公开(公告)号：CN102891142A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201210044727.0

申请日：2012-02-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 涂国基 ,  曾国权 ,  江文铨 ,  王铨中

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/92 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L27/0207 ,  H01L28/40

Abstract: 公开了具有无方向去耦电容器的半导体器件和制造该半导体器件的方法。在一个实施例中，半导体器件包括至少一个集成电路和至少一个去耦电容器。将至少一个去耦电容器定向为与至少一个集成电路定向的方向不同的方向。

公开(公告)号：CN101261955A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200810081334.0

申请日：2008-02-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 白志阳 ,  江文铨 ,  喻中一 ,  杜友伦 ,  刘源鸿 ,  李祥帆 ,  王铨中

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/8242 ,  H01L23/522 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L21/76877 ,  H01L21/76849 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10888

Abstract: 本发明提供一种嵌入式动态随机存取存储器(eDRAM)装置及其接触插塞的形成方法。该形成方法包括如下步骤：形成一介电层于一半导体基底上；形成一接触孔于该介电层中，以暴露出一部分的该半导体基底；沉积一钨材料层于该介电层上以填入该接触孔，其中形成一钨缝隙于该接触孔内的钨材料层中；实施一干式蚀刻制造工艺以移除该介电层的上表面的钨材料层，且凹陷该钨材料层于该接触孔中，以于该介电层的上表面下方，形成具一深度的凹陷区，因而形成一凹陷的钨插塞于该接触孔内；沉积一导电层于该介电层和该凹陷的钨插塞上，以填入该凹陷区；及移除该介电层的上表面的该导电层，以形成一导电插塞于该接触孔内的凹陷的钨插塞上。

公开(公告)号：CN1855542A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610066934.0

申请日：2006-03-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 季明华 ,  江文铨 ,  江木吉

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04

Abstract: 本发明是有关于一种类平面及类鳍式场效电晶体的电晶体元件，本发明揭露了于块状硅材上的类平面互补金氧半导体及鳍式场效电晶体的电晶体元件。第一电晶体具有掺杂且凹陷的通道区，此通道区是形成于浅沟隔离区的侧壁上。第二电晶体则具有掺杂且凹陷的通道区，且其具有复数个边鳍并列于元件的主动区的边界上。第三电晶体具有未掺杂且凹陷的通道区于浅沟隔离区的侧壁上，其中通道区具有复数个边鳍于其上。此外，上述的每一元件均可附加额外的罩幕，以让传统电晶体及本发明的类鳍式场效电晶体的电晶体元件共同制造于块状硅材上。另外，数个用以制造以上各个元件的方法亦将在本发明中揭露。