公开(公告)号：CN104517639B

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201310744314.8

申请日：2013-12-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 游文俊 ,  涂国基 ,  张至扬 ,  陈侠威 ,  廖鈺文 ,  杨晋杰 ,  石昇弘 ,  朱文定

IPC: G11C11/56

CPC classification number: G11C13/003 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0059 ,  G11C13/0069 ,  G11C13/0097 ,  G11C2013/0071 ,  G11C2213/79

Abstract: 本发明提供了存储器单元的击穿保护。本发明公开了一种包括下列操作的方法。在复位操作期间，将第一电压施加至一行存储器单元中的每个存储器单元的存取晶体管的栅极，其中，存取晶体管的第一源极/漏极电连接至同一存储器单元中的阻变式随机存取存储器（RRAM）器件的第一电极。当将第一电压施加至存取晶体管的栅极时，将抑制电压施加至多个未选择的存储器单元中的每个存储器单元的RRAM器件的第二电极或存取晶体管的第二源极/漏极。

公开(公告)号：CN104517639A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201310744314.8

申请日：2013-12-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 游文俊 ,  涂国基 ,  张至扬 ,  陈侠威 ,  廖鈺文 ,  杨晋杰 ,  石昇弘 ,  朱文定

IPC: G11C11/56

CPC classification number: G11C13/003 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0059 ,  G11C13/0069 ,  G11C13/0097 ,  G11C2013/0071 ,  G11C2213/79

Abstract: 本发明提供了存储器单元的击穿保护。本发明公开了一种包括下列操作的方法。在复位操作期间，将第一电压施加至一行存储器单元中的每个存储器单元的存取晶体管的栅极，其中，存取晶体管的第一源极/漏极电连接至同一存储器单元中的阻变式随机存取存储器（RRAM）器件的第一电极。当将第一电压施加至存取晶体管的栅极时，将抑制电压施加至多个未选择的存储器单元中的每个存储器单元的RRAM器件的第二电极或存取晶体管的第二源极/漏极。

公开(公告)号：CN104518085B

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201310746001.6

申请日：2013-12-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张至扬 ,  朱文定 ,  涂国基 ,  廖鈺文 ,  陈侠威 ,  杨晋杰 ,  石昇弘 ,  游文俊

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/124 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/065 ,  H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/10 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/1213 ,  H01L45/122 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/126 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/1286 ,  H01L45/1293 ,  H01L45/14 ,  H01L45/141 ,  H01L45/142 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/148 ,  H01L45/149 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1633 ,  H01L45/1641 ,  H01L45/165 ,  H01L45/1658 ,  H01L45/1666 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683 ,  H01L45/1691

Abstract: 本发明涉及一种具有轴偏移或横向偏移的顶电极通孔（TEVA）和底电极通孔（BEVA）的电阻式随机存取存储器（RRAM）单元架构。具有同轴的TEVA和BEVA的传统RRAM单元能够引起高接触电阻变化率。本发明中的轴偏移的TEVA和BEVA促使TEVA远离RRAM单元上方的绝缘层，这样能够提高接触电阻变化率。本发明也涉及一种具有矩形RRAM单元的存储器件，该RRAM单元具有能够降低形成电压且提高数据保持的较大区域。本发明还公开了具有横向偏移的BEVA/TEVA的RRAM单元结构。

公开(公告)号：CN104518085A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201310746001.6

申请日：2013-12-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张至扬 ,  朱文定 ,  涂国基 ,  廖鈺文 ,  陈侠威 ,  杨晋杰 ,  石昇弘 ,  游文俊

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/124 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/065 ,  H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/10 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/1213 ,  H01L45/122 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/126 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/1286 ,  H01L45/1293 ,  H01L45/14 ,  H01L45/141 ,  H01L45/142 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/148 ,  H01L45/149 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1633 ,  H01L45/1641 ,  H01L45/165 ,  H01L45/1658 ,  H01L45/1666 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683 ,  H01L45/1691

Abstract: 本发明涉及一种具有轴偏移或横向偏移的顶电极通孔（TEVA）和底电极通孔（BEVA）的电阻式随机存取存储器（RRAM）单元架构。具有同轴的TEVA和BEVA的传统RRAM单元能够引起高接触电阻变化率。本发明中的轴偏移的TEVA和BEVA促使TEVA远离RRAM单元上方的绝缘层，这样能够提高接触电阻变化率。本发明也涉及一种具有矩形RRAM单元的存储器件，该RRAM单元具有能够降低形成电压且提高数据保持的较大区域。本发明还公开了具有横向偏移的BEVA/TEVA的RRAM单元结构。