公开(公告)号：CN101405876A

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200780009786.1

申请日：2007-03-23

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 三木久幸 ,  酒井浩光

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L33/02 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/025 ,  H01L33/04 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供驱动电压低、且发光效率优越的双面电极型的III族氮化物半导体发光元件。这样的III族氮化物半导体发光元件是，其半导体叠层结构至少具备杂质层30和III族氮化物半导体层2，所述杂质层30含有高浓度层3b和低浓度层3a，所述高浓度层3b由含有高浓度杂质原子的III族氮化物半导体形成，所述低浓度层3a由含有比高浓度层3b浓度低的杂质原子的III族氮化物半导体形成，低浓度层3a与高浓度层3b依次在III族氮化物半导体层2上连续形成。

公开(公告)号：CN101258615A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200680032456.X

申请日：2006-09-05

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 篠原裕直 ,  三木久幸 ,  村木典孝

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/025 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种氮化镓基化合物半导体发光器件，其具有优良的光输出效率，且仅仅需要很低的驱动电压(Vf)。本发明的氮化镓基化合物半导体发光器件包括在衬底上由氮化镓基化合物半导体形成和依次层叠的n型半导体层、发光层和p型半导体层，并且正电极和负电极被设置为分别与所述p型半导体层和所述n型半导体层接触，其中，p型杂质和氢原子共存于其中的区域存在于与所述正电极接触的所述p型半导体层中，并且所述正电极的至少与所述p型半导体层接触的部分由n型导电透光材料形成。

公开(公告)号：CN100338733C

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN03805078.1

申请日：2003-02-14

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 三木久幸 ,  樱井哲朗 ,  奥山峰夫

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  C30B29/38

Abstract: 一种制造Ⅲ族氮化物半导体晶体的方法，包括以0至1，000的Ⅴ/Ⅲ比提供Ⅲ族原材料和Ⅴ族原材料以在热衬底上形成并生长Ⅲ族氮化物半导体的第一步骤，以及使用Ⅲ族原材料和氮原材料在衬底上气相生长Ⅲ族氮化物半导体晶体的第二步骤。

公开(公告)号：CN101925979B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN200880125692.5

申请日：2008-11-21

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 横山泰典 ,  三木久幸

IPC: H01L21/203 ,  C30B25/06 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B23/02 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30111 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的III族氮化物半导体的制造方法具有如下溅射工序：在配置有基板及含有Ga元素的靶材的腔室内，通过反应性溅射法在前述基板上形成单晶的III族氮化物半导体，所述溅射工序具有：第1溅射工序，使所述基板的温度为温度T1，进行前述III族氮化物半导体的成膜；第2溅射工序，将所述基板的温度降温至比前述温度T1低的温度T2，继续进行前述III族氮化物半导体的成膜。

公开(公告)号：CN101573804B

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN200780047412.9

申请日：2007-12-20

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 三木久幸

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明的目的是提供发光输出功率高、且驱动电压低的氮化镓系化合物半导体发光元件。本发明的氮化镓系化合物半导体发光元件，在基板上依次具有由氮化镓系化合物半导体形成的n型半导体层、发光层和p型半导体层，在该n型半导体层和该p型半导体层上分别设置负极和正极，该正极由具有导电性和透光性的氧化物材料形成，该发光元件的特征在于，在该p型半导体层与该正极之间存在含有具有Ga-O键和/或N-O键的化合物的层。

公开(公告)号：CN101796157A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN200880105260.8

