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公开(公告)号：CN111288247A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201911251108.7
申请日：2019-12-09
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文所述的实施方式涉及用于工艺腔室中的机械隔离和热绝缘的装置和技术。在一个实施方式中，绝缘层被设置在圆顶组件和气体环之间。绝缘层被配置以维持圆顶组件的温度并且防止从圆顶组件到气体环的热能传递。绝缘层提供圆顶组件与气体环的机械隔离。绝缘层还在圆顶组件和气体环之间提供热绝缘。绝缘层可由含聚酰亚胺的材料制成，所述材料大幅地降低绝缘层变形的发生。
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公开(公告)号：CN117293018A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311074164.4
申请日：2018-05-24
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/3213 , H01L21/311 , H01L21/3205 , H01L21/3105 , H01L21/033
Abstract: 在一个实现方式中，提供了一种在处理腔室中的衬底上形成非晶硅层的方法。所述方法包括在衬底上沉积预定厚度的牺牲介电层。所述方法还包括通过去除所述牺牲介电层的部分以暴露所述衬底的上表面来在所述衬底上形成图案化特征。所述方法还包括对所述图案化特征执行等离子体处理。所述方法还包括在所述图案化特征和所述衬底的所述暴露上表面上沉积非晶硅层。所述方法还包括使用各向异性蚀刻工艺从所述图案化特征的上表面和所述衬底的所述上表面选择性去除所述非晶硅层，以提供填充在由所述非晶硅层形成的侧壁间隔件内的所述图案化特征。
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公开(公告)号：CN110494950A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201880024110.8
申请日：2018-03-29
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开的实现方式涉及一种处理系统。在一个实现方式中，所述处理系统包括：盖；气体分配板，所述气体分配板设置在所述盖下方，所述气体分配板具有跨所述气体分配板的直径布置的通孔；基座，所述基座设置在所述气体分配板下方，所述基座和所述气体分配板在所述基座和所述气体分配板之间限定了等离子体激发区域；第一RPS单元，所述第一RPS单元具有耦接到设置在所述盖处的第一气体入口的第一气体出口，所述第一气体出口与所述等离子体激发区域流体连通；以及第二RPS单元，所述第二RPS单元具有耦接到设置在所述盖处的第二气体入口的第二气体出口，其中所述第二气体出口与所述等离子体激发区域流体连通，并且所述第二RPS单元具有设置在所述第二气体出口与所述第二气体入口之间的离子过滤器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110709967B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN201880036516.8
申请日：2018-05-24
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3205 , H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/311 , H01L21/02
Abstract: 在一个实现方式中，提供了一种在处理腔室中的衬底上形成非晶硅层的方法。所述方法包括在衬底上沉积预定厚度的牺牲介电层。所述方法还包括通过去除所述牺牲介电层的部分以暴露所述衬底的上表面来在所述衬底上形成图案化特征。所述方法还包括对所述图案化特征执行等离子体处理。所述方法还包括在所述图案化特征和所述衬底的所述暴露上表面上沉积非晶硅层。所述方法还包括使用各向异性蚀刻工艺从所述图案化特征的上表面和所述衬底的所述上表面选择性去除所述非晶硅层，以提供填充在由所述非晶硅层形成的侧壁间隔件内的所述图案化特征。
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公开(公告)号：CN108998776A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810576218.X
申请日：2018-06-06
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/513
CPC classification number: H01J37/32449 , C23C16/401 , C23C16/4401 , C23C16/45512 , C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/50 , C23C16/5096 , C23C16/52 , H01J37/32522 , H01J2237/3321 , H01J2237/3323 , C23C16/513 , C23C16/45561
Abstract: 本公开涉及通过独立控制TEOS流量的沉积径向和边缘轮廓可维持性。本公开披露了用于处理基板的串联处理系统。至少一个处理腔室包括穿孔盖、设置在穿孔盖上的气体阻滞器以及设置在穿孔盖下方的基板支撑件。气体阻滞器包括：气体歧管、在气体歧管中形成的中心气体通道、设置在气体歧管下方的第一气体分配板、在气体歧管中形成的第一和第二气体通道、设置在第一气体分配板下方的第二气体分配板、设置在第二气体分配板下方的第三气体分配板、以及设置在第二气体分配板和第三气体分配板之间的多个直通通道。第二气体分配板包括穿过第二气体分配板的底部而形成的多个通孔、与中心气体通道流体连通的中心开口以及在第二气体分配板的顶表面中形成的凹陷区域。
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公开(公告)号：CN107710378A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201680034055.1
申请日：2016-04-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本文描述的实现方式提供一种基板支撑组件，该基板支撑组件实现等离子体腔室内的等离子体调谐。在一个实施例中，提供一种用于在腔室中调谐等离子体的方法。该方法包含以下步骤：向基板支撑组件中的第一电极提供第一射频功率及直流功率；向第二电极提供第二射频功率，该第二电极在该基板支撑组件中与第一电极不同的位置处；监测该第一和第二射频功率的参数；及基于所监测的参数，调整该第一和第二射频功率中的一者或两者。
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