公开(公告)号：CN101563758A

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200780046899.9

申请日：2007-12-08

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 耶兹迪·多尔迪 ,  约翰·博伊德 ,  弗里茨·雷德克 ,  威廉·蒂 ,  蒂鲁吉拉伯利·阿鲁娜 ,  衡石·亚历山大·尹

IPC: H01L21/28

CPC classification number: C23C8/02 ,  C23C8/80 ,  C23C10/02 ,  C23C10/60 ,  C23C16/54 ,  C23C16/56 ,  C23C18/1601 ,  C23C18/1632 ,  C23C18/54 ,  C23C26/00 ,  C23C28/023 ,  C23C28/322 ,  C23C28/34 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76861 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76873

Abstract: 本发明有关于制造半导体器件的方法和系统。本发明的一个方面是在阻障层上沉积填充铜层以进行半导体器件金属化的方法。在一个实施方式中，该方法包含在基板的表面形成该阻障层并对该阻障层施加工艺条件以在该阻障层上形成可除去的钝化表面。该方法进一步包含从该阻障层上除去该钝化表面以及在该阻障层上沉积该填隙铜层。本发明的另一个方面是在阻障层上沉积填充铜层以进行半导体器件金属化的集成系统。在一个实施方式中，该集成系统包含至少一个工艺模块，被配置为阻障层沉积和钝化表面形成以及至少另一个工艺模块，被配置为除去钝化表面和在该阻障层上沉积铜。该系统进一步包含至少一个耦合的以便该基板能够在该模块之间传送而大体上不暴露于含氧环境。

公开(公告)号：CN102959687B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201180032031.X

申请日：2011-07-01

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 阿尔图尔·科利奇 ,  弗里茨·雷德克

IPC: H01L21/288

CPC classification number: H05K1/09 ,  C23C18/1607 ,  C23C18/1662 ,  C23C18/1834 ,  C23C18/1844 ,  C23C18/31 ,  C23C18/40 ,  C23C18/50 ,  C23C18/52 ,  C25D3/12 ,  C25D3/20 ,  C25D3/22 ,  C25D3/30 ,  C25D3/38 ,  C25D3/46 ,  C25D3/48 ,  C25D3/50 ,  C25D3/54 ,  C25D3/562 ,  C25D5/02 ,  C25D7/123 ,  C25D15/00 ,  H01L21/288 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的一方面提供处理基底的方法。在一实施方式中，所述方法包括通过以下方式在所述基底上或内部形成导电体：提供包含金属颗粒和无电沉积溶液的混合物，和无电沉积金属基体以及共沉积所述金属颗粒。在另一实施方式中，所述方法包括通过以下方式在所述基底上或内部形成导电体：提供包含金属颗粒和电化学镀溶液的混合物，和电化学镀金属基体以及共沉积所述金属颗粒。本发明的另一方面提供用于在基底上或内部形成导电体的混合物。本发明的另一方面提供一种电子器件。

公开(公告)号：CN102959687A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201180032031.X

申请日：2011-07-01

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 阿尔图尔·科利奇 ,  弗里茨·雷德克

IPC: H01L21/288

CPC classification number: H05K1/09 ,  C23C18/1607 ,  C23C18/1662 ,  C23C18/1834 ,  C23C18/1844 ,  C23C18/31 ,  C23C18/40 ,  C23C18/50 ,  C23C18/52 ,  C25D3/12 ,  C25D3/20 ,  C25D3/22 ,  C25D3/30 ,  C25D3/38 ,  C25D3/46 ,  C25D3/48 ,  C25D3/50 ,  C25D3/54 ,  C25D3/562 ,  C25D5/02 ,  C25D7/123 ,  C25D15/00 ,  H01L21/288 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的一方面提供处理基底的方法。在一实施方式中，所述方法包括通过以下方式在所述基底上或内部形成导电体：提供包含金属颗粒和无电沉积溶液的混合物，和无电沉积金属基体以及共沉积所述金属颗粒。在另一实施方式中，所述方法包括通过以下方式在所述基底上或内部形成导电体：提供包含金属颗粒和电化学镀溶液的混合物，和电化学镀金属基体以及共沉积所述金属颗粒。本发明的另一方面提供用于在基底上或内部形成导电体的混合物。本发明的另一方面提供一种电子器件。

公开(公告)号：CN101568990B

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN200780047579.5

申请日：2007-12-20

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 李时健 ,  弗里茨·雷德克 ,  耶兹迪·多尔迪

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/687

CPC classification number: H01L21/70 ,  C23C16/045 ,  C23C16/4586 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/677 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68714 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  Y10T24/44 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及用于制造三维集成电路的方法、装置和系统。该方法的一个实施方式包含提供具有多个透孔的晶片或其它基板。而且，该方法包括使用设置于工艺室内的晶片或其它基板夹具支撑该晶片或其它基板。该方法进一步包括当该晶片或其它基板被支撑于该晶片或其它基板夹具上时，在该晶片或其它基板的正面和该晶片或其它基板的背面之间产生压力差，以便该压力差使得流体通过该透孔流动。而且，该方法包括在该工艺室中为制造集成电路的至少一个工艺创建工艺条件。还提出了依照本发明的系统的实施方式和装置的实施方式。