申请日：2008-09-01

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  独立行政法人物质·材料研究机构

Inventor： 盐井恒介 ,  广崎尚登 ,  三木久幸

IPC: C09K11/64 ,  C09K11/08 ,  H01L33/00

CPC classification number: C09K11/592 ,  C09K11/0883 ,  C09K11/7734 ,  H01L24/45 ,  H01L33/502 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种荧光体，具有通式M(0)aM(1)bM(2)x-(vm+n)M(3)(vm+n)-yOnNz-n所示组成的荧光材料，其特征在于，M(0)元素选自Li、Na、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La、Gd、Lu，M(1)元素选自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb，M(2)元素选自Si、Ge、Sn、Ti、Hf、Zr，M(3)元素选自Be、B、Al、Ga、In、Tl、Zn，O元素是氧，N元素是氮，并且满足下面所有条件：33≤x≤51、8≤y≤12、36≤z≤56，3≤a+b≤7、0.001≤b≤1.2，当设定me＝a+b时，0.8·me≤m≤1.2·me、0≤n≤7，v＝{a·v(0)+b·v(1)}/(a+b)。进而本发明还涉及该荧光体的制造方法和使用该荧光体而成的发光装置。

公开(公告)号：CN101268562B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200680034699.7

申请日：2006-09-20

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 织地学 ,  龟井宏二 ,  三木久幸 ,  松濑朗浩

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L27/153 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/025 ,  H01L33/24 ,  H01L33/38

Abstract: 本发明旨在提高III族氮化物半导体发光器件的光提取效率。本发明的III族氮化物半导体发光器件包括：衬底；以及层叠在所述衬底上的包括发光层的III族氮化物半导体层，其中所述III族氮化物半导体层的侧面相对于所述衬底的主表面的法线倾斜。

公开(公告)号：CN101689592A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880022134.6

申请日：2008-07-03

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 加治亘章 ,  三木久幸

IPC: H01L33/00 ,  C23C14/06 ,  C23C16/34 ,  H01L21/203 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L21/02658 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/007 ,  H01L33/025 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/181 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/173 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供在基板上设置有取向特性良好的中间层、且在该中间层上具有结晶性良好的III族氮化物半导体的具有优异的发光特性和生产率的III族氮化物半导体发光元件及其制造方法以及灯。该III族氮化物半导体发光元件，是在基板(11)上至少层叠有由III族氮化物化合物形成的中间层(12)、且在该中间层12上依次层叠具有基底层(14a)的n型半导体层(14)、发光层(15)和p型半导体层(16)而成的III族氮化物半导体发光元件，在中间层(12)的结晶组织中，含有采用峰分离方法将中间层(12)的X射线摇摆曲线分离成半值宽为720弧度秒以上的宽成分、和窄成分的情况下的与宽成分对应的无取向成分，中间层(12)的结晶组织中的无取向成分的比例以中间层(12)的面积比计为30％以下。

公开(公告)号：CN100547814C

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200580030870.2

申请日：2005-09-13

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 武田仁志 ,  三木久幸

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L29/155 ,  B82Y20/00 ,  H01L24/73 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/02 ,  H01L33/025 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/73265 ,  H01S5/34333 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的一个目的为提供一种在最上表面中产生很少龟裂和凹坑的具有优良平坦度的低电阻n型III族氮化物半导体叠层结构。本发明的n型III族氮化物半导体叠层结构包括第一n型层和第二n型层，所述第一n型层包括含有高浓度n型杂质原子的层和含有低浓度n型杂质原子的层，所述第二n型层含有平均浓度低于所述第一n型层的n型杂质原子的平均浓度的n型杂质原子，所述第二n型层邻近所述第一n型层中的所述含有低浓度n型杂质原子的层。

公开(公告)号：CN101522942A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780036234.X

申请日：2007-09-13

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 三木久幸 ,  塙健三 ,  佐佐木保正

IPC: C23C16/34 ,  C23C14/06 ,  C30B29/38 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种可稳定地在基板上成膜出由结晶性良好的III族氮化物化合物半导体形成的多层膜结构的方法。多层膜结构从基板侧起至少包含缓冲层和基底层，采用溅射法成膜出缓冲层和基底层。使缓冲层的成膜温度低于基底层的成膜温度，或使缓冲层的膜厚为5nm～500nm。进而，多层膜结构从基板侧起至少包含基底层和发光层，包括采用溅射法成膜出基底层，并且，采用金属有机化学气相淀积(MOCVD)法成膜出发光层的工序。