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公开(公告)号：CN102245540A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200980145269.6
申请日：2009-11-12
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C04B41/86 , C03C8/00 , C03C2214/20 , C04B41/009 , C04B41/5023 , H01J37/32477 , C04B41/4539 , C04B41/5055 , C04B35/10 , C04B35/00 , C04B35/14 , C04B35/565 , C04B35/584 , C04B35/581
Abstract: 本发明的实施方式涉及含金属氧氟化物的釉料或含金属氟化物的釉料组合物、玻璃陶瓷组合物及其组合，其可用作抗等离子体固体基板或在其它基板上的抗等离子体保护涂层。本发明还描述制造各种结构的方法，所述方法包括掺入上述组合物，所述结构包括固体基板及在基板表面上的涂层，所述基板具有高于约1600℃的熔点，诸如为铝氧化物、铝氮化物、石英、硅碳化物、硅氮化物。
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公开(公告)号：CN102084020A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200980106482.6
申请日：2009-02-13
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C23C4/11 , Y10T428/24355 , Y10T428/24997
Abstract: 在高腐蚀性等离子体环境中进行半导体元件处理，常会出现微粒产生的问题。当上述等离子体为还原等离子体时，此问题更显严重。实验资料显示，在形成一种等离子体喷涂的含钇陶瓷(如氧化钇、Y2O3-ZrO2固溶体、YAG及YF3)时，当用于喷涂陶瓷的粉体进料的平均有效粒径范围介于约22μm至约0.1μm时，可提供一种低孔隙率的涂层，其具有平滑且紧实的表面。这些经喷涂的材料可降低在腐蚀性还原等离子体环境中的微粒产生。
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公开(公告)号：CN109072427B
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN201780019944.5
申请日：2017-02-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/458
Abstract: 于此公开的实施例一般相关于用于在处理腔室中高温处理基板的腔室衬垫。处理腔室利用惰性底部净化流来屏蔽基板支撑件以免于卤素反应物的影响，使得基板支撑件可被加热至高于约摄氏650度的温度。腔室衬垫控制流轮廓，使得沉积期间，底部净化流限制反应物及副产物在基板支撑件下方沉积。在清洁处理期间，底部净化流限制卤素反应物接触基板支撑件。因而，腔室衬垫包含锥状内表面，该锥状内表面具有向内的角度以引导净化气体环绕基板支撑件的边缘并减少在基板支撑件下方及边缘上的沉积。
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公开(公告)号：CN105225998B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201510358900.8
申请日：2015-06-25
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿卜杜·A·哈贾 , 段仁官 , A·库马尔 , 周建华 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本文描述的实施方式保护基板支撑件免受在高温下使用的腐蚀性清洁气体的腐蚀。在一个实施方式中，基板支撑件具有心轴和加热器。所述加热器具有主体。所述主体具有顶表面、侧面和底表面。所述顶表面是配置用于在基板的等离子体处理期间支持基板。提供遮罩以用于所述顶表面、侧面和底表面中的至少两者。所述遮罩是被选择用于抵抗在超过约400摄氏度的温度下对所述主体的腐蚀。
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公开(公告)号：CN109072427A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780019944.5
申请日：2017-02-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/458
Abstract: 于此公开的实施例一般相关于用于在处理腔室中高温处理基板的腔室衬垫。处理腔室利用惰性底部净化流来屏蔽基板支撑件以免于卤素反应物的影响，使得基板支撑件可被加热至高于约摄氏650度的温度。腔室衬垫控制流轮廓，使得沉积期间，底部净化流限制反应物及副产物在基板支撑件下方沉积。在清洁处理期间，底部净化流限制卤素反应物接触基板支撑件。因而，腔室衬垫包含锥状内表面，该锥状内表面具有向内的角度以引导净化气体环绕基板支撑件的边缘并减少在基板支撑件下方及边缘上的沉积。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107464774A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710413475.7
申请日：2017-06-05
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 林兴 , A·A·哈贾 , E·P·哈蒙德四世 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , C·A·拉玛林格姆 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , 段仁官 , 周建华 , J·J·斯特拉列
