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公开(公告)号：CN102741982B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201180008006.8
申请日：2011-01-27
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 中泽治雄
IPC: H01L21/265 , H01L21/268 , H01L21/336 , H01L29/739 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7395 , H01L21/268 , H01L29/42368 , H01L29/66333
Abstract: FZ-N衬底（1）的背面（1a）被离子注入磷和硼。然后，FZ-N衬底（1）的背面（1a）通过激光（14）的照射被激光退火，同时FZ-N衬底（1）通过衬底加热设备（31）保持在从100℃到500℃的范围内的预定温度。结果，形成FC层（9）和p+集电极层（10）。通过进行激光退火，在加热FZ-N衬底（1）时，可增加离子注入的磷和硼的激活比并获得所期望的扩散分布。结果，可增加已被离子注入FZ-N衬底（1）的背面（1a）的掺杂剂的激活比，而不会不利地影响FS型IGBT的前面结构。进一步地，可充分修复由离子注入引起的晶体缺陷，并可获得预定扩散分布。
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公开(公告)号：CN103329255A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201280005473.X
申请日：2012-01-16
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 中泽治雄
IPC: H01L21/336 , H01L21/265 , H01L21/76 , H01L29/739 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66325 , H01L21/26513 , H01L21/26586 , H01L21/268 , H01L21/324 , H01L21/76237 , H01L29/0661 , H01L29/36 , H01L29/7395
Abstract: 在反向阻断型半导体元件的制造方法中，形成锥形沟，并进行向背面和锥形沟的离子注入之后，进行炉退火处理以及激光退火处理，由此使背面集电极层以及锥形沟的侧边面形成分离层（4）。据此，即便是具有形成锥形沟，并将在其侧边面通过离子注入和退火处理而形成的扩散层作为用于使反向耐压pn结的终端弯曲而延伸至表面的分离层（4）的制造工序的制造方法，也可以实现反向耐压的确保和反向偏置时的漏电流的降低。
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公开(公告)号：CN103119698A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201080069128.3
申请日：2010-09-30
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/02 , H01L29/739 , H01L29/78
CPC classification number: H01L22/12 , G03F9/7084 , G03F9/7088 , H01L21/266 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L23/544 , H01L29/0615 , H01L29/0661 , H01L29/66333 , H01L29/7395 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68368 , H01L2221/68372 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2223/5446 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在半导体晶片(1)的正面形成正面表面结构(2)的电路图案的同时形成对准标记(3)。接着，在半导体晶片(1)的正面利用透明的粘接剂(11)贴合透明的支撑基板(12)。接着，在半导体晶片(1)的背面涂布抗蚀剂(13)。接着，在曝光装置的工作台(21)上以支撑基板(12)侧朝下的状态承载半导体晶片(1)。接着，利用布置在工作台(21)下方的相机(22)，从工作台(21)的下方透过支撑基板(12)及粘接剂(11)识别形成在半导体晶片(1)的正面的对准标记(3)，对准半导体晶片(1)和光掩膜(24)的位置。接着，对抗蚀剂(13)进行图案化。接着，将抗蚀剂(13)作为掩膜，在半导体晶片(1)的背面形成背面表面结构的电路图案。
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公开(公告)号：CN102741982A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201180008006.8
申请日：2011-01-27
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 中泽治雄
IPC: H01L21/265 , H01L21/268 , H01L21/336 , H01L29/739 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7395 , H01L21/268 , H01L29/42368 , H01L29/66333
Abstract: FZ-N衬底（1）的背面（1a）被离子注入磷和硼。然后，FZ-N衬底（1）的背面（1a）通过激光（14）的照射被激光退火，同时FZ-N衬底（1）通过衬底加热设备（31）保持在从100℃到500℃的范围内的预定温度。结果，形成FC层（9）和p+集电极层（10）。通过进行激光退火，在加热FZ-N衬底（1）时，可增加离子注入的磷和硼的激活比并获得所期望的扩散分布。结果，可增加已被离子注入FZ-N衬底（1）的背面（1a）的掺杂剂的激活比，而不会不利地影响FS型IGBT的前面结构。进一步地，可充分修复由离子注入引起的晶体缺陷，并可获得预定扩散分布。
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公开(公告)号：CN105914140B
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201610105791.3
申请日：2016-02-25
Applicant: 国立大学法人九州大学 , 富士电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种杂质导入方法，其以超过热力学平衡浓度的高浓度向杂质元素的扩散系数极小的固体材料导入杂质元素。杂质导入方法包括：以考虑到光脉冲的每1次的照射时间(τ)和光脉冲的能量密度F而确定的膜厚(tf)，在由固体材料构成的对象物(半导体基板)的表面上堆积含有杂质元素的杂质源膜的步骤(S1～S4)；和以照射时间(τ)和能量密度(F)向杂质源膜照射光脉冲，以超过热力学平衡浓度的浓度向对象物导入杂质元素的步骤(S5)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105593975B
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201480048809.X
