公开(公告)号：CN105593975A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201480048809.X

申请日：2014-04-18

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 中泽治雄 ,  荻野正明 ,  中嵨经宏 ,  井口研一 ,  立岡正明

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28518 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/049 ,  H01L21/28568 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78

Abstract: 首先，在碳化硅基板(1)的表面层形成离子注入层(2)。不进行离子注入层(2)的活化。接着，在离子注入层(2)的表面形成接触电极(3)，形成接触电极(3)上的钨层(4)。接着，通过将整个碳化硅基板(1)暴露在利用微波形成的氢等离子体气氛中，使钨层(4)发热而进行加热。而且，通过来自钨层(4)的热传导，对接触电极(3)和离子注入层(2)进行加热。由此，在离子注入层(2)与接触电极(3)的界面形成成为与离子注入层(2)的欧姆接触的硅化物层的同时，使离子注入层(2)活化。形成接触电阻低的欧姆接触，并且能够防止元件特性劣化，并且能够提高产量。

公开(公告)号：CN105518829B

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201480048546.2

申请日：2014-04-18

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 井口研一 ,  中泽治雄 ,  中嵨经宏 ,  荻野正明 ,  立岡正明

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28518 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/049 ,  H01L21/28568 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802

Abstract: 首先，以覆盖MOS栅极结构上的层间绝缘膜(37)的方式形成钛层(39)。接下来，形成与源极区(33)接触的镍层(40)。接着，通过在利用微波形成的氢等离子体气氛中暴露整个碳化硅晶片，从而利用氢自由基使镍层(40)发热而进行加热。此时，钛层(39)进行表面的氧化膜的还原而不发热。因此，通过来自镍层(40)的热传导而仅加热镍层(40)的正下方的源极区(33)。这样，在碳化硅晶片与镍层(40)的界面形成硅化物层，从而能够形成接触电阻低的欧姆接触。另外，由于MOS栅极结构不被加热，所以能够防止元件特性劣化。另外，即使在形成背面电极(41，42)时，也同样地利用氢等离子体处理。

公开(公告)号：CN105518829A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201480048546.2

申请日：2014-04-18

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 井口研一 ,  中泽治雄 ,  中嵨经宏 ,  荻野正明 ,  立岡正明

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28518 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/049 ,  H01L21/28568 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802

Abstract: 首先，以覆盖MOS栅极结构上的层间绝缘膜(37)的方式形成钛层(39)。接下来，形成与源极区(33)接触的镍层(40)。接着，通过在利用微波形成的氢等离子体气氛中暴露整个碳化硅晶片，从而利用氢自由基使镍层(40)发热而进行加热。此时，钛层(39)进行表面的氧化膜的还原而不发热。因此，通过来自镍层(40)的热传导而仅加热镍层(40)的正下方的源极区(33)。这样，在碳化硅晶片与镍层(40)的界面形成硅化物层，从而能够形成接触电阻低的欧姆接触。另外，由于MOS栅极结构不被加热，所以能够防止元件特性劣化。另外，即使在形成背面电极(41，42)时，也同样地利用氢等离子体处理。

公开(公告)号：CN105593975B

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201480048809.X

申请日：2014-04-18

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 中泽治雄 ,  荻野正明 ,  中嵨经宏 ,  井口研一 ,  立岡正明

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28518 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/049 ,  H01L21/28568 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78

Abstract: 首先，在碳化硅基板(1)的表面层形成离子注入层(2)。不进行离子注入层(2)的活化。接着，在离子注入层(2)的表面形成接触电极(3)，形成接触电极(3)上的钨层(4)。接着，通过将整个碳化硅基板(1)暴露在利用微波形成的氢等离子体气氛中，使钨层(4)发热而进行加热。而且，通过来自钨层(4)的热传导，对接触电极(3)和离子注入层(2)进行加热。由此，在离子注入层(2)与接触电极(3)的界面形成成为与离子注入层(2)的欧姆接触的硅化物层的同时，使离子注入层(2)活化。形成接触电阻低的欧姆接触，并且能够防止元件特性劣化，并且能够提高产量。

公开(公告)号：CN105518830B

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201580001825.8

申请日：2015-04-17

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 中泽治雄 ,  荻野正明 ,  中嵨经宏 ,  井口研一 ,  立岡正明 ,  中川清和

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28518 ,  H01L21/043 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/28 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/665 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 首先，在碳化硅基板(1)的表面形成包括过渡金属的接触电极(2)。接触电极(2)包括例如镍、钛或钨。通过将形成了接触电极(2)的整个碳化硅基板(1)暴露在利用微波形成的氢等离子体气氛中，从而使接触电极(2)发热而进行快速加热。然后，通过从接触电极(2)向碳化硅基板(1)的在接触电极(2)侧的部分进行热传导，将碳化硅基板(1)的与接触电极(2)接触的部分加热。由此，在碳化硅基板(1)与接触电极(2)的界面形成成为与碳化硅基板(1)的欧姆接触的硅化物层(4)。由此，能够形成接触电阻低的欧姆接触，并且能够防止元件特性劣化。

公开(公告)号：CN105518830A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201580001825.8

申请日：2015-04-17

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 中泽治雄 ,  荻野正明 ,  中嵨经宏 ,  井口研一 ,  立岡正明 ,  中川清和

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28518 ,  H01L21/043 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/28 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/665 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 首先，在碳化硅基板(1)的表面形成包括过渡金属的接触电极(2)。接触电极(2)包括例如镍、钛或钨。通过将形成了接触电极(2)的整个碳化硅基板(1)暴露在利用微波形成的氢等离子体气氛中，从而使接触电极(2)发热而进行快速加热。然后，通过从接触电极(2)向碳化硅基板(1)的在接触电极(2)侧的部分进行热传导，将碳化硅基板(1)的与接触电极(2)接触的部分加热。由此，在碳化硅基板(1)与接触电极(2)的界面形成成为与碳化硅基板(1)的欧姆接触的硅化物层(4)。由此，能够形成接触电阻低的欧姆接触，并且能够防止元件特性劣化。