公开(公告)号：CN1367407A

公开(公告)日：2002-09-04

申请号：CN01145768.6

申请日：2001-12-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 川野健二 ,  伊藤信一 ,  塩原英志 ,  河村大辅 ,  早崎圭

IPC: G03F7/16

CPC classification number: H01L21/6715 ,  B05C5/0254 ,  B05C11/08 ,  G03F7/168 ,  G03F7/3021 ,  G03F7/38 ,  G03F7/70358 ,  G03F7/70558 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115

Abstract: 具有光刻胶膜的被处理衬底的加热装置。该加热装置具有:具有内部空间的腔室、腔室内用于加热被处理衬底的加热板、及隔壁部件。加热板具有在腔室内支承被处理衬底的载置面。隔壁部件跟载置面对向地配置在腔室内。并且,隔壁部件将内部空间分隔成第1和第2空间,同时具有连通第1和第2空间的多个孔。加热板的载置面配置于第1空间内。第2空间配置有用于形成气体流的气体流形成机构,用该机构排出由光刻胶膜产生的蒸发物。

公开(公告)号：CN100382242C

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200510002715.1

申请日：2003-03-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤信一 ,  东木达彦 ,  奥村胜弥 ,  川野健二 ,  井上壮一

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/00 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/70625 ,  G03F7/70633 ,  G03F7/70641 ,  G03F7/70675 ,  H01J2237/30438

Abstract: 提供一种半导体器件的制造方法和半导体器件的制造装置。在半导体衬底主面上形成感光性膜把半导体衬底送到曝光装置；给上述感光性膜选择性曝光掩模上检查标记，在该感光性膜上形成检查标记的潜像；加热至少检查标记的潜像形成区的上述感光性膜，浮现第2检查标记的潜像；测量浮现的检查标记像；根据测量结果，变更选择性曝光时上述曝光装置的设定值，使其曝光条件为设计值；按照变更后的设定值，给上述感光性膜曝光上述感光性膜上掩模上器件图形，使该感光性膜形成器件图形的潜像；加热整个上述感光性膜；以及使上述感光性膜显影。

公开(公告)号：CN100338731C

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200410058329.X

申请日：2004-08-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 竹石知之 ,  川野健二 ,  池上浩 ,  伊藤信一 ,  渡濑正美

IPC: H01L21/00 ,  B23K26/00

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L21/0275 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于：在被加工膜上形成了保护膜后再进行光加工的技术中，使保护膜的除去变得容易起来。其解决方法包括：在基板(101)上的Al膜(107)上形成水溶性的保护膜(109)的工序；照射加工光(110)，选择除去保护膜(109)和Al膜(107)的加工区域的工序，和借助于水溶解除去保护膜(109)的工序。

公开(公告)号：CN1963994A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200610162952.9

申请日：2004-08-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 竹石知之 ,  川野健二 ,  池上浩 ,  伊藤信一 ,  渡濑正美

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/027 ,  G03F7/00 ,  B23K26/00 ,  B23K101/40

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L21/0275 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于：在被加工膜上形成了保护膜后再进行光加工的技术中，使保护膜的除去变得容易起来。其解决方法包括如下的工序：在被加工膜上形成用有机树脂构成的有机膜的工序；减小上述有机膜的内部应力的工序；向上述有机膜照射加工光，选择除去上述加工区域的上述有机膜的工序；以上述有机膜为掩模，刻蚀上述被加工膜的工序。

公开(公告)号：CN1702561A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN200510082468.0

申请日：2001-12-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 川野健二 ,  伊藤信一 ,  塩原英志 ,  河村大辅 ,  早崎圭

IPC: G03F7/26

Abstract: 为了提高涂布膜或光刻胶的均匀性，本发明提供了一种涂布膜加热装置和光刻胶的处理装置。本发明的涂布膜的加热装置具有内部空间的腔室；上述腔室内具有支撑被处理衬底的载置面并用于加热上述被处理衬底的加热板，所述被处理衬底具有涂布膜；以及对着上述载置面配置于上述腔室内的、用于吸附由上述被处理衬底产生的蒸发物的吸附板。

