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公开(公告)号：CN103811656A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310175513.1
申请日：2013-05-13
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： H01L45/146 , H01L45/08 , H01L45/1226 , H01L45/1691
摘要： 本发明公开了可变电阻存储结构及其形成方法，其中一种半导体结构包括可变电阻存储结构。该半导体结构还包括介电层。可变电阻存储结构位于介电层上方。可变电阻存储结构包括设置在介电层上方的第一电极。第一电极具有侧面。可变电阻层具有设置在第一电极的侧面上方的第一部分和从第一部分延伸远离第一电极的第二部分。第二电极位于可变电阻层上方。
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公开(公告)号：CN103811515A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310317125.2
申请日：2013-07-25
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/24 , H01L45/00 , H01L21/768
CPC分类号： H01L45/1253 , H01L45/04 , H01L45/122 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1608 , H01L45/1666 , H01L45/1675
摘要： 一种存储单元和方法包括：穿过第一介电层中的第一开口共形地形成的第一电极、共形地形成在第一电极上的电阻层、共形地形成在电阻层上的间隔层、共形地形成在电阻层上的第二电极、以及共形地形成在第二电极上的第二介电层，第二介电层包括第二开口。第一介电层形成在包括第一金属层的衬底上。第一电极和电阻层共同地包括超出第一开口延伸第一距离的第一唇状区。第二电极和第二介电层共同地包括超出第一开口延伸第二距离的第二唇状区。间隔层从第二距离延伸到第一距离。第二电极使用延伸穿过第二开口的通孔连接至第二金属层。本发明还提供了逻辑兼容的RRAM结构和工艺。
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公开(公告)号：CN109411503B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201810325697.8
申请日：2018-04-12
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/24 , H01L27/22 , H01L23/522 , H01L21/768
摘要： 本申请的各个实施例涉及形成用于存储器的平坦的通孔顶面的方法以及由该方法产生的集成电路(IC)。在一些实施例中，在所述介电层中实施蚀刻以形成开口。形成覆盖介电层并且内衬于开口的衬垫层。形成覆盖介电层并且填充位于衬垫层上方的开口的剩余部分的下部主体层。将下部主体层的顶面和衬垫层的顶面凹进到介电层的顶面下面以部分地清除开口。形成覆盖介电层并且部分地填充开口的同质的上部主体层。对同质的上部主体层实施平坦化直到到达介电层。本发明实施例涉及一种集成电路及其形成方法。
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公开(公告)号：CN105977376B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201510831564.4
申请日：2015-11-25
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： H01L43/08 , G11C11/16 , H01L27/228 , H01L43/12
摘要： 本发明提供一种形成包括垂直MTJ(磁性隧道结)的磁阻式随机存取存储器(MRAM)器件的方法。该方法包括在底部电极层上方形成磁性隧道结(MTJ)。顶部电极层形成在MTJ的上表面的上方，并且硬掩模形成在顶部电极层的上表面的上方。执行第一蚀刻穿过未被硬掩模掩蔽的顶部电极层和MTJ的未被硬掩模掩蔽的区域，以形成顶部电极和蚀刻的MTJ。形成侧壁间隔件，侧壁间隔件从硬掩模或顶部电极的上表面、沿着顶部电极和蚀刻的MTJ的侧壁延伸，到达底部电极的上表面之下的位置处或与底部电极的上表面大致齐平的位置处。还提供生成的MRAM器件结构。本发明提供了用于改进型磁阻式随机存取存储器工艺的垂直磁性隧道结。
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公开(公告)号：CN104518085B
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201310746001.6
申请日：2013-12-30
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/124 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/065 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/10 , H01L45/12 , H01L45/1206 , H01L45/1213 , H01L45/122 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/1253 , H01L45/126 , H01L45/1266 , H01L45/1273 , H01L45/1286 , H01L45/1293 , H01L45/14 , H01L45/141 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/148 , H01L45/149 , H01L45/16 , H01L45/1608 , H01L45/1616 , H01L45/1625 , H01L45/1633 , H01L45/1641 , H01L45/165 , H01L45/1658 , H01L45/1666 , H01L45/1675 , H01L45/1683 , H01L45/1691
摘要： 本发明涉及一种具有轴偏移或横向偏移的顶电极通孔（TEVA）和底电极通孔（BEVA）的电阻式随机存取存储器（RRAM）单元架构。具有同轴的TEVA和BEVA的传统RRAM单元能够引起高接触电阻变化率。本发明中的轴偏移的TEVA和BEVA促使TEVA远离RRAM单元上方的绝缘层，这样能够提高接触电阻变化率。本发明也涉及一种具有矩形RRAM单元的存储器件，该RRAM单元具有能够降低形成电压且提高数据保持的较大区域。本发明还公开了具有横向偏移的BEVA/TEVA的RRAM单元结构。
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公开(公告)号：CN104659050B
