公开(公告)号：CN110660794A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201910566478.3

申请日：2019-06-27

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 小林一也 ,  黑川敦 ,  德矢浩章 ,  大部功 ,  斋藤祐一

IPC: H01L27/06 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明提供一种在对电极焊盘施加了冲击时，能够抑制焊盘的正下方的电路元件因冲击而受到损伤的半导体装置。在基板上配置有被保护元件以及突出部。配置在基板上的绝缘膜覆盖突出部的至少侧面以及被保护元件。在绝缘膜上配置有外部连接用的电极焊盘。电极焊盘在俯视时与被保护元件以及突出部至少部分地重叠。从突出部的上表面到电极焊盘的高度方向的最大的间隔比从被保护元件的上表面到电极焊盘的高度方向的最大的间隔窄。

公开(公告)号：CN113225034B

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202110153807.9

申请日：2021-02-04

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 德矢浩章 ,  佐藤秀幸 ,  播磨史生 ,  嶋本健一 ,  田中聪 ,  河野孝透 ,  敷岛稜纪 ,  黑川敦

IPC: H03F3/21

Abstract: 本发明提供功率放大电路、半导体器件，缓和由热应力引起的对功率放大电路的影响。具备：晶体管(101)，形成在半导体基板(301)上；晶体管(111)，形成在半导体基板(301)上，向晶体管(101)供给基于控制电流(Ic)的一部分的偏置电流(Ib)；晶体管(112)，形成在半导体基板(301)上，该晶体管(112)的集电极被供给控制电流(Ic)的一部分，从该晶体管(112)的发射极输出基于电流(I2)的电流(I3)；凸块(201)，与晶体管(101)的发射极电连接，设置为在俯视半导体基板(301)时与配置有晶体管(101)的配置区域(A1)重叠；以及凸块(202)，设置为在俯视时与配置有晶体管(112)的配置区域(A2)重叠。

公开(公告)号：CN113809035B

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202110655309.4

申请日：2021-06-11

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 黑川敦 ,  柴田雅博 ,  德矢浩章 ,  佐治真理

IPC: H01L23/495 ,  H01L27/082 ,  H01L29/737

Abstract: 本发明提供能够抑制由应力导致的可靠性降低，并且抑制散热性降低的半导体装置。在基板上形成有具有至少一级台阶的台面部。在台面部上配置有绝缘膜，该绝缘膜包含由有机绝缘材料构成的有机层且设置有开口。在绝缘膜上配置有经过设置于绝缘膜的开口而电连接于台面部的晶体管的导体膜。在俯视时，设置于有机层的开口包含台面部，且具有沿第一方向延伸的侧面。将在俯视时从台面部到有机层的开口的两侧的侧面的与第一方向正交的第二方向的距离中较短的一方定义为第一距离，将从台面部到有机层的开口的两侧的侧面的第一方向的距离中较短的一方定义为第二距离。将台面部的第一级高度定义为第一高度。第一距离以及第二距离中的至少一方为第一高度以上。

公开(公告)号：CN113225034A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202110153807.9

申请日：2021-02-04

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 德矢浩章 ,  佐藤秀幸 ,  播磨史生 ,  嶋本健一 ,  田中聪 ,  河野孝透 ,  敷岛稜纪 ,  黑川敦

IPC: H03F3/21

Abstract: 本发明提供功率放大电路、半导体器件，缓和由热应力引起的对功率放大电路的影响。具备：晶体管(101)，形成在半导体基板(301)上；晶体管(111)，形成在半导体基板(301)上，向晶体管(101)供给基于控制电流(Ic)的一部分的偏置电流(Ib)；晶体管(112)，形成在半导体基板(301)上，该晶体管(112)的集电极被供给控制电流(Ic)的一部分，从该晶体管(112)的发射极输出基于电流(I2)的电流(I3)；凸块(201)，与晶体管(101)的发射极电连接，设置为在俯视半导体基板(301)时与配置有晶体管(101)的配置区域(A1)重叠；以及凸块(202)，设置为在俯视时与配置有晶体管(112)的配置区域(A2)重叠。

公开(公告)号：CN105849873B

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201480070604.1

申请日：2014-12-17

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 梅本康成 ,  德田大辅 ,  西明恒和 ,  德矢浩章

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/737

Abstract: 本发明涉及半导体装置。在具备双极晶体管BT的半导体装置中，柱状凸点(20)和与发射极层(5)电连接的第二布线(14)接触的第三开口(16)从与发射极层(5)的正上对应的位置向发射极层(5)的长边方向偏移，第三开口(16)相对于发射极层(5)，被配置成发射极层(5)的长边方向的端部与第三开口(16)的开口端几乎一致。

公开(公告)号：CN211788920U

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN201890001043.3

申请日：2018-07-06

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 黑川敦 ,  德矢浩章 ,  小林一也 ,  佐野雄一

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

Abstract: 本实用新型涉及半导体装置。在半导体基板上形成介电膜，在半导体基板与介电膜之间配置有包括折弯部的布线。在介电膜上形成有焊盘。保护膜覆盖焊盘。在保护膜设置有使焊盘的上表面露出的开口。布线的折弯部和焊盘在俯视时重叠，折弯部的内侧的角以及外侧的角被倒角。