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公开(公告)号：CN104637877A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201410640037.0
申请日：2014-11-13
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L24/32 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2924/10156 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的实施方式涉及半导体芯片的制造方法、半导体芯片及半导体装置。实施方式的半导体芯片的制造方法包括：在半导体基板上形成分别包含保护膜的多个蚀刻掩膜，划分出所述半导体基板中的被所述多个蚀刻掩膜保护的多个第1区域和所述半导体基板中的作为露出的区域的第2区域；通过化学蚀刻处理将所述第2区域各向异性地除去，形成分别具有至少一部分位于与所述蚀刻掩膜的端面同一面内的侧壁和到达所述半导体基板的背面的底部的多个槽，由此，将所述半导体基板单片化成与所述多个第1区域对应的多个芯片主体。
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公开(公告)号：CN115810541A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202210257185.9
申请日：2022-03-16
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/306 , C09K13/08
Abstract: 本发明的实施方式涉及刻蚀方法。本发明提供能够减少使用了催化剂的刻蚀中的加工问题的刻蚀方法。根据实施方式，提供一种刻蚀方法，其为使刻蚀剂接触于形成包含贵金属的催化剂层且由半导体所形成的表面，对由半导体所形成的表面进行刻蚀的刻蚀方法。刻蚀剂包含氧化剂、腐蚀剂和含N的高分子添加剂。
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公开(公告)号：CN115116840A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202111002368.8
申请日：2021-08-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/306 , H01L21/308 , H01L49/02 , C23C18/16 , C23C18/42 , C25D5/02 , C25D7/12
Abstract: 本发明的实施方式涉及蚀刻方法。在使用催化剂的蚀刻中，不易产生加工不良。实施方式的蚀刻方法包括以下工序：在一个主面具有第1及第2区域的基板上形成第1层，所述第1层在覆盖上述第1区域的部分中设置有多个开口或规定多个岛状部的1个以上的开口，覆盖上述第2区域的部分为连续膜；通过镀覆法在上述主面中的在上述多个开口或上述1个以上的开口内露出的部分上形成包含贵金属的催化剂层；形成第2层，所述第2层将上述催化剂层中的与上述第1及第2区域间的边界邻接的部分覆盖，使上述催化剂层中的与上述边界间隔的部分露出；以及，在上述催化剂层及上述第2层的存在下，用包含氧化剂和氟化氢的蚀刻剂对上述基板进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN104637877B
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201410640037.0
申请日：2014-11-13
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L24/32 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2924/10156 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的实施方式涉及半导体芯片的制造方法、半导体芯片及半导体装置。实施方式的半导体芯片的制造方法包括：在半导体基板上形成分别包含保护膜的多个蚀刻掩膜，划分出所述半导体基板中的被所述多个蚀刻掩膜保护的多个第1区域和所述半导体基板中的作为露出的区域的第2区域；通过化学蚀刻处理将所述第2区域各向异性地除去，形成分别具有至少一部分位于与所述蚀刻掩膜的端面同一面内的侧壁和到达所述半导体基板的背面的底部的多个槽，由此，将所述半导体基板单片化成与所述多个第1区域对应的多个芯片主体。
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公开(公告)号：CN103928603A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410192631.8
申请日：2011-06-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/647 , H01L33/0079 , H01L33/44 , H01L33/505 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L33/642 , H01L2924/0002 , H01L2933/0041 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，半导体发光器件包括发光单元、第一和第二导电构件、绝缘层、密封构件和光学层。发光单元包括半导体堆叠体以及第一和第二电极。半导体堆叠体包括第一和第二半导体层以及发光层，并且具有在第二半导体层侧的主表面。第一和第二电极分别连接到主表面侧的第一和第二半导体层。第一导电构件连接到第一电极并且包括覆盖第二半导体层的一部分的第一柱状部分。绝缘层设置在第一柱状部分和第二半导体层的所述部分之间。密封构件覆盖导电构件的侧表面。光学层设置在其它主表面上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103928595A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410171281.7
