公开(公告)号：CN110783274A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201910700892.9

申请日：2019-07-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘书豪 ,  陈文彦 ,  陈利恒 ,  王立廷 ,  陈亮吟 ,  张惠政 ,  杨育佳 ,  王英郎

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本公开涉及集成电路器件及其制造方法。一种方法，包括：在半导体衬底的第一部分上形成栅极堆叠；移除半导体衬底的位于栅极堆叠的一侧上的第二部分以形成凹槽；从凹槽开始生长半导体区域；用杂质注入半导体区域；以及在半导体区域上执行熔化退火，其中，半导体区域的至少一部分在熔化退火期间熔化。

公开(公告)号：CN110783274B

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN201910700892.9

申请日：2019-07-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘书豪 ,  陈文彦 ,  陈利恒 ,  王立廷 ,  陈亮吟 ,  张惠政 ,  杨育佳 ,  王英郎

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本公开涉及集成电路器件及其制造方法。一种方法，包括：在半导体衬底的第一部分上形成栅极堆叠；移除半导体衬底的位于栅极堆叠的一侧上的第二部分以形成凹槽；从凹槽开始生长半导体区域；用杂质注入半导体区域；以及在半导体区域上执行熔化退火，其中，半导体区域的至少一部分在熔化退火期间熔化。