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公开(公告)号：CN108565320B
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201810029288.3
申请日：2018-01-12
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种发光二极管及其制备方法，其中，所述发光二极管的外延结构的第一型导电层包括至少两个子导电层，并且每两个子导电层之间还设置有电流阻挡层，这些子导电层和电流阻挡层堆叠设置，使得子导电层之间具有一定的高度差；另外，所述发光二极管的第一电极包括种类与子导电层相匹配的第一型扩展电极，每类第一型扩展电极通过沟槽实现与一个子导电层的电连接，而由于子导电层之间具有一定的高度差及电阻差，且存在着一定的电流阻挡效果，有效引导流出第一型扩展电极的电流更大范围的横向扩展，有利于引导电流在第一型扩展电极与相邻的第二型扩展电极之间的合理分布，从而降低发光二极管的电流拥挤，从而提升发光二极管发光效率。
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公开(公告)号：CN110165032A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910441323.7
申请日：2019-05-24
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种二极管芯片及二极管芯片的制备方法，其中，该二极管芯片包括：衬底，形成于所述衬底上的外延结构，所述外延结构包括依次形成于所述衬底上的N型层、发光层、P型层，依次位于所述P型层上的透明导电层和粗化层，所述粗化层为透明绝缘粗化层，所述透明绝缘粗化层的折射率与所述透明导电层的折射率的差值小于设定的折射率阈值；所述粗化层和所述透明导电层形成有暴露所述P型层的第一凹槽，所述发光层、所述P型层、所述透明导电层和所述粗化层形成有暴露所述N型层的第二凹槽；所述第一凹槽对应的P型层上设置有第一电极，以及，所述第二凹槽对应的N型层上设置有第二电极。本申请实施例提高了发光效率。
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公开(公告)号：CN110085619A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910360845.4
申请日：2019-04-30
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种垂直高压发光二极管芯片及其制作方法，其中。通过垂直高压发光二极管芯片的设计，将第一芯片区处的背面电极通过开孔和键合层与导电基板电连接，进而无需在第一芯片区进行刻蚀而裸露其背面电极，保证垂直高压发光二极管芯片的有效发光面积较大；以及，第一芯片区的背面电极不需要打线，节省了成本，提高了可靠性；另外，每一芯片区电流扩展都为垂直方向，且第一芯片区的背面电极与第N芯片区的正面电极形成垂直结构，使得垂直高压发光二极管芯片的电流扩展较好，进而能够避免电流拥堵而提高电流耐受能力；此外，垂直高压发光二极管芯片的光型较好，符合朗伯分布而更易于配光。
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公开(公告)号：CN109473527A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811346696.8
申请日：2018-11-13
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一发光二极管的半导体芯片和电流扩展方法，其中所述半导体芯片包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一透明导电层、一绝缘层以及一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极提供至少一N型电极延伸触角，所述P型电极提供至少一P型电极延伸触角，所述N型电极延伸触角和所述P型电极延伸触角相互对应，以便于扩展电流，从而使得电流密度更均匀，进而提高所述半导体芯片的发光效率。
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公开(公告)号：CN107895753B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201711122687.6
申请日：2017-11-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种Si衬底发光二极管及制作方法，该制作方法包括：提供一衬底；在衬底上形成SiN缓冲层；在SiN缓冲层背离衬底的一侧形成SiN与AlN混合渐变层；在SiN与AlN混合渐变层背离SiN缓冲层的一侧形成AlN缓冲层；在AlN缓冲层背离SiN与AlN混合渐变层的一侧依次形成GaN缓冲层、非故意掺杂层、第一导电层、有源区以及第二导电层层；其中，SiN与AlN混合渐变层包括依次设置的多层SiN与AlN混合层。该制作方法通过在SiN缓冲层与AlN缓冲层之间设置多层SiN与AlN混合层，降低了Si衬底的发光二极管外延层中氮化物的应力，进而使有源区的晶体质量得以有效提高，最终有效的提高发光二极管的发光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107369747B
