-
公开(公告)号：CN106601909B
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201611186337.1
申请日：2016-12-20
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种卟啉忆阻器，该卟啉忆阻器为阳极、阻变层、阴极的三层结构，阻变层位于阳极和阴极的中间，其包含卟啉作为活性薄膜层，该活性薄膜层提供传输电子和离子的双重功能，阻变层还包括氧化物缓冲层，以提供离子源。本发明还提出一种制备上述卟啉忆阻器的方法，包括以下步骤：首先制备所述阳极，然后在阳极上制备阻变层，随后在阻变层上制备阴极，氧化物缓冲层通过低真空度原位方法形成，以提高所述阻变层的质量，保证含氧量低于整数比。本发明具有具有适合柔性器件、可以实现大面积、低成本制作等优点。本发明的卟啉忆阻器是由真空蒸镀制备得到，具有易于设计，工艺简单，器件产率高、输出可重复性、性能稳定以及抗饱和能力强等优势。
-
公开(公告)号：CN109346598A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811011442.0
申请日：2018-08-31
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种具有生物突触模拟功能的卟啉忆阻器及其制备方法和应用，该具有生物突触模拟功能的卟啉忆阻器的器件的结构从上到下依次是：金属阴极、阻变层、ITO导电玻璃，所述阻变层修饰层和介质层，所述介质层为卟啉层。一种具有生物突触模拟功能的卟啉忆阻器，该有机忆阻器属于典型的离子传输机制，具有模拟生物突触功能的特点，并且具有大面积、低成本、可柔性化制作等优点，整个忆阻器的结构易于设计，工艺简单，性能稳定，并且其阻值变化对应于人类人脑的神经突触具有高度相似性，因此，基于忆阻器的神经突触仿生器件研究必将为人工智能领域带来新的思路，从而促进更加精确地实现对人工智能器件的发展。
-
公开(公告)号：CN106531886B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201610867903.9
申请日：2016-09-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于量子点有机场效应晶体管光敏存储器，所述基于量子点有机场效应晶体管光敏存储器的结构从上到下依次为源漏电极、有机光敏半导体层、量子点薄膜层、栅绝缘层、栅电极和衬底；能够在不增加工艺复杂度并且在简单的设备制备的前提下，有效的提高器件对入射光的收集效率，增强光电转换效率，降低接触电阻和电荷隧穿势垒，从而降低对操作电压的依赖，减少能源损耗，为有机光敏存储器的商业化推广提供一种可行的思路，所述存储器结构同时改进光敏存储器的存储性能和光敏性能；所述存储器结构可采用金属铜作为器件源漏电极，降低了器件制备成本，便于推广、应用。
-
公开(公告)号：CN108274018A
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201711390658.8
申请日：2017-12-21
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种以铜纳米线为模板制备银纳米管的方法，所述方法以铜纳米线为模板，以硝酸银为银源进行化学镀银，退火过程后采用蚀刻液去除铜纳米线，即可制得银纳米管。本发明所述方法以铜纳米线为模板，以硝酸银为镀液的银源，经退火和蚀刻液洗涤去除模板等过程制得以纳米管，整个过程能耗少，且操作简便，适合大规模生产。
-
公开(公告)号：CN106711328A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611245814.7
申请日：2016-12-29
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种钛菁铜忆阻器及其制备方法，属于有机电子和信息技术领域。该钛菁铜忆阻器包含第一电极、第二电极和介于两电极之间的阻变层，其中阻变层以钛菁铜作为活性层，还可以包括MoO3的缓冲层。本发明的忆阻器属于电荷捕获/释放型机制，对比电化学还原金属丝型机制忆阻器，具有明显的器件产率高、输出可重复性好、性能稳定以及抗饱和能力强等特点，还表现出有机忆阻器适合柔性、大面积以及工艺成本低等优势。制备该钛菁铜忆阻器的方法工艺简单，成本低，可重复性好，可应用于交叉阵列的人工神经计算系统中，作为节点链接处理器制造具有学习功能的人工智能系统。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106496527A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610835600.9
申请日：2016-09-20
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: Y02E10/549 , C08G61/126 , C08G2261/124 , C08G2261/1424 , C08G2261/3243 , C08G2261/3246 , C08G2261/414 , C08G2261/95 , H01L51/0036
