公开(公告)号：CN1649086A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200510005081.5

申请日：2005-01-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 早崎圭 ,  三上彻 ,  伊藤信一 ,  山崎裕一郎 ,  小谷敏也

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/66 ,  H01L21/027 ,  G03F7/00 ,  G01B11/00

CPC classification number: G03F7/70625 ,  G01N21/956

Abstract: 本发明据以下所确定的各物质的构成比确定被评价物的结构：测定设于预定环境中被评价物的反射光强度的波长色散；准备构成上述被评价物及上述波长色散测定的上述环境各物质的复折射率；设定假定构成上述被评价物的物质与构成上述环境的物质的混合率的多个设想构成比；相对于各设想构成比，通过应用上述各物质的复折射率的多重干涉计算从而算出设想反射率波长色散；从上述多个设想反射率波长色散中，提取多个与上述反射率波长色散测定值误差小的类似反射率波长色散计算值；将提取的类似反射率波长色散的计算中所用的设想构成比按上述误差越小权重越大进行加权平均以确定上述各物质的构成比。

公开(公告)号：CN1201375C

公开(公告)日：2005-05-11

申请号：CN01140672.0

申请日：2001-09-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 江间达彦 ,  伊藤信一 ,  奥村胜弥

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/30 ,  G03F7/16

Abstract: 公开了液态膜干燥方法及干燥装置。所述干燥方法包括以下工序：使具有贯通孔204的整流板200以不接触液态膜的距离靠近该被处理基板上方的工序，使整流板200旋转从而使被处理基板101的上方与整流板200的下表面之间产生气流的工序，使含有溶质的液态膜与气流接触、将液态膜中的溶剂除去，在被处理基板101上形成由前述溶质构成的固相膜的工序。使用该液态膜干燥方法，可获得良好的膜厚均匀性，同时对处理时间进行控制以提高生产率。

公开(公告)号：CN1199242C

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN01133875.X

申请日：2001-12-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 樱井秀昭 ,  伊藤正光 ,  伊藤信一

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/027 ,  G03F7/30

CPC classification number: G03D5/003

Abstract: 提供一种衬底处理装置和衬底处理方法，可以消除被处理表面上的药液浓度差，可以实现高精度的药液处理。在药液喷出/吸引单元(扫描喷嘴)(21)中设置有用来向被处理衬底喷出药液的药液喷出开口(22)和用来吸引被处理衬底上的药液的药液吸引开口(23)，由于从上述药液喷出开口(22)连续喷出的药液被上述药液吸引开口(23)连续吸引，在上述扫描喷嘴(21)和被处理表面之间，以及在上述药液喷出开口(22)和上述药液吸引开口(23)之间的区域中不断有新鲜药液供给被处理表面。

公开(公告)号：CN1435863A

公开(公告)日：2003-08-13

申请号：CN03102108.5

申请日：2003-01-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤信一 ,  江间达彦 ,  早崎圭 ,  中田錬平 ,  山田展英 ,  奥村勝弥

IPC: H01L21/027 ,  B05C9/12 ,  G03F7/16

CPC classification number: H01L21/6715 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/288 ,  H01L21/31633

Abstract: 在一边从设于喷嘴的排出口，对衬底连续地排出调整后的溶液使其在上述衬底上蔓延规定量，一边相对移动上述喷嘴和衬底，在上述衬底上留下供给的溶液，并在上述衬底上形成液膜的成膜方法中，设定上述喷嘴的排出口与上述衬底的距离h为2mm以上，而且对于上述溶液表面张力γ(N/m)、从上述排出口连续地排出的溶液排出速度q(m/sec)、和常数5×10－5(m·sec/N)，为不足5×10－5qγ(mm)的范围内。

公开(公告)号：CN102208335A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN201110052481.7

申请日：2011-03-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 河村嘉久 ,  小林克稔 ,  伊藤信一 ,  林秀和 ,  富田宽

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供模板的表面处理方法及装置以及图案形成方法。根据本实施方式，模板的表面处理方法包括：将具备图案面的模板的表面氢氧化或使水吸附于前述表面，使OH基分布于前述表面的工序，所述图案面具有凹凸；以及使偶联剂结合于分布有前述OH基的模板表面的工序。这些处理在胺被管理为小于等于预定浓度的环境中进行。

公开(公告)号：CN100524040C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200610080276.0

