公开(公告)号：CN102197461A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200980142901.1

申请日：2009-10-23

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  矶贝达典 ,  田中宏明

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/823814 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/823835 ,  H01L27/092 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7833 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种接触形成方法、半导体装置的制造方法和半导体装置，能实现低电阻率的接触。在利用防氧化用的第二金属层覆盖了与半导体相接的第一金属层的状态下，只将第一金属层硅化物化，形成没有氧混入的硅化物层。作为第一金属层的材料，使用与半导体的工作函数之差成为规定的值的金属，且作为第二金属层的材料，使用在退火温度下与第一金属层不进行反应的金属。

公开(公告)号：CN101952974A

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN200980105047.1

申请日：2009-02-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 若山惠英 ,  茂山和基 ,  大见忠弘 ,  寺本章伸

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/048 ,  H01L31/02167 ,  Y02B10/12 ,  Y02E10/50

Abstract: 公开的是一种太阳能电池，其包含一种形成在基材上的太阳能电池半导体薄膜，一种透明导电膜形成在半导体薄膜上，和覆盖了透明导电膜的上表面的含氮水分扩散防止膜。水分扩散防止膜的最好至少由氮化硅膜或碳氮化硅(SiCN)膜组成。

公开(公告)号：CN101346820B

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN200680048843.2

申请日：2006-12-20

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  渡边一史

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L27/1211 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/045 ,  H01L29/785 ,  H01L2029/7857

Abstract: 为了使CMOS电路中的上升及下降工作速度相同，因其载流子迁移率不同，就需要使p型MOS晶体管和n型MOS晶体管的面积不同。因其面积的不均衡而妨碍了提高半导体器件的集成度。采取在(100)面及(110)面双方具备沟道区的三维结构来构成NMOS晶体管和PMOS晶体管，以使两晶体管的沟道区及栅绝缘膜的面积彼此相等。由此，在使栅绝缘膜等的面积彼此相等的同时，能够使栅电容也相等。并且与现有技术相比能够将基板上的集成度提高到2倍。

公开(公告)号：CN101490849A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200780026588.6

申请日：2007-07-12

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  黑田理人

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78696

Abstract: 一种积累型晶体管，沟道区半导体层的杂质浓度高于2×1017cm－3，从而能够承受更大的栅极电压摆幅。

公开(公告)号：CN101490823A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200780026534.X

申请日：2007-07-12

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  黑田理人

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/456 ,  H01L29/518 ,  H01L29/785 ,  H01L2029/7857

Abstract: 在遮光的状态下，在氮气环境中，通过用加氢超纯水洗净硅表面，实现峰谷(P－V)值在0.3nm以下的平坦度，同时通过使电极和硅之间的功函数差在0.2eV以下，实现接触电阻在10－11Ωcm2以下。由此，可以得到能够以10GHz以上的频率动作的半导体装置。

公开(公告)号：CN101258453A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200580051556.2

申请日：2005-09-13

Applicant: 爱德万测试株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 冈安俊幸 ,  须川成利 ,  寺本章伸

IPC: G05B19/418

CPC classification number: G05B19/41875 ,  G05B2219/32221 ,  G05B2219/45031 ,  H01L22/20 ,  H01L22/34 ,  H01L2924/0002 ,  Y02P90/22 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种通过多个生产工序生产电子器件的生产系统，具有：生产线，其配备有对相对多个生产工序进行处理的生产装置，生产晶片，电子器件；生产控制部，其通过生产线制造包括含多个被测定晶体管的测试电路的晶片；测定部，其测定测试电路中含有的多个被测定晶体管各自的电特性；确定部，其根据电特性不满足预定基准的被测定晶体管在前述晶片上的分布，确定多个生产工序中产生不良的生产工序；设定变更部，其变更生产装置的处理条件，该生产装置实施与产生前述不良的生产工序对应的处理。

公开(公告)号：CN101107715A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200680002450.8

申请日：2006-01-17

Applicant: 国立大学法人东北大学

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L29/4983 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/823481 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置，用氟化碳(CFx、0.3＜x＜0.6)或碳氢化合物(CHy、0.8＜y＜1.2)形成栅绝缘膜(硅氧化膜)以外的元件分离领域、层间绝缘膜以及保护绝缘膜的至少一部分。

公开(公告)号：CN109468613A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201811000943.9

申请日：2018-08-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 清水亮 ,  石井胜利 ,  寺本章伸 ,  诹访智之 ,  志波良信

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/48

Abstract: 本发明涉及成膜装置以及成膜方法，提供抑制对晶片的损伤，并以低温形成高品质的氮化硅膜的技术。当对在处理容器(1)内载置的晶片W供给Si2H6气体和NH3气体来形成SiN膜时，针对NH3气体，进行在与Si2H6气体反应前照射紫外线的远程紫外线照射，并供给至处理容器1内。因此，能够利用活化的NH3气体和Si2H6气体在较低的加热温度下在晶片W形成高品质的氮化硅膜。而且，由于设为对向处理容器1内导入前的NH3气体照射紫外线的远程紫外线处理，所以能够不对晶片W照射紫外线并抑制晶片W的损伤。

公开(公告)号：CN107037209A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201611244853.5

申请日：2016-12-29

Applicant: 月桂株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 渡边浩志 ,  成田知德 ,  寺本章伸

IPC: G01N33/569 ,  A61L2/04

Abstract: 本发明关于一种灭菌型液体成分检查装置及其使用方法，于生体检查后，能够容易的将携带型病毒检查装置废弃。将从血液、唾液、汗、生体取得的检体与生理盐水混合的检体混合溶液，利用抗体抗原反应进行检体检查后，通过多个小容器内部容积的差，与设置于各小容器的阀的开关操作方法，集中至检查装置本体的最深部，使用所设置的加热装置至少加热集中处，借此有效率的将被认为存在于检体混合液中的病毒等病原体进行灭菌。

公开(公告)号：CN106537562A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201580039195.3

申请日：2015-02-18

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 长尾兼次 ,  中村健一 ,  寺本章伸

IPC: H01L21/304 ,  C30B29/38 ,  H01L21/308

CPC classification number: H01L21/02052 ,  B08B3/08 ,  B08B3/10 ,  B08B2203/007 ,  C30B23/025 ,  C30B25/186 ,  C30B29/38 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明提供一种能够降低环境负荷的清洗化合物半导体的方法。本发明的清洗化合物半导体的方法具有：使用包含纯水和少于65重量％的硫酸且具有pH值2以下的氢离子浓度和0.6伏特以上的氧化还原电位的溶液17，在摄氏70度以上的温度下对具有镓作为构成元素的化合物半导体实施用于清洗的处理4的工序。