IPC: H01L21/683 , C04B35/581 , C04B35/622
CPC classification number: H01L21/6833 , H01L21/67103 , H01L21/6831 , C04B35/581 , C04B35/622 , C04B2235/3222 , C04B2235/3225 , C04B2235/656 , C04B2235/80 , H01L2221/683
Abstract: 本公开涉及具有用于实现最佳薄膜沉积或蚀刻工艺的性质的静电卡盘。公开一种受热支撑组件，所述受热支撑组件包括：主体，所述主体包含氧化镁掺杂的氮化铝，具有在约600摄氏度下约1×1010Ω-cm的体积电阻率；电极，所述电极嵌入在所述主体中；以及加热器网，所述加热器网嵌入在所述主体中。
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公开(公告)号：CN102084020B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN200980106482.6
申请日：2009-02-13
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C23C4/11 , Y10T428/24355 , Y10T428/24997
Abstract: 在高腐蚀性等离子体环境中进行半导体元件处理，常会出现微粒产生的问题。当上述等离子体为还原等离子体时，此问题更显严重。实验资料显示，在形成一种等离子体喷涂的含钇陶瓷(如氧化钇、Y2O3-ZrO2固溶体、YAG及YF3)时，当用于喷涂陶瓷的粉体进料的平均有效粒径范围介于约22μm至约0.1μm时，可提供一种低孔隙率的涂层，其具有平滑且紧实的表面。这些经喷涂的材料可降低在腐蚀性还原等离子体环境中的微粒产生。
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公开(公告)号：CN103497457A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310432769.6
申请日：2009-12-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: C08L27/12 , C08L79/08 , C08L71/10 , C08L83/04 , C08L33/00 , C08K3/22 , C08K3/16 , C08K3/28 , C08K3/34
CPC classification number: C09K3/10 , Y10T428/2857
Abstract: 一种用于蚀刻腔室部件的填充聚合物组成。本发明揭示了一种具有改良抗等离子体性的填充聚合物组成。该组成包括分散于聚合物基质的粒子填充料。该粒子填充料可为五氧化二铌（Nb2O3）、三氟化钇（YF3）、氮化铝（AlN）、碳化硅（SiC）或四氮化三硅（Si3N4）及稀土族元素氧化物（rare earth oxide）。在实施例中，利用该组成作为用于静电夹头的接合粘合剂，用于喷头的接合粘合剂，用于衬垫的接合粘合剂、密封材料、O形环、或塑料部件。
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公开(公告)号：CN102770945A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201180006807.0
申请日：2011-01-25
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/316 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/3244 , C23C4/02 , C23C4/11 , C23C4/18
Abstract: 在此描述的是根据实施例的示范性方法及设备，该方法及设备用于制造气体分配喷洒头组件。在实施例中，方法包括提供气体分配板，该气体分配板具有第一组通孔，第一组通孔用于将处理气体输送进入半导体处理腔室。第一组通孔位于板(例如铝基板)的背侧上。该方法包括将涂覆材料(例如氧化钇系材料)喷涂(例如等离子体喷涂)至气体分配板的已清洁表面上。该方法包括由该表面移除(例如表面研磨)涂覆材料的一部分，以减少涂覆材料的厚度。该方法包括在涂覆材料中形成(例如UV激光钻孔、机械加工)第二组通孔，而使得第二组通孔与第一组通孔对准。
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公开(公告)号：CN101960567A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200980106993.8
申请日：2009-02-27
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 肯尼思·柯林斯 , 马丁·萨里纳斯 , 沃特·梅丽 , 元洁 , 安德鲁·源 , 卡尔蒂克·贾亚拉曼 , 詹尼弗·孙 , 段仁官 , 贺小明 , 南希·凡格 , 英·瑞 , 伊玛德·尤瑟夫 , 丹尼尔·J·霍夫曼
IPC: H01L21/3065 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/02087 , H01J37/32357 , H01J37/32366 , H01L21/0209
Abstract: 本发明提供了从衬底移除聚合物的方法和设备。在一实施例中，用于从衬底移除聚合物的设备包括：处理室，其具有界定了处理空间的室壁和室盖；衬底支撑组件，其被布置于处理室中；以及远程等离子体源，其经由形成于室壁中的出口端口耦接至处理室，出口端口具有指向被置于衬底支撑组件上的衬底的周边区域的开口，其中，远程等离子体源由抗氢核素的材料所构成。
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