公开(公告)号：CN108231961A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201810088382.6

申请日：2018-01-30

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 邬新根 ,  刘兆 ,  卢利香 ,  李俊贤 ,  吴奇隆

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0062

Abstract: 本发明公开了一种LED芯片结构的制作方法，通过在通孔的侧壁以及暴露出的透明导电层的表面以及暴露出的第二型半导体层的表面以及电极凹槽的底部沉积Al层，合金完成后，以使在透明导电层表面的Al层与透明导电层进行掺杂形成掺杂膜层，该掺杂膜层相比较纯的透明导电层的方阻更低，与第二型半导体层之间的接触电阻更高，且在第二型半导体层表面的Al层形成Al2O3层，即绝缘层，进而可以实现电流在透明导电层保留位置强制分布的需求。也就是说，实现在透明导电层开孔位置电流阻挡以及透明导电层保留位置电流扩散的目的，实现电流的强制分布，通过设计不同的开孔位置实现电流在芯片不同位置电流均匀分布。

公开(公告)号：CN108231961B

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201810088382.6

申请日：2018-01-30

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 邬新根 ,  刘兆 ,  卢利香 ,  李俊贤 ,  吴奇隆

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种LED芯片结构的制作方法，通过在通孔的侧壁以及暴露出的透明导电层的表面以及暴露出的第二型半导体层的表面以及电极凹槽的底部沉积Al层，合金完成后，以使在透明导电层表面的Al层与透明导电层进行掺杂形成掺杂膜层，该掺杂膜层相比较纯的透明导电层的方阻更低，与第二型半导体层之间的接触电阻更高，且在第二型半导体层表面的Al层形成Al2O3层，即绝缘层，进而可以实现电流在透明导电层保留位置强制分布的需求。也就是说，实现在透明导电层开孔位置电流阻挡以及透明导电层保留位置电流扩散的目的，实现电流的强制分布，通过设计不同的开孔位置实现电流在芯片不同位置电流均匀分布。

公开(公告)号：CN113675311A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202110912304.5

申请日：2021-08-10

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 邬新根 ,  刘英策 ,  卢利香 ,  周弘毅 ,  刘伟

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，其外延叠层的边缘蚀刻至部分所述的第一型半导体层形成台阶，且所述外延叠层的外围具有衬底裸露面；通过将DBR反射层覆盖所述外延叠层且裸露所述台阶的部分表面，所述DBR反射层具有裸露部分所述第二型半导体层的第一通孔。使所述第一电极和第二电极沿所述外延叠层的侧壁凹陷设计，在保证两者之间间距最大化的同时，增大所述第一电极、第二电极与所述外延叠层的附着力，避免电极脱落，从而有效解决LED芯片在固晶工艺过程中的锡膏短路问题，并提高LED芯片的可靠性。

公开(公告)号：CN113437197A

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：CN202110713218.1

申请日：2021-06-25

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 邬新根 ,  卢利香 ,  刘英策 ,  周弘毅 ,  刘伟

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62

Abstract: 本发明提供了一种倒装LED芯片及其制作方法，反射层中包括有铝子反射层，由于金属铝更为稳定，因而在保证LED芯片发光亮度较高的基础上，不需要额外增加扩散防止层，提高了LED芯片的可靠性。同时，由于LED芯片采用了反射层的设计，而不需要制作DBR(Distributed Bragg Reflection，分布式布拉格反射镜)反射结构，降低了LED芯片的工艺流程及成本。并且，本发明提供的第二类型半导体层的表面采用整面透明导电层设计，有利于第二类型半导体层表面的电流扩展。