区域，包括栅极结构；栅极焊盘区域；和互连区域，经栅极互连按照电气方式耦合栅极结构的栅极电极和栅极焊盘区域的栅极焊盘。垂直功率半导体装置还包括传感器电极。垂直功率半导体装置还包括：第一夹层电介质，包括针对传感器电极的第一界面和针对栅极电极或栅极互连中的至少一个的第二界面。在第一界面的导带偏移处于从1eV到2.5eV的范围中。垂直功率半导体装置还包括针对栅极电极或栅极互连中的至少一个的第二界面。第二夹层电介质沿侧向与第一夹层电介质邻接。
-
公开(公告)号：CN118571932A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410219549.3
申请日：2024-02-28
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 一种竖向功率半导体器件，其包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体主体。半导体主体在第一表面处的区域的细分包括晶体管单元区域，晶体管单元区域包括在半导体主体中的晶体管单元。半导体主体在第一表面处的区域的细分包括围绕晶体管单元区域的边缘终止区域。半导体主体包括在边缘终止区域中的终止结构。半导体主体在第一表面处的区域的细分包括在晶体管单元区域和边缘终止区域之间的栅极线区域。栅极线区域包括在半导体主体上方的栅极线。半导体主体在第一表面处的区域的细分包括在栅极线区域和边缘终止区域之间的源极线或发射极线区域。源极线或发射极线区域包括在半导体主体中的晶体管单元和半导体主体上方的源极线或发射极线。
-
公开(公告)号：CN112701153B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202011051349.X
申请日：2020-09-29
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 公开了具有注入拖尾补偿区的碳化硅器件。一种半导体器件的SiC衬底，包括：第一导电类型的漂移区；具有与SiC衬底的第一表面邻接的沟道区的第二导电类型的本体区；与沟道区的第一端部邻接的第一导电类型的源极区；在本体区的与源极区相对的一侧处并且竖向地延伸到漂移区的第一导电类型的延伸区；在本体区下方并且具有朝向第一表面延伸并且与延伸区邻接的拖尾的第二导电类型的掩埋区；以及第一导电类型的补偿区，其沿着第一表面从延伸区突出到本体区中并且终止于沟道区的与第一端部相对的第二端部处。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
25
records
(took 0.029 seconds)
