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公开(公告)号：CN1136712A
公开(公告)日：1996-11-27
申请号：CN96103944.2
申请日：1996-03-08
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L27/092
CPC classification number: H01L29/7455 , H01L29/102 , H01L29/749
Abstract: 本发明为一种复合半导体装置，包括串联在一起的一个MIS场效应管和一个可控硅，这里，或者把MIS场效应管的P基极层和可控硅P基极层之间的可承受电压设置成低于该MIS场效应管的可承受电压，在MIS场效应管的p基极层和可控硅p基极层通过-p通道连接的条件下使该MIS场效应管“断掉”，或者减小该可控硅p基极层的侧向电阻，从而扩展了该复合半导体装置的安全操作区间。
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公开(公告)号：CN105191132B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201380076459.3
申请日：2013-05-10
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H02M3/158 , H01L29/786 , H02M1/00 , H02M1/32 , H02M2001/0009 , H03K17/0828 , H03K17/168 , H03K2217/0036
Abstract: 本发明的绝缘栅型半导体元件的控制装置通过分别提供给第1绝缘栅极以及第2绝缘栅极的第1控制电压以及第2控制电压，驱动具备第1绝缘栅极和第2绝缘栅极的绝缘栅型半导体元件，具备：第1噪声滤波器，输入与绝缘栅型半导体元件中流过的电流相关的信号；第1比较器，比较第1噪声滤波器的输出信号和第1基准信号，输出第1比较结果；第2控制电压输出电路，如果根据第1比较结果判定为绝缘栅型半导体元件中流过过电流，则使第2控制电压降低；以及第1控制电压输出电路，在第2控制电压降低之后，使第1控制电压降低。
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公开(公告)号：CN106536437A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201580034016.7
申请日：2015-09-09
Applicant: 株式会社日立制作所
Abstract: 目的在于提供热可靠性优异的散热结构体及半导体模块。为了解决上述课题，本发明的散热结构体是将金属、陶瓷、半导体任一种的第一部件和第二部件经由接合部件进行粘接的散热结构体，或将半导体芯片、金属配线、陶瓷绝缘基板、含有金属的散热基底基板分别经由接合部件进行粘接的半导体模块，其特征在于，上述接合部件中的任一个以上含有无铅低熔点玻璃组合物和金属粒子，上述无铅低熔点玻璃组合物以以下的氧化物换算计含有：V2O5、TeO2及Ag2O作为主要成分，这些的合计为78摩尔％以上，TeO2和Ag2O的含量相对于V2O5的含量分别为1～2倍，还有合计20摩尔％以下的BaO、WO3或P2O5中任一种以上作为副成分，及合计2.0摩尔％以下的Y2O3、La2O3或Al2O3中任一种以上作为追加成分。
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公开(公告)号：CN102646723A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210023895.1
申请日：2012-02-03
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H02K11/00
CPC classification number: H01L29/872 , H01L24/01 , H01L29/0619 , H01L29/8611 , H01L2924/12036 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种能够提高可靠性的半导体装置、使用了该半导体装置的回转电机或使用了该半导体装置的车辆。为了解决上述的课题，本发明涉及的半导体装置中具备肖特基结和pn结，该半导体装置的特征在于，所述pn结设置在整流区域和护圈部，所述整流区域的pn结部的击穿电压比所述肖特基结及所述护圈部的pn结低。
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公开(公告)号：CN102593167A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210001137.X
申请日：2012-01-04
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L25/07 , H02M1/00
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L29/0661 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/402 , H01L29/4238 , H01L29/6634 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供了一种半导体装置，能够在保持低损失和高耐压的同时，提高栅极驱动电路对在导通开关时间段中的dv/dt的控制性。该半导体装置设置有：第1导电型的第1半导体层(4)；在其表面附近形成的第2导电型的第2半导体层(2)；与其电连接的第1主电极(11)，与第1半导体层(4)邻接且在与第2半导体层(2)相反侧的表面附近形成的第2导电型的第3半导体层(6)；在其上部上选择性地设置的第1导电型的第4半导体层(7)；与第3半导体层(6)以及第4半导体层(7)电连接的第2主电极(14)；其侧面与第4半导体层(7)和第3半导体层(6)接触且达到第1半导体层(4)的沟槽(17)；沿着该侧面通过多晶硅的边壁形成的栅极电极(9)；以及在沟槽(17)内离开栅极电极(9)而设置且与第2主电极(14)电连接的多晶硅电极(18)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1145255C
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN00108684.7
申请日：2000-05-15