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201710774112.6
申请日：2017-08-31
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种LED芯片及其制备方法，其中，所述LED芯片制备方法在对衬底进行隐形切割之前，首先在衬底背离外延单元一侧表面形成ODR介质层，以避免全角度反射镜的ODR反射层对隐形切割激光的反射导致的隐形切割工艺无法进行的问题；然后再进行ODR反射层的制备，以和ODR介质层构成所述全角度反射层；最后对衬底进行劈裂，从而获得多个LED芯片，实现了将全角度反射镜与隐形切割技术结合以制备亮度较高的LED芯片的目的。并且由于隐形切割工艺介于ODR介质层和ODR反射层的形成工艺之间，避免了直接对衬底进行隐形切割而可能导致的破片率较高的问题，提升了LED芯片的制备良率。
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公开(公告)号：CN108878600A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810644024.9
申请日：2018-06-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一发光二极管的倒装芯片及其制造方法，其中所述倒装芯片包括一衬底、一N型层、一有源区、一P型层、至少一反射层、一绝缘层、一分布式布拉格反射层、一N型电极以及一P型电极，所述衬底、所述N型层、所述有源区和所述P型层依次层叠，所述倒装芯片的一N型层裸露部自所述P型成经所述有源区延伸至所述N型层，所述反射层生长于所述P型层，所述绝缘层生长于所述N型层、所述有源区、所述P型层和所述反射层，所述分布式布拉格反射层生长于所述绝缘层，所述N型电极和所述P型电极分别电连接于所述N型层和所述P型层。
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公开(公告)号：CN108831976A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810783043.X
申请日：2018-07-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一发光二极管的芯片及其制造方法，其中所述芯片包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区和一P型半导体层以及具有自所述P型半导体层延伸至所述N型半导体层的至少一半导体裸露部，所述芯片还包括一电流阻挡层、一透明导电层、一N型电极和一P型电极，其中所述电流阻挡层层叠于所述P型半导体层，所述透明导电层以包覆所述电流阻挡层的方式层叠于所述P型半导体层，且所述透明导电层的穿孔对应于所述电流阻挡层，所述N型电极层叠于所述N型半导体层，所述P型电极层叠于所述透明导电层，且所述P型电极的P型叉指被保持在所述透明导电层的所述穿孔。
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公开(公告)号：CN106129219B
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201610557364.9
申请日：2016-07-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种增强光取出效率的LED芯片结构，包括衬底、N‑GaN层、有源层、P‑GaN层、低折射率填充料、P电极和N电极，衬底上依次形成N‑GaN层、有源层和P‑GaN层，有源层和P‑GaN层经蚀刻形成台阶沟道裸露出部分N‑GaN层，台阶沟道内填充低折射率填充料，裸露出的部分N‑GaN层和N电极连接，P型层和P电极连接。本发明大大增加了LED芯片侧向光的正向取出效率，增加了LED芯片的正向光强度。
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公开(公告)号：CN108231961A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201810088382.6
申请日：2018-01-30
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0062
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片结构的制作方法，通过在通孔的侧壁以及暴露出的透明导电层的表面以及暴露出的第二型半导体层的表面以及电极凹槽的底部沉积Al层，合金完成后，以使在透明导电层表面的Al层与透明导电层进行掺杂形成掺杂膜层，该掺杂膜层相比较纯的透明导电层的方阻更低，与第二型半导体层之间的接触电阻更高，且在第二型半导体层表面的Al层形成Al2O3层，即绝缘层，进而可以实现电流在透明导电层保留位置强制分布的需求。也就是说，实现在透明导电层开孔位置电流阻挡以及透明导电层保留位置电流扩散的目的，实现电流的强制分布，通过设计不同的开孔位置实现电流在芯片不同位置电流均匀分布。
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