申请日：2011-06-07
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/58
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/50 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L2224/16 , H01L2933/0058
Abstract: 根据一个实施例，一种光学半导体装置，包括发光层、透明层、第一金属柱、第二金属柱和密封层。发光层包括第一主表面、第二主表面、第一电极和第二电极。第二主表面是与第一主表面相对的表面，且第一电极和第二电极形成在第二主表面上。透明层设置在第一主表面上。第一金属柱设置在第一电极上。第二金属柱设置在第二电极上。密封层设置在第二主表面上。该密封层被配置为覆盖发光层的侧表面，并且密封第一金属柱和第二金属柱，而使第一金属柱的端部和第二金属柱的端部暴露在外。
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公开(公告)号：CN103715345A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201410026124.7
申请日：2011-06-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/50 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L2224/16 , H01L2933/0058
Abstract: 根据一个实施例，一种光学半导体装置，包括发光层、透明层、第一金属柱、第二金属柱和密封层。发光层包括第一主表面、第二主表面、第一电极和第二电极。第二主表面是与第一主表面相对的表面，且第一电极和第二电极形成在第二主表面上。透明层设置在第一主表面上。第一金属柱设置在第一电极上。第二金属柱设置在第二电极上。密封层设置在第二主表面上。该密封层被配置为覆盖发光层的侧表面，并且密封第一金属柱和第二金属柱，而使第一金属柱的端部和第二金属柱的端部暴露在外。
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公开(公告)号：CN103415937A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201180068665.0
申请日：2011-09-12
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/44 , H01L33/486 , H01L33/54 , H01L2924/0002 , H01L2933/0066 , H05K1/181 , H05K2201/10106 , H05K2201/10454 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例，发光器件(10)包括半导体层(15)、p侧电极(16)、n侧电极(17)、第一绝缘层(18)、p侧互连层(21)、n侧互连层(22)和第二绝缘层(25)。第二p侧互连层(21)的部分具有L形截面，其被配置成包括在第三表面(30)处从第一绝缘层(18)和第二绝缘层(25)暴露出的p侧外部端子(23a)，所述第三表面具有不同于第一表面和第二表面的平面取向。第二n侧互连层的部分具有L形截面，其被配置成包括在第三表面(30)处从第一绝缘层(18)和第二绝缘层(25)暴露出的n侧外部端子(24a)。
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公开(公告)号：CN103035826A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210433703.4
申请日：2012-09-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/56
CPC classification number: H01L33/56 , H01L27/15 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L33/508 , H01L33/54 , H01L2933/0041
Abstract: 本发明为半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，制备发出光的发光单元、包括荧光体并且被提供在发光单元的主表面上的波长变换单元、以及提供在波长变换单元的顶部上的透明树脂。透明树脂比波长变换单元具有大的弹性模量和/或高的肖氏硬度。
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公开(公告)号：CN102142464A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201110030782.X
申请日：2011-01-28
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/861 , H01L23/31 , H01L29/417 , H01L21/329 , H01L21/56
CPC classification number: H01L21/782 , H01L23/48 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及表面安装型二极管及其制造方法。二极管具备：具有相对置的第一及第二主面；负极，具有设在上述第一主面的表面上的第一内部电极部和设在上述第一内部电极部的表面上的第一外部电极部；正极，具备第二内部电极部和第二外部电极部，该第二内部电极部设在上述第二主面的表面，该第二外部电极部设在该第二内部电极部的表面且具有与上述负极的第一外部电极部相同的厚度；第一被覆部件，对上述第一内部电极部及上述第二内部电极部的任一方的内部电极部的外周面及上述二极管芯片的外周面进行覆盖；及第二被覆部件，对上述第一内部电极部及上述第二内部电极部中的另一方的上述内部电极部的外周面进行覆盖，具有与上述第一被覆部件不同的颜色。
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