公开(公告)号：CN101595550B

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN200780040881.8

申请日：2007-10-18

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 衡石·亚历山大·尹 ,  弗里茨·雷德克

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/36

CPC classification number: H01L21/28562 ,  C23C16/029 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45529 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/318 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846

Abstract: 本发明的各种实施方式提供了改进的工艺和系统，该工艺和系统生产具有随着薄膜厚度的增加而减少的氮浓度的阻障层。具有随着薄膜厚度的增加而减少的氮浓度的阻障层使得具有高氮浓度的阻障层末端与电介质层有良好的粘着性，且具有低氮浓度(或富含金属)的阻障层末端与铜有良好的粘着性。提供一种在互连结构上沉积阻障层的方法。该方法包括(a)提供原子层沉积环境，(b)在该原子层沉积环境中，在第一相位沉积期间，在该互连结构上沉积具有第一氮浓度的阻障层。该方法还包括(c)在该原子层沉积环境中，在第二相位沉积期间，继续在该互连结构上沉积具有第二氮浓度的阻障层。

公开(公告)号：CN101563763B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN200780046889.5

申请日：2007-12-08

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 弗里茨·雷德克 ,  约翰·博伊德 ,  耶兹迪·多尔迪 ,  衡石·亚历山大·尹 ,  李时健

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/40

CPC classification number: C25D7/123 ,  C23C18/1653 ,  C23C28/023 ,  C23C28/322 ,  C23C28/34 ,  C23C28/341 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L23/53238 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体器件布线的方法和系统。本发明的一方面是将铜层沉积到阻挡层上以便在其间产生基本上不含氧的分界面的方法。在一个实施例中，该方法包括提供基本上没有氧化物的阻挡层表面。该方法还包括在该没有氧化物的阻挡层表面上沉积一定量的原子层沉积(ALD)铜，其有效防止该阻挡层的氧化。该方法进一步包括在该ALD铜上方沉积填隙铜层。本发明的另一方面是将铜层沉积到阻挡层上以便在其间产生基本上不含氧的分界面的系统。在一个实施例中，该集成系统包括至少一个阻挡层沉积模块。该系统还包括ALD铜沉积模块，配置为通过原子层沉积来沉积铜。该系统进一步包括铜填隙模块和至少一个连接至该至少一个阻挡层沉积模块和该ALD铜沉积模块的传送模块。该传送模块配置为该基片可在这些该模块传递而基本上不暴露于氧化物形成环境。

公开(公告)号：CN101617394A

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200780051761.8

申请日：2007-12-12

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 尼古拉斯·布莱特 ,  大卫·赫姆克 ,  弗里茨·雷德克 ,  耶兹迪·多尔迪

IPC: H01L21/4763 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L21/76822 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76849 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了后端线程(BEoL)互连结构及其制造方法。该结构的特征在于较窄的导电线和减小的总介电常数值。使用共形扩散阻挡层和选择性地形成的覆盖层来将互连结构中的导电线和过孔与周围的介电层隔离。本发明的方法采用缩窄光刻胶掩模中的开口的技术来形成较窄的过孔。更窄的开口增加过孔与导电线之间所能容许的不对准量。

公开(公告)号：CN102971840B

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201180032025.4

申请日：2011-06-30

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 阿尔图尔·科利奇 ,  威廉·T·李 ,  弗里茨·雷德克

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/04 ,  H01L21/76849 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05657 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种制备电子器件的方法，在一种实施方式中该方法包括：提供衬底，在衬底的至少一部分上无电沉积阻挡金属，并使用如无电沉积等湿法化学过程以在该阻挡金属上沉积具有焊料浸润性的基本不含金的浸润层。一种电子器件，在一种实施方式中，该电子器件包括金属化叠层。该金属化叠层包括无电沉积的阻挡金属以及沉积在该阻挡金属层上的基本不含金的浸润层，并且该浸润层对焊料是可浸润的。

公开(公告)号：CN102971840A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201180032025.4

申请日：2011-06-30

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 阿尔图尔·科利奇 ,  威廉·T·李 ,  弗里茨·雷德克

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/04 ,  H01L21/76849 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05657 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种制备电子器件的方法，在一种实施方式中该方法包括：提供衬底，在衬底的至少一部分上无电沉积阻挡金属，并使用如无电沉积等湿法化学过程以在该阻挡金属上沉积具有焊料浸润性的基本不含金的浸润层。一种电子器件，在一种实施方式中，该电子器件包括金属化叠层。该金属化叠层包括无电沉积的阻挡金属以及沉积在该阻挡金属层上的基本不含金的浸润层，并且该浸润层对焊料是可浸润的。

公开(公告)号：CN102131911B

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN200980134112.3

申请日：2009-09-03

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 阿尔图尔·科利奇 ,  弗里茨·雷德克

IPC: C11D7/32

CPC classification number: H01L21/02057 ,  C09K13/00 ,  C11D3/0073 ,  C11D3/0084 ,  C11D7/16 ,  C11D7/261 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/34 ,  C11D11/0047

Abstract: 本发明的一个实施方案提供了一种清洁溶液，所述清洁溶液包含腐蚀抑制剂、增溶剂、除氧剂和同时能作为pH调节剂的络合剂。本发明的另一实施方案包括包含pH调节剂、任选络合剂和腐蚀抑制剂的清洁溶液。所述清洁溶液可任选存在增溶剂，可任选存在表面活性剂和可任选存在电介质蚀刻剂。