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公开(公告)号:CN109314063A
公开(公告)日:2019-02-05
申请号:CN201780035418.8
申请日:2017-06-12
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 电力用半导体装置包括至少在表面具有导体层的绝缘基板、设置于导体层上的线材凸块、载置于线材凸块上的半导体元件以及在导体层上将半导体元件进行接合的焊料层,以及/或者包括底板、设置于底板上的多个线材凸块、载置于线材凸块上且至少在背面具有导体层的绝缘基板以及在底板上接合绝缘基板的导体层的焊料层,在线材凸块与焊料层的界面具有包括线材凸块的材料和焊料层的材料的合金。
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公开(公告)号:CN104851843A
公开(公告)日:2015-08-19
申请号:CN201510085084.8
申请日:2015-02-16
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H05K1/0271 , H01L23/049 , H01L23/142 , H01L23/3735 , H01L23/49811 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/13055 , H05K1/0306 , H05K1/09 , H05K1/092 , H05K1/111 , H05K1/181 , H05K2203/049 , Y02P70/611 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种能够提高电气接合可靠性的电力用半导体装置。安装电力用半导体元件(8)的电路基板具有绝缘板(5A)、接合图案(4A)、电路图案(6A)以及焊盘板(1C)。绝缘板(5A)由氮化铝陶瓷制作,具有第1面以及第2面(S1、S2)。接合图案(4A)接合在绝缘板(5A)的第1面(S1)上,由铝或铝合金制作。电路图案(6A)接合在绝缘板(5A)的第2面(S2)上,由铝或铝合金制作。焊盘板(1C)与电路图案(6A)接合,仅局部地覆盖电路图案(6A),由铜或铜合金制作。
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公开(公告)号:CN115885386A
公开(公告)日:2023-03-31
申请号:CN202080103496.9
申请日:2020-09-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L25/07
Abstract: 本发明是为了解决这样的问题而提出的,其目的在于提供一种能够降低成本的半导体装置。本发明涉及的半导体装置具有:基座板;绝缘基板,其设置于基座板之上;半导体芯片,其设置于绝缘基板之上;第1树脂壳体以及第2树脂壳体,它们以将绝缘基板以及半导体芯片收容在内部的方式安装于基座板,二者彼此嵌合;以及封装材料,其对绝缘基板以及半导体芯片进行封装,第1树脂壳体以及第2树脂壳体由相对漏电起痕指数不同的树脂材料构成。
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公开(公告)号:CN115274465A
公开(公告)日:2022-11-01
申请号:CN202210947454.4
申请日:2017-06-12
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 提供一种电力用半导体装置,包括至少在表面具有导体层的绝缘基板、设置于导体层上的线材凸块、载置于线材凸块上的半导体元件以及在导体层上将半导体元件进行接合的焊料层,以及/或者包括底板、设置于底板上的多个线材凸块、载置于线材凸块上且至少在背面具有导体层的绝缘基板以及在底板上接合绝缘基板的导体层的焊料层,在线材凸块与焊料层的界面具有包括线材凸块的材料和焊料层的材料的合金。
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公开(公告)号:CN106575628B
公开(公告)日:2019-02-15
申请号:CN201580043705.4
申请日:2015-10-09
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 关于使铝与铜重叠而进行压焊而成的包层材料,通过利用超声波接合等将包层材料的铝侧接合于功率半导体元件的电极表面并在包层材料的铜侧进行线接合,而形成电路。进而预先在比功率半导体元件的动作温度高的温度下对包层材料进行热处理,从而在接合处理后在铝以及铜的各个界面充分地形成金属间化合物,以避免膜厚生长。
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公开(公告)号:CN106663639A
公开(公告)日:2017-05-10
申请号:CN201480081620.0
申请日:2014-08-28
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的目的在于得到一种接合部的可靠性高的半导体装置。本发明所涉及的半导体装置具有:绝缘基板(1),其形成有导电性图案(4b);以及电极端子(6)及半导体元件,它们与导电性图案(4b)接合,电极端子(6)和导电性图案(4b)在接合面(7)处进行了超声波接合,进行超声波接合的部位为多个。
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公开(公告)号:CN111344840B
公开(公告)日:2023-07-07
申请号:CN201880072262.5
申请日:2018-11-21
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/3205 , H01L21/285 , H01L21/329 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L29/12 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/872
Abstract: 本发明涉及半导体装置,具备:第1主电极及第2主电极,分别配设于半导体基板的第1主面上及第2主面上;保护膜,配设于所述第1主电极的端缘部上;以及第1金属膜,配设于所述第1主电极上的由所述保护膜包围的区域,在所述第1金属膜中,中心部分的膜厚比与所述保护膜相接的部分的膜厚更厚,并且在表面具有凹凸。
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公开(公告)号:CN110494977B
公开(公告)日:2023-04-18
申请号:CN201880020955.X
申请日:2018-04-20
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L25/07 , H01G4/228 , H01G4/30 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L23/34 , H01L25/00 , H01L25/18 , H02M7/48
Abstract: 提供一种能够抑制在开关元件的开关动作时产生的振铃、具有高可靠性的电力用半导体装置。电力用半导体模块具备半导体元件(204)、导体图案(203a、203d~203f)、缓冲电路、密封体(205)、作为中间构件的金属端子(306b)和作为接合件的钎焊接合部(211)。对导体图案(203a、203d~203f)连接有半导体元件(204)。缓冲电路(106)为电容器主体部(306a)与电阻器(210)串联连接而成的电路。密封体(205)密封半导体元件(204)、导体图案(203a、203d~203f、203h)、电容器主体部(306a)以及电阻器(210)。连接于电容器主体部(306a)的金属端子(306b)通过钎焊接合部(211)与导体图案(203e、203f)连接。
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公开(公告)号:CN110494977A
公开(公告)日:2019-11-22
申请号:CN201880020955.X
申请日:2018-04-20
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L25/07 , H01G4/228 , H01G4/30 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L23/34 , H01L25/00 , H01L25/18 , H02M7/48
Abstract: 提供一种能够抑制在开关元件的开关动作时产生的振铃、具有高可靠性的电力用半导体装置。电力用半导体模块具备半导体元件(204)、导体图案(203a、203d~203f)、缓冲电路、密封体(205)、作为中间构件的金属端子(306b)和作为接合件的钎焊接合部(211)。对导体图案(203a、203d~203f)连接有半导体元件(204)。缓冲电路(106)为电容器主体部(306a)与电阻器(210)串联连接而成的电路。密封体(205)密封半导体元件(204)、导体图案(203a、203d~203f、203h)、电容器主体部(306a)以及电阻器(210)。连接于电容器主体部(306a)的金属端子(306b)通过钎焊接合部(211)与导体图案(203e、203f)连接。
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公开(公告)号:CN107210241A
公开(公告)日:2017-09-26
申请号:CN201680009370.9
申请日:2016-02-26
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 在功率半导体装置(100)中,关于功率半导体元件(4)的表面电极(41a),在维氏硬度为200~350Hv的以Cu为主成分的通过非电解镀敷形成的Cu层(81)上层叠设置有比Cu层(81)柔软的维氏硬度为70~150Hv的以Cu为主成分的通过非电解镀敷形成的Cu层(82),对Cu层(82)与Cu制的导线(6)进行导线键合。
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