公开(公告)号：CN103370791A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201180067442.2

申请日：2011-09-13

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 胁本博树 ,  中泽治雄 ,  宫坂靖

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/408 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/47 ,  H01L29/475 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7827

Abstract: 半导体器件包括其中当该半导体器件处于导通状态时电流流过的有源区（10）、和围绕着有源区(10)的击穿电压结构部分(11)。在有源区（10）中，包括例如p-阱区（2）、n+源区（3)、栅电极（5）、和源电极（6）的MOS栅结构被设置在半导体基板的前表面上。从半导体基板的后表面到侧表面，设置与n-漂移区（1）进行接触的漏电极（7）。漏电极（7）和作为半导体基板的n-漂移区（1），形成肖特基接触。在击穿电压结构部分（11）中，至少在半导体基板的外周边缘上设置从半导体基板的外周边缘减少泄露电流的层（泄露电流减少层）20。

公开(公告)号：CN103370791B

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201180067442.2

申请日：2011-09-13

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 胁本博树 ,  中泽治雄 ,  宫坂靖

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/408 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/47 ,  H01L29/475 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7827

Abstract: 半导体器件包括其中当该半导体器件处于导通状态时电流流过的有源区（10）、和围绕着有源区(10)的击穿电压结构部分(11)。在有源区（10）中，包括例如p‑阱区（2）、n+源区（3)、栅电极（5）、和源电极（6）的MOS栅结构被设置在半导体基板的前表面上。从半导体基板的后表面到侧表面，设置与n‑漂移区（1）进行接触的漏电极（7）。漏电极（7）和作为半导体基板的n‑漂移区（1），形成肖特基接触。在击穿电压结构部分（11）中，至少在半导体基板的外周边缘上设置从半导体基板的外周边缘减少泄露电流的层（泄露电流减少层）20。