公开(公告)号：CN1581432A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN200410058329.X

申请日：2004-08-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 竹石知之 ,  川野健二 ,  池上浩 ,  伊藤信一 ,  渡濑正美

IPC: H01L21/00 ,  B23K26/00

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L21/0275 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于：在被加工膜上形成了保护膜后再进行光加工的技术中，使保护膜的除去变得容易起来。其解决方法包括：在基板(101)上的Al膜(107)上形成水溶性的保护膜(109)的工序；照射加工光(110)，选择除去保护膜(109)和Al膜(107)的加工区域的工序，和借助于水溶解除去保护膜(109)的工序。

公开(公告)号：CN1479172A

公开(公告)日：2004-03-03

申请号：CN03150313.6

申请日：2003-07-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 早崎圭 ,  伊藤信一 ,  竹石知之 ,  川野健二 ,  江间达彦

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26

CPC classification number: G03F7/40

Abstract: 一种图形形成方法，其特征在于：具备：在衬底上形成感光性树脂膜的工序；使上述感光性树脂膜曝光的工序；向上述感光性树脂膜上供给显影液，形成上述感光性树脂膜的图形的工序；采用使已活性化的水与上述图形接触的办法，进行除去上述图形的表层的细化处理的工序。

公开(公告)号：CN1294624C

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN03105143.X

申请日：2003-03-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤信一 ,  东木达彦 ,  奥村胜弥 ,  川野健二 ,  井上壮一

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/70625 ,  G03F7/70633 ,  G03F7/70641 ,  G03F7/70675 ,  H01J2237/30438

Abstract: 提供一种半导体器件的制造方法和半导体器件的制造装置。在半导体衬底主面上形成感光性膜把半导体衬底送到曝光装置；给上述感光性膜选择性曝光掩模上检查标记，在该感光性膜上形成检查标记的潜像；加热至少检查标记的潜像形成区的上述感光性膜，浮现第2检查标记的潜像；测量浮现的检查标记像；根据测量结果，变更选择性曝光时上述曝光装置的设定值，使其曝光条件为设计值；按照变更后的设定值，给上述感光性膜曝光上述感光性膜上掩模上器件图形，使该感光性膜形成器件图形的潜像；加热整个上述感光性膜；以及使上述感光性膜显影。

公开(公告)号：CN1877457A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200610094255.4

申请日：2003-05-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 竹石知之 ,  川野健二 ,  池上浩 ,  伊藤信一 ,  高桥理一郎

IPC: G03F9/00 ,  H01L21/00 ,  G03F7/20

Abstract: 一种进行选择性地除去在衬底上形成的加工膜的加工区域或进行减少膜厚的加工的加工方法，其特征在于包括：使在上述衬底上的照射形状比上述加工区域小的第1加工光，对上述衬底相对地扫描以选择性地进行上述加工区域的加工膜的加工的工序；和向比上述加工区域更往内侧的区域照射第2加工光，选择性地进行比上述加工区域更往内侧的区域的上述加工膜的加工的工序。

公开(公告)号：CN1276306C

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN03131416.3

申请日：2003-05-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 竹石知之 ,  川野健二 ,  池上浩 ,  伊藤信一 ,  高桥理一郎

IPC: G03F7/20 ,  G03F9/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L23/544 ,  B23K26/066 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K2103/172 ,  G03F7/2026 ,  G03F7/70341 ,  G03F9/7076 ,  G03F9/708 ,  G03F9/7084 ,  G21K5/10 ,  H01J2237/30438 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/949 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种进行选择性地除去在衬底上形成的加工膜的加工区域或进行减少膜厚的加工的加工方法，其特征在于包括：使在上述衬底上的照射形状比上述加工区域小的第1加工光，对上述衬底相对地扫描以选择性地进行上述加工区域的加工膜的加工的工序；和向比上述加工区域更往内侧的区域照射第2加工光，选择性地进行比上述加工区域更往内侧的区域的上述加工膜的加工的工序。