申请日：2006-05-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤信一 ,  松永健太郎 ,  河村大辅 ,  大西廉伸

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/2041 ,  G03F7/11 ,  Y10S430/162

Abstract: 一种图案的形成方法，其包括：在被加工膜上形成感光性树脂膜；通过涂布法在上述感光性树脂薄膜上形成用于保护上述感光性树脂薄膜的保护膜；通过浸渍液对上述感光性树脂膜的部分区域选择性地进行液浸曝光，将上述浸渍液提供到上述感光性树脂薄膜上；在形成上述保护膜后，且在对上述感光性树脂薄膜的部分区域进行选择性曝光之前，从上述保护膜除去对上述浸渍液具有亲和性部位的残留物质；除去上述保护膜；以及，通过选择性地除去上述感光性树脂膜的曝光区域或者非曝光区域，形成由上述感光性树脂薄膜构成的图案。

公开(公告)号：CN100382242C

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200510002715.1

申请日：2003-03-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤信一 ,  东木达彦 ,  奥村胜弥 ,  川野健二 ,  井上壮一

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/00 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/70625 ,  G03F7/70633 ,  G03F7/70641 ,  G03F7/70675 ,  H01J2237/30438

Abstract: 提供一种半导体器件的制造方法和半导体器件的制造装置。在半导体衬底主面上形成感光性膜把半导体衬底送到曝光装置；给上述感光性膜选择性曝光掩模上检查标记，在该感光性膜上形成检查标记的潜像；加热至少检查标记的潜像形成区的上述感光性膜，浮现第2检查标记的潜像；测量浮现的检查标记像；根据测量结果，变更选择性曝光时上述曝光装置的设定值，使其曝光条件为设计值；按照变更后的设定值，给上述感光性膜曝光上述感光性膜上掩模上器件图形，使该感光性膜形成器件图形的潜像；加热整个上述感光性膜；以及使上述感光性膜显影。

公开(公告)号：CN100356511C

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN200510002154.5

申请日：2005-01-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 加藤宽和 ,  竹石知之 ,  伊藤信一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/027 ,  G03F7/26 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L21/02282 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  G03F7/162 ,  G03F7/168 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/312

Abstract: 本发明的目的是抑制多层抗蚀剂工艺中的上层抗蚀剂膜的倒塌。其解决方案是，在包含对被处理基板的主面供给含有涂敷型薄膜形成物质和溶剂的液体以形成液状的涂敷膜的工序，以及对上述涂敷膜进行上述溶剂的除去和使上述涂敷型薄膜形成物质发生非可逆的反应用的加热处理以形成固形的薄膜的工序的成膜方法中，使在上述涂敷膜的膜厚变动大致结束了后到开始上述加热处理为止的待机时间与上述涂敷膜表面附近的每单位体积的水分量的积为大于等于规定值。

公开(公告)号：CN100342491C

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200510056980.8

申请日：2005-03-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤信一

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70341 ,  G03F7/2043 ,  G03F7/40 ,  H01L21/30

Abstract: 在浸液曝光中，一种抑制抗蚀图形缺陷的抗蚀图形形成方法包括：将其上形成有抗蚀膜的衬底(10)和其上形成有图形的标线片(32)放置(ST205)到曝光装置上；在抗蚀膜上供给第一化学溶液，以在抗蚀膜上的局部区域中选择性地形成第一液体膜，并排出所述溶液，所述第一液体膜具有液流(72b、72d、72e)并形成于抗蚀膜和投影光学系统(33)之间；通过第一液体膜将标线片(32)的图形转移(ST206)到抗蚀膜以形成潜像；在抗蚀膜上供给(ST208)第二化学溶液，以清洁抗蚀膜；加热(ST210)抗蚀膜；以及显影(ST211)抗蚀膜，以从抗蚀膜形成抗蚀图形。

公开(公告)号：CN100338731C

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200410058329.X

申请日：2004-08-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 竹石知之 ,  川野健二 ,  池上浩 ,  伊藤信一 ,  渡濑正美

IPC: H01L21/00 ,  B23K26/00

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L21/0275 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于：在被加工膜上形成了保护膜后再进行光加工的技术中，使保护膜的除去变得容易起来。其解决方法包括：在基板(101)上的Al膜(107)上形成水溶性的保护膜(109)的工序；照射加工光(110)，选择除去保护膜(109)和Al膜(107)的加工区域的工序，和借助于水溶解除去保护膜(109)的工序。