-
公开(公告)号：CN106601633A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201610719555.0
申请日：2016-08-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/485 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/08 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L23/293 , H01L23/3157 , H01L24/03 , H01L24/10 , H01L24/19 , H01L24/97 , H01L2224/0231 , H01L2224/02379 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2924/18162 , H01L2924/3511 , H01L23/3107 , H01L24/05 , H01L2224/02381
Abstract: 本发明的实施例提供了一种方法，包括：提供具有凹槽的载体以及将管芯附接至载体，其中管芯至少部分地设置在凹槽中。该方法还包括：在载体上方并且围绕管芯的至少一部分形成模塑料，在模塑料上方形成多输出再分布层并且多输出再分布层电连接至管芯，以及去除载体。本发明的实施例还提供了集成多输出(INFO)封装件结构及其形成方法。
-
公开(公告)号：CN103311219B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201310058749.7
申请日：2013-02-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/552 , H01L21/02
CPC classification number: H01L23/5227 , H01L21/768 , H01L23/5225 , H01L23/552 , H01L23/585 , H01L24/03 , H01L24/11 , H01L28/10 , H01L2224/02351 , H01L2224/0401 , H01L2224/06515 , Y10T29/4902
Abstract: 提供了一种电感器器件和形成电感器器件的方法。在一些实施例中，电感器器件包括所设置的后钝化互连(PPI)层和凸块下金属化(UBM)层，每个都设置在衬底之上。PPI层形成线圈和伪焊盘。伪焊盘设置在线圈的大部分周围，以使线圈免受电磁干扰。UBM层的第一部分电连接至线圈并且被配置成与电连接件相接合。本发明还提供了一种用于后钝化互连的电感器。
-
公开(公告)号：CN102842664A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210181521.2
申请日：2012-06-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L33/0008 , H01L27/15 , H01L33/0004 , H01L33/005 , H01L33/62
Abstract: 发光二极管（LED）结构，即，LED结构，包括第一掺杂剂区、位于该第一掺杂剂区顶部上的介电层、位于该介电层第一部分的顶部上的接合焊盘层以及具有第一LED区和第二LED区的LED层。接合焊盘层电连接至第一掺杂剂区。第一LED区电连接至接合焊盘层。
-
公开(公告)号：CN120015738A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510078017.7
申请日：2025-01-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L21/768 , H10B12/00
Abstract: 在实施例中，半导体器件可以包括中介层。半导体器件也可以包括直接接合至中介层的多个小芯片。器件可以进一步包括直接接合至与多个小芯片相邻的中介层的多个中介层管芯，多个中介层管芯具有衬底通孔。器件可以额外包括位于多个中介层管芯中的至少一个上方并且接合至多个中介层管芯中的至少一个的存储器封装件。本申请的实施例涉及半导体器件及其形成方法。
-
公开(公告)号：CN113078125B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202110246259.4
申请日：2021-03-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L25/065 , H10B80/00 , H01L21/48 , H01L23/498
Abstract: 一种形成管芯堆叠件的方法，包括：将第一器件管芯接合至第二器件管芯；将第一器件管芯密封在第一密封剂中；在第二器件管芯上实施背面研磨工艺，以露出第二器件管芯中的贯穿通孔；以及形成位于第二器件管芯上的第一电连接器，以形成封装件。封装件包括第一器件管芯和第二器件管芯。该方法还包括将第一封装件密封在第二密封剂中；以及形成与第一封装件和第二密封剂重叠的互连结构。互连结构包括第二电连接器。根据本申请的其他实施例，还提供了管芯堆叠结构。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107342268B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201710165705.2
申请日：2017-03-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/58
Abstract: 本公开部分实施例提供一种半导体装置封装。半导体装置封装包括一半导体装置。半导体装置封装也包括配置用于在磁流通过时产生电流的一线圈。半导体装置封装还包括环绕半导体装置以及线圈的一成型材料。并且，半导体装置封装包括位于成型材料之上的一导电金属件。一开口形成于导电金属件之上。
-
公开(公告)号：CN106653744B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201610624175.9
申请日：2016-08-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L21/768 , H01Q1/22 , H01Q1/24
Abstract: 一种半导体结构包括：配置为与器件通信的收发器；围绕该收发器的模塑件；延伸穿过模塑件的导电通道；在模塑件、导电通道和收发器上方设置的绝缘层；以及在绝缘层上方设置的且包括天线和围绕天线的介电层的再分布层(RDL)，其中，天线的部分延伸穿过绝缘层和模塑件以与收发器电连接。本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。
-
公开(公告)号：CN111799227A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010242219.8
申请日：2020-03-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/98 , H01L25/065 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L23/31
Abstract: 公开了封装的半导体器件及其形成方法，该封装的半导体器件包括附接至再分布结构的第一管芯、附接至第一管芯的第二管芯以及围绕第一管芯和第二管芯的模塑料。在实施例中，方法包括在第一再分布结构上方形成电耦接至第一再分布结构的第一导电柱；将第一管芯附接至第一再分布结构，第一管芯包括第二导电柱；在邻近第二导电柱的位置将第二管芯附接至第一管芯；用密封剂密封第一导电柱、第一管芯和第二管芯；在密封剂、第一导电柱、第一管芯和第二管芯上方形成第二再分布结构；并且将第三管芯接合至第一再分布结构。
-
公开(公告)号：CN110660753A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910454554.1
申请日：2019-05-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在实施例中，一种器件包括：第一再分布结构，包括第一介电层；管芯，粘附至第一再分布结构的第一侧；密封剂，横向密封管芯，密封剂通过第一共价键与第一介电层接合；穿过密封剂的通孔；第一导电连接器，电连接至第一再分布结构的第二侧，第一导电连接器的子集与密封剂和管芯的界面重叠。本发明实施例涉及半导体封装件和方法。
-
公开(公告)号：CN107068625A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201610969011.X
申请日：2016-11-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/64
Abstract: 本揭露涉及一种具有空腔的聚合物系半导体结构。一种结构，其包括装置裸片；以及囊封材料，在其中囊封所述装置裸片。所述囊封材料具有顶部表面，与所述装置裸片的顶部表面共平面；以及空腔，在所述囊封材料中。所述空腔穿透所述囊封材料。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
62
records
(took 0.031 seconds)
