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公开(公告)号：CN101061634A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200680000322.X
申请日：2006-03-29
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 一种薄膜压电谐振器，包括：具有腔的基底；在该腔的上面延伸的第一电极；位于该第一电极上的压电膜；以及位于该压电膜上的第二电极。该第二电极的外周部分覆盖在该腔上，且被锥角化，以具有小于等于30度的内角，该内角由其外周的部分以及其底部来限定。
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公开(公告)号：CN101022271A
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200710005320.6
申请日：2007-02-14
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H03H9/131 , H03H9/13 , H03H9/173 , H03H9/174 , H03H9/568 , H03H9/605 , H03H2003/0428 , H03H2003/0471
Abstract: 提供一种薄膜压电谐振器，具有：支撑基板和设置在上述支撑基板上、一部分由上述支撑基板来支撑、另一部分与上述支撑基板相离的层叠体；其特征在于，上述层叠体具有：以铝为主要成分的第1电极，层叠在上述第1电极上、以氮化铝为主要成分的压电膜，层叠在上述压电膜上、以密度大于等于铝密度1.9倍的金属为主要成分的第2电极。
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公开(公告)号：CN1652458A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN200510006851.8
申请日：2005-01-28
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H03H9/15
CPC classification number: H03H9/02015 , H01H2057/006 , H01L41/0477 , H01L41/094 , H01L41/316 , H01L41/319 , H03H3/02 , H03H9/02094 , H03H9/173 , H03H9/174 , H03H9/175 , H03H9/542 , H03H9/582 , H03H9/605 , H03H2003/021 , H03H2003/023 , H03H2003/025 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49005 , Y10T29/49117 , Y10T29/49155
Abstract: 一种压电薄膜器件包括设置在衬底上的非晶态金属膜和设置在非晶态金属膜上的压电膜。压电膜的一个晶轴在垂直于非晶态金属的表面的方向上对齐。
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公开(公告)号：CN104916678A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201410305208.4
申请日：2014-06-30
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 安本恭章 , 梁濑直子 , 阿部和秀 , 内原士 , 齐藤泰伸 , 仲敏行 , 吉冈启 , 小野祐 , 大野哲也 , 藤本英俊 , 增子真吾 , 古川大 , 八木恭成 , 汤元美树 , 饭田敦子 , 村上友佳子 , 罇贵子
IPC: H01L29/778 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/408 , H01L29/2003 , H01L29/423 , H01L29/7786
Abstract: 本发明提供抑制电气特性的变动的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：GaN系半导体层；设置在GaN系半导体层上的源极；设置在GaN系半导体层上的漏极；在源极与漏极之间的、设置在GaN系半导体层上的栅极；以及在栅极与漏极之间与GaN系半导体层接触地设置的第1导电层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100527615C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200510067261.6
申请日：2005-04-20
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 提供一种薄膜压电谐振器及其制造方法，电气机械耦合系数kt2和Q值同时增大，并且下部电极的膜厚控制容易。薄膜压电谐振器包括：基板(11)；下部电极(14)，面对该基板(11)一部分为空心状态并被机械地保持；压电体(15)，配置在下部电极(14)上，以使其在平面图形上，在自身占有的区域的内部包含所有下部电极(14)；上部电极(16)，在该压电体(15)上；中继电极(13)，在基板(11)和压电体(15)之间，在平面图形上，位于压电体(15)的占有区域的边界，并且在占有区域的内部与下部电极(14)连接；以及下部电极布线(17)，从占有区域的边界延长到外部，连接到中继电极(13)。
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公开(公告)号：CN100492692C
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200510008265.7
申请日：2005-02-07
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L41/08
CPC classification number: H01G7/06 , H01H2057/006 , H01L41/0933 , H01L41/094
Abstract: 本发明公开一种薄膜压电致动器，包括一个驱动部分，至少其一端被一个锚部件支撑，所述驱动部分包括：压电薄膜；在所述压电薄膜的第一区域下面设置的第一下电极；在所述压电薄膜的不同于第一区域的第二区域下面设置的第二下电极；在所述压电薄膜上与所述第一下电极相对设置的第一上电极；在所述压电薄膜上与所述第二下电极相对设置的第二上电极；通过在所述压电薄膜上形成的第一通孔电连接所述第一下电极和所述第二上电极的第一连接部件；以及通过在所述压电薄膜上形成的第二通孔电连接所述第二下电极和所述第一上电极的第二连接部件。
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公开(公告)号：CN101091311A
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200680001608.X
申请日：2006-03-08
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H03H9/17
CPC classification number: H03H9/174 , H03H9/02125 , H03H9/132 , H03H9/588 , H03H9/605
Abstract: 一种薄膜压电谐振器，包括：在基板(10)的主面上设置的下电极(11)，用以覆盖空腔(14)；在下电极(11)上设置的压电膜(12)，位于空腔(14)上方；以及上电极(13)。上电极(13)具有：与空腔(14)的一部分重叠的主体部分(13a)，连接到主体部分(13a)的一侧的突起部分(13b)，在主体部分(13a)的相对侧设置的连接部分(13c)以及连接到连接部分(13c)的扩展部分(13d)。突起部分(13b)的长度与连接部分(13c)的长度基本上相同，从而使得相对于空腔(14)位置的移动，空腔区域外部的上电极(13)和下电极(11)的重叠面积不变。结果，在空腔(14)外部相互面对的上(13)下(11)电极中的寄生电容的总和不随空腔(14)位置的移动而变化。
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公开(公告)号：CN1874147A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610065357.3
申请日：2006-03-23
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H03H3/02 , H03H9/02125 , H03H9/02157 , H03H9/564 , H03H9/568 , H03H2003/023 , H03H2003/025
Abstract: 一种薄膜压电共振器包括衬底以及第一和第二激发部分。所述衬底包括第一和第二腔。所述第一激发部分设置在所述第一腔上，并包括依次层压的第一电极、第一压电材料以及第二电极。在所述第一电极、所述第一压电材料以及所述第二电极间的交叠区域限定所述第一激发部分的周边的轮廓。第一距离定义为从所述第一激发部分的端部到所述第一腔的开口端部的距离。所述第二激发部分设置在所述第二腔上，并包括依次层压的第三电极、第二压电材料以及第四电极。第二距离定义为从所述第二激发部分的端部到所述第二腔的开口端部的距离，并与所述第一距离不同。
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公开(公告)号：CN1655373A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN200510008265.7
申请日：2005-02-07
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L41/08
CPC classification number: H01G7/06 , H01H2057/006 , H01L41/0933 , H01L41/094
Abstract: 本发明公开一种薄膜压电致动器，包括一个驱动部分，至少其一端被一个锚部件支撑，所述驱动部分包括：压电薄膜；在所述压电薄膜的第一区域下面设置的第一下电极；在所述压电薄膜的不同于第一区域的第二区域下面设置的第二下电极；在所述压电薄膜上与所述第一下电极相对设置的第一上电极；在所述压电薄膜上与所述第二下电极相对设置的第二上电极；通过在所述压电薄膜上形成的第一通孔电连接所述第一下电极和所述第二上电极的第一连接部件；以及通过在所述压电薄膜上形成的第二通孔电连接所述第二下电极和所述第一上电极的第二连接部件。
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