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公开(公告)号:CN118317594A
公开(公告)日:2024-07-09
申请号:CN202410300661.X
申请日:2024-03-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10B10/00 , H01L23/528 , H01L27/092 , H01L27/02
Abstract: 一种集成电路(IC)器件,包括多个存储器区段。每个存储器区段包括多个存储器单元,以及电耦合到多个存储器单元并布置在IC器件的第一侧上的局部位线。IC器件还包括全局位线,全局位线电耦合到多个存储器区段,并且布置在IC器件的第二侧上。第二侧在集成电路器件的厚度方向上与第一侧相对。本申请的实施例还提供了存储器单元和操作存储器器件的方法。
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公开(公告)号:CN113257295A
公开(公告)日:2021-08-13
申请号:CN202110178972.X
申请日:2021-02-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供用于存储器电路的系统和方法,该存储器电路包括响应于位线信号线和位线条信号线且被配置为存储数据位的位单元。预充电电路被配置为在读取操作之前对位线和位线条信号线之一进行充电,其中预充电电路包括第一预充电组件和第二预充电组件,第一和第二预充电组件可单独控制以对位线和位线条信号线充电。本发明的实施例还涉及存储器电路及控制多级预充电电路的方法。
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公开(公告)号:CN107039068B
公开(公告)日:2020-07-17
申请号:CN201611187332.0
申请日:2016-12-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/417 , G11C11/419
Abstract: 本发明的实施例提供了存储电路及其写入方法。一种存储电路,包括:第一存储单元列,沿第一方向布置;第一电源电压线,在所述存储电路的第一导电层中沿所述第一方向延伸;第二电源电压线;第一电阻器件,将所述第一电源电压线和所述第二电源电压线电连接。所述第一存储单元列的存储单元的每一个均包括电源电压线段。所述第一电源电压线至少由所述第一存储单元列的所述电源电压线段组成。电压源,通过一条或多条导电路径与第一电源电压线电连接,并且所述第二电源电压线和所述第一电阻器件在所述一条或多条导电路径的最小电阻路径中。
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公开(公告)号:CN107017873A
公开(公告)日:2017-08-04
申请号:CN201611187515.2
申请日:2016-12-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K19/0175 , G11C11/419
CPC classification number: G11C7/02 , G11C8/16 , G11C11/412 , G11C11/418 , G11C11/419 , H01L27/1104 , H03K19/017509
Abstract: 根据本发明的一些实施例,提供了一种电路结构。电路结构包括第一晶体管、第二晶体管、存储节点和字线。两个晶体管中的每一个均包括栅极、源极和漏极。存储节点连接至第一晶体管的栅极。字线连接至第二晶体管的栅极。第一晶体管和所述第二晶体管串联连接。第一和第二阈值电压分别与第一和第二晶体管相关联,并且第一阈值电压低于第二阈值电压。
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公开(公告)号:CN106024051A
公开(公告)日:2016-10-12
申请号:CN201510731978.X
申请日:2015-11-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C8/08
CPC classification number: G11C8/08 , G11C11/418
Abstract: 本发明公开了一种包括存储器单元、字线、选择单元和自升压驱动器的电子器件。将存储器单元配置为存储数据。字线连接至存储器单元。选择单元设置在字线的第一端处,并且被配置为传输选择信号,以根据读命令和写命令中的一个来激活字线。自升压驱动器设置在字线的第二端处,并且被配置为根据字线的电压电平和控制信号来对字线的电压电平进行上拉。本发明还提供了一种驱动该电子器件的方法。
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