申请日：2014-04-18
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/28518 , H01L21/0485 , H01L21/049 , H01L21/28568 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/78
Abstract: 首先，在碳化硅基板(1)的表面层形成离子注入层(2)。不进行离子注入层(2)的活化。接着，在离子注入层(2)的表面形成接触电极(3)，形成接触电极(3)上的钨层(4)。接着，通过将整个碳化硅基板(1)暴露在利用微波形成的氢等离子体气氛中，使钨层(4)发热而进行加热。而且，通过来自钨层(4)的热传导，对接触电极(3)和离子注入层(2)进行加热。由此，在离子注入层(2)与接触电极(3)的界面形成成为与离子注入层(2)的欧姆接触的硅化物层的同时，使离子注入层(2)活化。形成接触电阻低的欧姆接触，并且能够防止元件特性劣化，并且能够提高产量。
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公开(公告)号：CN105518830B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201580001825.8
申请日：2015-04-17
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/28518 , H01L21/043 , H01L21/0485 , H01L21/28 , H01L29/1608 , H01L29/45 , H01L29/66068 , H01L29/665 , H01L29/78 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 首先，在碳化硅基板(1)的表面形成包括过渡金属的接触电极(2)。接触电极(2)包括例如镍、钛或钨。通过将形成了接触电极(2)的整个碳化硅基板(1)暴露在利用微波形成的氢等离子体气氛中，从而使接触电极(2)发热而进行快速加热。然后，通过从接触电极(2)向碳化硅基板(1)的在接触电极(2)侧的部分进行热传导，将碳化硅基板(1)的与接触电极(2)接触的部分加热。由此，在碳化硅基板(1)与接触电极(2)的界面形成成为与碳化硅基板(1)的欧姆接触的硅化物层(4)。由此，能够形成接触电阻低的欧姆接触，并且能够防止元件特性劣化。
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公开(公告)号：CN103370791B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201180067442.2
申请日：2011-09-13
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: H01L29/1608 , H01L29/0619 , H01L29/0661 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/408 , H01L29/41741 , H01L29/41766 , H01L29/47 , H01L29/475 , H01L29/7395 , H01L29/7827
Abstract: 半导体器件包括其中当该半导体器件处于导通状态时电流流过的有源区（10）、和围绕着有源区(10)的击穿电压结构部分(11)。在有源区（10）中，包括例如p‑阱区（2）、n+源区（3)、栅电极（5）、和源电极（6）的MOS栅结构被设置在半导体基板的前表面上。从半导体基板的后表面到侧表面，设置与n‑漂移区（1）进行接触的漏电极（7）。漏电极（7）和作为半导体基板的n‑漂移区（1），形成肖特基接触。在击穿电压结构部分（11）中，至少在半导体基板的外周边缘上设置从半导体基板的外周边缘减少泄露电流的层（泄露电流减少层）20。
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公开(公告)号：CN105914140A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610105791.3
申请日：2016-02-25
Applicant: 国立大学法人九州大学 , 富士电机株式会社
CPC classification number: H01L21/0455 , H01L21/0217 , H01L21/0485 , H01L21/0495 , H01L21/2254 , H01L21/268 , H01L21/2686 , H01L21/324 , H01L29/0619 , H01L29/1608 , H01L29/167 , H01L29/34 , H01L29/401 , H01L29/45 , H01L29/47 , H01L29/6606 , H01L29/66333 , H01L29/7395 , H01L29/872 , H01L29/66068 , H01L29/7827
Abstract: 本发明提供一种杂质导入方法，其以超过热力学平衡浓度的高浓度向杂质元素的扩散系数极小的固体材料导入杂质元素。杂质导入方法包括：以考虑到光脉冲的每1次的照射时间(τ)和光脉冲的能量密度F而确定的膜厚(tf)，在由固体材料构成的对象物(半导体基板)的表面上堆积含有杂质元素的杂质源膜的步骤(S1～S4)；和以照射时间(τ)和能量密度(F)向杂质源膜照射光脉冲，以超过热力学平衡浓度的浓度向对象物导入杂质元素的步骤(S5)。
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公开(公告)号：CN103119698B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201080069128.3
申请日：2010-09-30
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/02 , H01L29/739 , H01L29/78
CPC classification number: H01L22/12 , G03F9/7084 , G03F9/7088 , H01L21/266 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L23/544 , H01L29/0615 , H01L29/0661 , H01L29/66333 , H01L29/7395 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68368 , H01L2221/68372 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2223/5446 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在半导体晶片(1)的正面形成正面表面结构(2)的电路图案的同时形成对准标记(3)。接着，在半导体晶片(1)的正面利用透明的粘接剂(11)贴合透明的支撑基板(12)。接着，在半导体晶片(1)的背面涂布抗蚀剂(13)。接着，在曝光装置的工作台(21)上以支撑基板(12)侧朝下的状态承载半导体晶片(1)。接着，利用布置在工作台(21)下方的相机(22)，从工作台(21)的下方透过支撑基板(12)及粘接剂(11)识别形成在半导体晶片(1)的正面的对准标记(3)，对准半导体晶片(1)和光掩膜(24)的位置。接着，对抗蚀剂(13)进行图案化。接着，将抗蚀剂(13)作为掩膜，在半导体晶片(1)的背面形成背面表面结构的电路图案。
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