一种靶材的制备方法
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106756832B

    公开(公告)日:2019-03-12

    申请号:CN201611229097.9

    申请日:2016-12-27

    Abstract: 本发明提供了一种靶材的制备方法,包括以下步骤:A)将锻造后的坯料酸洗后热处理,所述热处理的升温速率为10~50℃/min;B)将热处理后的坯料放置于轧机的工装上进行轧制;C)将轧制后的坯料进行酸洗,再进行热处理,得到靶材;所述热处理的升温速率为10~50℃/min。本发明通过采用特殊的轧制工装和快速升温热处理工艺,可制备直径在400~1000mm,厚度在6~30mm的大规格靶材,且使该种靶材获得的{111}、{100}织构组分比例控制在20~40%,织构组分分布波动控制在10%以内,能满足28nm及以下制程的半导体应用。

    一种钽靶材的锻造方法
    13.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104532196B

    公开(公告)日:2018-04-03

    申请号:CN201410754282.4

    申请日:2014-12-10

    Abstract: 本发明涉及一种钽靶材的锻造方法。其特点是,包括如下步骤:首先取钽锭进行一次锻造,然后经过酸洗、热处理后再进行二次锻造,最后再次经过酸洗和热处理即可。本发明通过三向镦粗拔长锻造方法,采用合理的锻造道次压下量和后期热处理工艺,彻底破碎铸晶,解决常规锻造方法中钽靶材晶粒尺寸不均、铸晶残留、以及晶粒尺寸不够小的问题,得到细小均匀的微观组织。主要特点:第一,采用本发明的锻造方法,结合后期的热处理工艺,可以得到细小均匀的微观组织;第二,简化锻造流程,实现了大的锻造加工率,可彻底破碎铸晶,同时减少了锻造缺陷,提高了材料利用率。通过本发明的锻造方法,可以有效保证钽靶材在锻造结束后,获得细小、均匀的微观组织。

    一种靶材的制备方法
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106756832A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201611229097.9

    申请日:2016-12-27

    CPC classification number: C23C14/3414 C22F1/18

    Abstract: 本发明提供了一种靶材的制备方法,包括以下步骤:A)将锻造后的坯料酸洗后热处理,所述热处理的升温速率为10~50℃/min;B)将热处理后的坯料放置于轧机的工装上进行轧制;C)将轧制后的坯料进行酸洗,再进行热处理,得到靶材;所述热处理的升温速率为10~50℃/min。本发明通过采用特殊的轧制工装和快速升温热处理工艺,可制备直径在400~1000mm,厚度在6~30mm的大规格靶材,且使该种靶材获得的{111}、{100}织构组分比例控制在20~40%,织构组分分布波动控制在10%以内,能满足28nm及以下制程的半导体应用。

    晶粒破碎均匀铌棒的制备方法及制得的铌棒

    公开(公告)号:CN119530691A

    公开(公告)日:2025-02-28

    申请号:CN202411596269.0

    申请日:2024-11-11

    Abstract: 本发明涉及晶粒破碎均匀铌棒的制备方法,首先对合金原料进行熔铸得到铸锭,并对铸锭进行预热处理,得到第一坯材;接着对第一坯材进行多次轴向锻造及第一热处理,得到第二坯材;然后对第二坯材进行表面处理以去除第二坯材表面的缺陷,并对第二坯材进行径向锻造,得到第三坯材;随后对第三坯材进行氧化处理以使第三坯材的表面生成氧化膜保护第三坯材,并对生成氧化膜的第三坯材进行多次孔型轧制,得到第一棒材;其次对第一棒材进行旋锻并抛光,得到第二棒材;最后对第二棒材进行第二热处理,得到成品棒材;通过多次的轴向锻造+径向旋转锻造+孔型轧制旋锻,得到的成品棒材晶粒组织均匀细小、晶粒度GS=7‑9级、延伸率≥40%、硬度(HV/2.9N)≤60。

    铌旋转靶材的成型方法
    17.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111996503A