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H02M7/53871 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49111 , H02M7/003 , H02M2001/0009 , H01L2924/00014
Abstract: 为了高度精确地检测电力转换系统中的电流，将电感器串联到开关元件的主端子，并使用积分电路对切换时电感器的两端产生的电压积分，来检测电流。
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公开(公告)号：CN1304180A
公开(公告)日：2001-07-18
申请号：CN00137611.X
申请日：2000-12-08
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/045 , H01L29/0619 , H01L29/0634 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/4236 , H01L29/4238 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/732 , H01L29/7397 , H01L29/7722 , H01L29/7811 , H01L29/872
Abstract: 在具有第一端101(源端)和第二端102(漏端)的半导体器件中,半导体芯片的衬底主面在(110)面上,n型区2和p型区4在垂直于(110)面的{111}面,长条形的n型区2和长条形的p型区4相邻交替排列,形成电压保持区,所说的第二端101通过导线连接到所说的p型区,所说的第二端102连接到所说的n型区2。而且,形成所说p型区来覆盖栅多晶硅层8的底部拐角。
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公开(公告)号：CN102005956A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010583756.5
申请日：2007-07-19
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H02M7/003 , B60L3/003 , B60L3/12 , B60L11/123 , B60L11/14 , B60L11/18 , B60L15/007 , B60L2210/40 , B60L2240/525 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/4846 , H01L2224/48472 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/19107 , H01L2924/30107 , H05K7/20927 , Y02T10/6217 , Y02T10/645 , Y02T10/7005 , Y02T10/7022 , Y02T10/7077 , Y02T10/7241 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明通过减小寄生电感来提供可靠性高的电力变换装置。具备：功率模块，其具有将直流电流变换为交流电流的功率半导体元件；电容器模块，其具有对直流电流进行平滑化的电容器元件；导体，其将功率模块和电容器模块电连接；和水路形成体，其形成致冷剂流动用的流路；功率模块配置在水路形成体的第一面，电容器模块按照与第一面夹持流路的方式配置在相反侧的水路形成体的第二面，导体具有在正极导体与负极导体之间夹持了绝缘薄板的层叠构造，并且，导体配置成从电容器元件与水路形成体的第二面之间的空间经由水路形成体的侧部到达功率模块。
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公开(公告)号：CN101471027A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200810185248.4
申请日：2008-12-24
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G09G3/296 , G09G3/294 , G09G2320/0233 , G09G2330/021 , G09G2330/028
Abstract: 本发明提供等离子显示器装置和其驱动方法及驱动IC，实现在目前的具有单侧驱动的吸持电路的AC型PDP装置中不能实现的、吸持期间的电源Va的稳定化、进而抑制复位期间的Y电极和A电极之间的放电，正常地实现Y电极和X电极之间的正的钝波复位，并有效利用流入寻址电源的电力。在维持AC型PDP的发光的期间，设为将面板单侧的电极固定在一定的电位，且向面板的另一侧电极交替施加正负的电压来进行驱动的方式，具有将流入寻址电源的电力变换成其他电源的装置。能够提供没有亮度不均、低消耗电力且亮度寿命长的AC型PDP。
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公开(公告)号：CN101140953A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200710152878.7
申请日：2000-12-08
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/045 , H01L29/0619 , H01L29/0634 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/4236 , H01L29/4238 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/732 , H01L29/7397 , H01L29/7722 , H01L29/7811 , H01L29/872
Abstract: 一种功率半导体器件，当在第一端和第二端之间加电压时，通过形成延伸穿过一部分半导体芯片的空间电荷区，在所说的第一端和第二端之间阻止电流流动：半导体芯片的衬底主面位于(110)面上，一对相对的侧边缘位于垂直于(110)面的{111}面上；形成有电压保持区，包括电连接到所说第二端的第一导电类型的第一区和电连接到所说第一端的第二导电类型的第二区；所说的第一导电类型的第一区和所说的第二导电类型的第二区之间的边界具有沿[110]轴方向延伸的形状；当在所说的第一端和所说的第二端之间的电流流动受阻时，在包括所说的第一导电类型的第一区和所说的第二导电类型的第二区的所说的电压保持区中，形成交替排列的正负空间电荷区。
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