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公开(公告)号：CN117393504A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202310937957.8
申请日：2023-07-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L23/544
Abstract: 本申请公开了用于缺陷检查的阱调节。一种方法包括形成衬垫层。衬垫层包括在半导体衬底的第一区域之上的第一部分和在半导体衬底的第二区域之上的第二部分。第一部分具有第一厚度，并且第二部分具有小于第一厚度的第二厚度。然后对半导体衬底进行退火以在半导体衬底的第一区域之上形成第一氧化物层，并在半导体衬底的第二区域之上形成第二氧化物层。去除衬垫层、第一氧化物层和第二氧化物层。在半导体衬底的第一区域和第二区域之上、并与半导体衬底的第一区域和第二区域相接触地外延生长半导体层。
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公开(公告)号：CN115524028A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210173755.6
申请日：2022-02-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01K11/00
Abstract: 一种量测基板温度的设备、系统及方法。将发射例如激光脉冲的光信号的发光源施加至基板上。发光源另一侧上的侦测器接收反射激光脉冲。侦测器亦接收与从基板的表面辐射的温度或能量密度相关联的发射信号。温度量测系统使用所接收的激光脉冲及发射信号来确定热制程期间基板的温度。为了提高反射激光脉冲的讯杂比，可以使用偏振器来偏振激光脉冲以具有S偏振。也可以控制偏振激光脉冲朝向基板施加的角度，以提高侦测器端的讯杂比。
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公开(公告)号：CN110783274B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN201910700892.9
申请日：2019-07-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本公开涉及集成电路器件及其制造方法。一种方法，包括：在半导体衬底的第一部分上形成栅极堆叠；移除半导体衬底的位于栅极堆叠的一侧上的第二部分以形成凹槽；从凹槽开始生长半导体区域；用杂质注入半导体区域；以及在半导体区域上执行熔化退火，其中，半导体区域的至少一部分在熔化退火期间熔化。
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公开(公告)号：CN110648918B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN201910511115.X
申请日：2019-06-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/08 , H01L21/324
Abstract: 一种半导体结构的制造方法以及一种半导体结构。在此公开的实施例关于使用在纳秒级下进行的布植工艺和熔融退火工艺，以同时达到高表面浓度(表面堆积)掺质轮廓和逆行掺质轮廓。在一实施例中，此方法包含在基底上的主动区中形成源极/漏极结构，源极/漏极结构包含第一区，第一区包含锗，将第一掺质布植至源极/漏极结构的第一区中以在源极/漏极结构的至少第一区中形成非晶区，将第二掺质布植至包含第一掺质的非晶区中，以及加热源极/漏极结构以至少将非晶区液化并转换成结晶区，结晶区包含第一掺质和第二掺质。
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公开(公告)号：CN119451204A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202410264999.4
申请日：2024-03-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10D84/03 , H10D84/83 , H10D84/85 , H01L21/324
Abstract: 描述了半导体器件结构及其形成方法。该方法包括：从衬底形成鳍结构，在鳍结构的第一半导体层上沉积第一半导体材料，在第一半导体材料上沉积第二半导体材料，在第二半导体材料之上沉积层间电介质层，在层间电介质层中形成开口以暴露第二半导体材料，以及执行掺杂剂注入工艺以形成掺杂区域。掺杂区域包括第二半导体材料的第一部分。然后，该方法还包括：执行非晶化工艺以形成非晶区域，并且非晶区域包括第二半导体材料的第二部分。该方法还包括执行退火工艺以使非晶区域重结晶。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115472502A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202210500767.5
申请日：2022-05-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L23/544 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体元件及其制造方法被提供。此方法包含:提供具有第一区域以及第二区域的基材；形成多个沟槽在基材的第一区域中；形成多层堆叠在基材上方并且在沟槽中；以及图案化多层堆叠以及基材以在第一区域中的多个第一鳍片上方形成多个第一纳米结构并且在第二区域中的多个第二鳍片上方形成多个第二纳米结构，其中多层堆叠包含第一半导体层的至少一者以及第二半导体层中的至少一者交替地堆叠，并且多个沟槽位于相应的第一鳍片的对应者中。
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公开(公告)号：CN113539799A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110786715.4
申请日：2018-11-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/033 , H01L21/311 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体器件以及形成半导体器件的方法。该方法包括在目标层上方形成第一掩模层，在第一掩模层上方形成多个间隔件，在多个间隔件上方形成第二掩模层，并图案化第二掩模层以形成第一开口，其中，在平面图中，开口的主轴在与多个间隔件中的间隔件的主轴垂直的方向上延伸。该方法还包括在开口中沉积牺牲材料，图案化牺牲材料，使用多个间隔件和图案化的牺牲材料蚀刻第一掩模层，使用蚀刻的第一掩模层蚀刻目标层以在目标层中形成第二开口，并且用导电材料填充目标层中的第二开口。
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公开(公告)号：CN113078110A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202011190662.1
申请日：2020-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L21/336
Abstract: 本公开涉及回流填充材料进行沟槽填充。一种方法，包括在基底结构上方形成第一突出鳍和第二突出鳍，其中，沟槽位于第一突出鳍和第二突出鳍之间，沉积延伸到沟槽中的沟槽填充材料，以及对沟槽填充材料执行激光器回流工艺。在回流工艺中，沟槽填充材料的温度高于沟槽填充材料的第一熔点，并且低于第一突出鳍和第二突出鳍的第二熔点。在激光器回流工艺之后，沟槽填充材料被凝固。该方法还包括对沟槽填充材料进行图案化，其中，沟槽填充材料的剩余部分形成栅极堆叠件的部分，以及在栅极堆叠件的一侧上形成源极/漏极区域。
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公开(公告)号：CN112420514A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010397989.X
申请日：2020-05-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/08 , H01L29/47 , H01L29/78 , H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 一种半导体装置的形成方法包括形成栅极堆叠于一第一半导体区上；移除栅极堆叠的一侧上的第一半导体区的第二部分，以形成凹陷；自凹陷开始成长第二半导体区；以杂质布植第二半导体区；以及在第二半导体区上进行熔融激光退火。在熔融激光退火时熔融第二半导体区的第一部分，而不熔融第二半导体区的第一部分的两侧上的第二半导体区的第二部分与第三部分。
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公开(公告)号：CN110648918A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910511115.X
申请日：2019-06-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/08 , H01L21/324
Abstract: 一种半导体结构的制造方法以及一种半导体结构。在此公开的实施例关于使用在纳秒级下进行的布植工艺和熔融退火工艺，以同时达到高表面浓度(表面堆积)掺质轮廓和逆行掺质轮廓。在一实施例中，此方法包含在基底上的主动区中形成源极/漏极结构，源极/漏极结构包含第一区，第一区包含锗，将第一掺质布植至源极/漏极结构的第一区中以在源极/漏极结构的至少第一区中形成非晶区，将第二掺质布植至包含第一掺质的非晶区中，以及加热源极/漏极结构以至少将非晶区液化并转换成结晶区，结晶区包含第一掺质和第二掺质。
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