    公开(公告)日:2020-11-27

    申请号:CN202010604811.8

    申请日:2020-06-29

    Abstract: 本发明涉及一种铌旋转靶材的成型方法。其特点是,包括如下步骤:(1)取圆柱体铌锭,要求纯度≥99.9%,直径Φ≥190mm;(2)将铌锭锻造打圆,控制加工率20%-30%,打圆后的直径Φ≥140mm;(3)车削表面缺陷,车削后的直径Φ≥130mm;(4)在得到的铌锭中心预制直径15-45mm导向孔;(5)将得到的铌锭加热至80-120℃,涂附高温防氧化玻璃粉,要求涂附2遍;(6)将得到的铌锭加热至1000℃-1450℃,保温;(7)采用三辊斜轧穿孔设备进行穿孔;(8)对得到的管坯进行校直即可。此方法生产效率高,材料利用率高,内部组织均匀,保证了旋转铌靶更高的使用要求。

    一种钽靶材的制备方法
    18.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104741872B

    公开(公告)日:2017-06-16

    申请号:CN201510021983.1

    申请日:2015-01-16

    Abstract: 本发明提供了一种钽靶材的制备方法,包括以下步骤:A)将钽锭进行冷旋锻,将冷旋锻后的钽锭进行酸洗,将酸洗后的钽锭进行热处理;B)将步骤A)得到的钽锭进行三次镦粗拔长的热锻,将热锻后的钽锭进行酸洗,将酸洗后的钽锭进行热处理;C)将步骤B)得到的钽锭进行三次墩粗拔长的热锻,将热锻后的钽锭进行酸洗,将酸洗后的钽锭进行热处理;D)将步骤C)得到的钽锭进行热锻,将热锻后的钽锭进行酸洗,将酸洗后的钽锭进行热处理;E)将步骤D)得到的钽锭进行轧制,将轧制后的钽锭进行酸洗,将酸洗后的钽锭进行热处理,得到钽靶材。本申请通过热锻与热轧相配合,得到了符合半导体使用要求的内部组织织构均匀的高性能钽靶材。

    一种钽靶材及其制备方法
    19.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104451567A

    公开(公告)日:2015-03-25

    申请号:CN201410833093.6

    申请日:2014-12-29

    CPC classification number: C23C14/3407 C22F1/18

    Abstract: 本发明提供了一种钽靶材及其制备方法,包括以下步骤,首先将钽锭经过第一次锻造后,得到一次锻造坯料;然后将上述步骤得到的一次锻造坯料经过第二次锻造和第一次热处理后,得到二次锻造坯料;再将上述步骤得到的二次锻造坯料经过第三次锻造和第二次热处理后,得到三次锻造坯料;再将上述步骤得到的三次锻造坯料经过第四次锻造和第三次热处理后,得到四次锻造坯料;最后将上述步骤得到的四次锻造坯料经过轧制和第四次热处理后,得到钽靶材;所述第一次锻造为旋转锻造;所述第一次锻造的温度为800~1400℃。本发明制备的钽靶材织构分布均匀、晶粒尺寸小,能够符合高端半导体镀膜行业的使用要求。

    一种钽铌带材焊接氩气保护装置

    公开(公告)号:CN217224013U

    公开(公告)日:2022-08-19

    申请号:CN202221039185.3

    申请日:2022-04-28

    Abstract: 本申请公开一种钽铌带材焊接氩气保护装置,包括:底板、带材限位槽、压板限位块、压紧气缸、压板、底吹气管。本装置整体结构合理,各部件可快速装夹,具备便捷性,可将各部件灵活拆卸检修替换。在使用本装置进行钽、铌带材的焊接时,通过设有的底吹气管、侧吹气板可连续向焊缝输入氩气,使焊缝区域形成稳定的氩气气流层,焊缝始终处于氩气保护状态、焊接完成后钽、铌带材会快速冷却,避免吸附空气中的气体元素导致焊缝及热影响区氧化变脆,提高焊接保护效果,保证最终焊接产品质量。

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