Abstract: 本发明公开了一种芴基给受体型纳米聚合物、制备方法及其应用，该纳米格子聚合物中纳米格子片段是以芴基衍生物为电子给体单元并与电子受体单元交替排列成方环形的刚性结构。制备方法：以预留有卤素端基的纳米格子片段Ⅱ）与聚合片段（Ⅲ）进行聚合反应，即得聚合物。本发明提供的聚合物材料具有合成方式模块化、高拓展性、高的热学、电化学、光学稳定性；可减少薄膜溶剂依赖性；实现大面积可溶性加工；精确调控孔径尺寸；实现对带隙、能级排布的精确调控等优点，在有机太阳能电池、存储及忆阻、传感、检测等光电功能材料领域有潜在的应用前景。
-
公开(公告)号：CN106169536A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201610615166.3
申请日：2016-07-29
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: H01L51/0508 , H01L51/0003 , H01L51/0034
Abstract: 本发明属于半导体行业存储器技术领域，提供一种基于簇星状结构聚合物有机场效应晶体管存储器及其制备方法。该存储器从上至下依次包括源漏电极、有机半导体层、电荷存储层和栅绝缘层；其特征在于，采用核壳型簇星状结构聚合物为电荷存储层，即簇星状结构聚合物薄膜层。本发明采用旋涂法在栅绝缘层基片上制备簇星状结构的聚合物薄膜层，并将其作为电荷存储层。本发明通过采用核壳型簇星状结构聚合物为电荷存储层，使其存储容量、开关速度和耐受性能力得到很大提升；并且降低了器件制备成本，便于推广、应用。
-
公开(公告)号：CN105679938A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610080277.9
申请日：2016-02-04
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: H01L51/0508 , H01L51/0034 , H01L51/005
Abstract: 本发明涉及基于小分子的有机非易失性场效应晶体管存储器件领域。公开了一种螺环小分子浮栅型有机场效应晶体管存储器及其制备方法。所述存储器从上至下依次结构包括源漏电极、半导体层、隧穿层、浮栅层、电荷阻挡层，栅绝缘层，其中隧穿层、浮栅层、电荷阻挡层共同组合成了电荷捕获层。本发明所述晶体管存储器采用溶液加工法制备，操作简便，成本低廉，节约能源，有利于大规模批量化生产电荷捕获层为一层平滑的小分子螺环材料和高介电常数聚合物的复合纳米薄膜该存储器实现了高密度、稳定的非易失性存储性能，且保持较高迁移率和开关比(104)，且操作工艺简单，成本较低，便于存储器件的推广、生产。
-
公开(公告)号：CN105679760A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610134612.9
申请日：2016-03-09
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L27/102 , H01L29/16
CPC classification number: H01L27/1021 , H01L29/1606
Abstract: 本发明公开一种利用氧化石墨烯基材料制作的二极管动态随机存储器，自下而上依次包括基底、下电极、氧化石墨烯基活性层和上电极，所述氧化石墨烯基活性层的材料是氧化石墨烯或通过化学方法选择性还原后氧化石墨烯CrGO。通过测量器件的电学性质以及相关实验数据，判定该二极管器件具有动态随机存储器的性质。本发明利用简单的增加氧化石墨烯基活性层的厚度，该二极管器件具有稳定的动态随机存储功能，在连续电压脉冲作用下读写擦循环次数多，器件的电流开关比较大，器件性能稳定，产率高；同时相比同类型器件，器件结构易于设计，工艺简单，材料绿色环保，可作为深入研究并推广。
-
公开(公告)号：CN105348289A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510728912.5
申请日：2015-10-30
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D487/08 , C07D495/22 , C08G61/02 , C08G61/12 , C09K11/06 , H01L51/54 , G11C17/10
CPC classification number: C07D487/08 , C07D495/22 , C08G61/02 , C08G61/124 , C09K11/06 , C09K2211/1458 , C09K2211/1466 , G11C17/10 , H01L51/0035 , H01L51/0036
Abstract: 本发明涉及一类纳米格子与纳米聚合物格子材料及其制备和应用方法，属于光电高新技术领域。该类纳米聚合物材料是以纳米格子为单体的均聚物或共聚物，具体通式结构如下：该类材料具有以下特点：(1)纳米格子单体表现兼有孔与半导体光电特征；(2)原料廉价、易得，反应条件温和、容易操作；(3)具有纳米材料优良的机械特性；(4)具有较好的溶解度，方便进行纳米薄膜或纤维化加工；(5)刚性骨架具有高玻璃化转变温度、高热学、电化学稳定性、光谱稳定性等优点。因此，聚格子有希望成为新一代实用纳米高分子光电材料，这类纳米聚合物格子材料在有机电子、自旋电子、光电子、机械电子以及纳米生物等领域具有很好的应用前景。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
176
records
(took 0.025 seconds)
