公开(公告)号：CN105518830B

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201580001825.8

申请日：2015-04-17

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 中泽治雄 ,  荻野正明 ,  中嵨经宏 ,  井口研一 ,  立岡正明 ,  中川清和

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28518 ,  H01L21/043 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/28 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/665 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 首先，在碳化硅基板(1)的表面形成包括过渡金属的接触电极(2)。接触电极(2)包括例如镍、钛或钨。通过将形成了接触电极(2)的整个碳化硅基板(1)暴露在利用微波形成的氢等离子体气氛中，从而使接触电极(2)发热而进行快速加热。然后，通过从接触电极(2)向碳化硅基板(1)的在接触电极(2)侧的部分进行热传导，将碳化硅基板(1)的与接触电极(2)接触的部分加热。由此，在碳化硅基板(1)与接触电极(2)的界面形成成为与碳化硅基板(1)的欧姆接触的硅化物层(4)。由此，能够形成接触电阻低的欧姆接触，并且能够防止元件特性劣化。

公开(公告)号：CN105518830A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201580001825.8

申请日：2015-04-17

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 中泽治雄 ,  荻野正明 ,  中嵨经宏 ,  井口研一 ,  立岡正明 ,  中川清和

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28518 ,  H01L21/043 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/28 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/665 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 首先，在碳化硅基板(1)的表面形成包括过渡金属的接触电极(2)。接触电极(2)包括例如镍、钛或钨。通过将形成了接触电极(2)的整个碳化硅基板(1)暴露在利用微波形成的氢等离子体气氛中，从而使接触电极(2)发热而进行快速加热。然后，通过从接触电极(2)向碳化硅基板(1)的在接触电极(2)侧的部分进行热传导，将碳化硅基板(1)的与接触电极(2)接触的部分加热。由此，在碳化硅基板(1)与接触电极(2)的界面形成成为与碳化硅基板(1)的欧姆接触的硅化物层(4)。由此，能够形成接触电阻低的欧姆接触，并且能够防止元件特性劣化。