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201410333765.7
申请日：2014-07-14
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： H01L45/1233 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/12 , H01L45/122 , H01L45/124 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/16 , H01L45/1666 , H01L45/1683
摘要： 一种集成电路器件包括：形成在衬底上方的电阻式随机存取存储器(RRAM)单元。RRAM单元包括具有上表面的顶电极。阻挡层覆盖上表面的一部分。通孔延伸在电介质的基质内的顶电极之上。顶电极的上表面包括与阻挡层交界的区域和与通孔交界的区域。与通孔交界的上表面的区域环绕与阻挡层交界的上表面的区域。当以这种方式构建时，在加工期间，阻挡层用以保护RRAM单元不受蚀刻破坏，从而不干扰上面的通孔和顶电极之间的接触。本发明包括RRAM器件的顶电极阻挡层。
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公开(公告)号：CN106601905A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201610755281.0
申请日：2016-08-29
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L45/00 , H01L23/522 , H01L27/24
CPC分类号： H01L23/5223 , H01L21/76895 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L27/0629 , H01L27/0805 , H01L27/101 , H01L27/24 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L28/60 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1608
摘要： 本发明的实施例涉及形成防止对MIM去耦电容器的损坏的集成电路的方法和相关的结构。在一些实施例中，该方法包括在衬底上方的下部ILD层内形成一个或多个下部金属互连结构。多个MIM结构形成在下部金属互连结构上方，并且一个或多个上部金属互连结构形成在多个MIM结构上方的上部ILD层内。下部和上部金属互连结构一起电耦合在第一电压电位和第二电压电位之间串联连接的多个MIM结构。通过放置串联连接的多个MIM结构，第一电压电位(如，电源电压)的耗散在MIM结构上方扩散出去，从而减小在MIM结构的任何一个的电极之间的电压电位差。本发明的实施例还提供了与RRAM工艺相兼容的串联MIM结构。
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公开(公告)号：CN103811656B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201310175513.1
申请日：2013-05-13
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： H01L45/146 , H01L45/08 , H01L45/1226 , H01L45/1691
摘要： 本发明公开了可变电阻存储结构及其形成方法，其中一种半导体结构包括可变电阻存储结构。该半导体结构还包括介电层。可变电阻存储结构位于介电层上方。可变电阻存储结构包括设置在介电层上方的第一电极。第一电极具有侧面。可变电阻层具有设置在第一电极的侧面上方的第一部分和从第一部分延伸远离第一电极的第二部分。第二电极位于可变电阻层上方。
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公开(公告)号：CN104518085A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201310746001.6
申请日：2013-12-30
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/124 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/065 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/10 , H01L45/12 , H01L45/1206 , H01L45/1213 , H01L45/122 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/1253 , H01L45/126 , H01L45/1266 , H01L45/1273 , H01L45/1286 , H01L45/1293 , H01L45/14 , H01L45/141 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/148 , H01L45/149 , H01L45/16 , H01L45/1608 , H01L45/1616 , H01L45/1625 , H01L45/1633 , H01L45/1641 , H01L45/165 , H01L45/1658 , H01L45/1666 , H01L45/1675 , H01L45/1683 , H01L45/1691
摘要： 本发明涉及一种具有轴偏移或横向偏移的顶电极通孔（TEVA）和底电极通孔（BEVA）的电阻式随机存取存储器（RRAM）单元架构。具有同轴的TEVA和BEVA的传统RRAM单元能够引起高接触电阻变化率。本发明中的轴偏移的TEVA和BEVA促使TEVA远离RRAM单元上方的绝缘层，这样能够提高接触电阻变化率。本发明也涉及一种具有矩形RRAM单元的存储器件，该RRAM单元具有能够降低形成电压且提高数据保持的较大区域。本发明还公开了具有横向偏移的BEVA/TEVA的RRAM单元结构。
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公开(公告)号：CN104051617A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201310337331.X
申请日：2013-08-05
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 一种半导体结构包括存储区域。在存储区域上设置存储结构。存储结构包括第一电极、阻变层、保护材料和第二电极。第一电极具有位于所述存储区域上的顶面。阻变层具有至少第一部分和第二部分。第一部分设置在第一电极的顶面上方，第二部分从第一部分向上延伸。保护材料环绕阻变层的第二部分。保护材料被配置成保护阻变层中的至少一条导电路径。第二电极被设置在阻变层上方。本发明还提供了阻变式存储结构及其形成方法。
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