公开(公告)号：CN107452803A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710368872.7

申请日：2017-05-23

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R·西明耶科 ,  T·艾钦格 ,  W·伯格纳 ,  R·埃斯特夫 ,  K·费尔德拉普 ,  D·屈克 ,  D·彼得斯 ,  R·拉普 ,  C·施特伦格 ,  B·齐佩利乌斯

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423

Abstract: 一种半导体器件包括从第一表面延伸至由宽带隙半导体材料形成的半导体本体中的沟槽栅极结构。沟槽栅极结构将半导体本体的台面部分彼此分离。在台面部分中，本体区域与漏极结构形成第一pn结并且直接地邻接第一台面侧壁。台面部分中源极区域与本体区域形成第二pn结，其中本体区域分离所述源极区域与所述漏极结构。源极区域直接地邻接第一台面侧壁以及与第一台面侧壁相对的第二台面侧壁。

公开(公告)号：CN107452803B

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN201710368872.7

申请日：2017-05-23

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R·西明耶科 ,  T·艾钦格 ,  W·伯格纳 ,  R·埃斯特夫 ,  K·费尔德拉普 ,  D·屈克 ,  D·彼得斯 ,  R·拉普 ,  C·施特伦格 ,  B·齐佩利乌斯

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423

Abstract: 一种半导体器件包括从第一表面延伸至由宽带隙半导体材料形成的半导体本体中的沟槽栅极结构。沟槽栅极结构将半导体本体的台面部分彼此分离。在台面部分中，本体区域与漏极结构形成第一pn结并且直接地邻接第一台面侧壁。台面部分中源极区域与本体区域形成第二pn结，其中本体区域分离所述源极区域与所述漏极结构。源极区域直接地邻接第一台面侧壁以及与第一台面侧壁相对的第二台面侧壁。