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公开(公告)号：CN117642060A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202410040198.X
申请日：2024-01-11
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种柔性阻变存储器及其制备方法，属于有机二极管阻变存储器件技术领域。该阻变存储器的结构由下而上依次包括基底、底电极、功能层和顶电极四个部分。本发明所述阻变存储器的功能层由单层硫氰酸亚铜（CuSCN）层组成。制备方法包括现在基底表面生长一层底电极，然后清洗并烘干，接着进行紫外臭氧处理，随后用溶液旋涂法来制备单层硫氰酸亚铜（CuSCN）层，最后在真空蒸镀系统中蒸镀顶电极。本发明的忆阻器具有良好的电学性能，实现了存储器件的低操作电压、高开关比，提升了稳定性，获得了可多次读写擦循环的柔性阻变存储器器件。本发明其工艺简单、操作方便、价格低廉，便于推广及商业化应用。
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公开(公告)号：CN117119877A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310874733.7
申请日：2023-07-17
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种具有高生物兼容性的有机多糖材料忆阻器及其制备方法。该忆阻器结构由下而上依次包括基底、底电极、功能层和顶电极四个部分。以木聚糖为有机层材料，并以超纯水作为其溶剂旋涂得到均一光滑薄膜，制得的忆阻器具有低操作电压，高开关比，高的保持特性>1*104s以及稳定性的优势，本发明的结构设计简单、工艺便于操作、制备简便而且产率高，具有普适性，为提高与生物具有良好相容性的阻变存储器的综合性能开拓了一条有效的路径。
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公开(公告)号：CN116761438A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310780374.9
申请日：2023-06-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明属于有机电子与信息技术领域，具体涉及一种多功能有机场效应晶体管、制备方法及应用。多功能有机场效应晶体管，包括，栅极层；位于栅极层表面的栅绝缘层；位于栅绝缘层表面的共混层；共混层由聚[2,6′]‑4,8‑二(5‑乙基己基噻吩)苯并[1,2‑b；3,3‑b]二噻吩]{3‑氟‑2[(2‑乙基己基)羰基]噻吩[3,4‑b]噻吩二基}、6,13‑双(三异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯的混合溶液在所述栅绝缘层表面一步涂覆、干燥后制成；位于共混层表面的源电极和漏电极。本发明提供的多功能有机场效应晶体管能够同时实现存储器和光电突触晶体管功能，在构建类脑计算系统具有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN116456728A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310343274.X
申请日：2023-03-31
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种超宽温度有机聚合物忆阻器及其制备方法。忆阻器由上至下依次包括顶电极、有机活性层、底电极和基底，有机活性层由有机聚合物聚[2‑甲氧基‑5‑(3′,7′‑二甲基辛氧基)‑1,4‑亚苯基亚乙烯基](MDMO‑PPV)组成。制备方法包括先在基底表面生长一层底电极，然后清洗并烘干，接着进行紫外臭氧处理，有机活性层采用溶液旋涂法制备而成，最后在真空蒸镀系统中蒸镀顶电极。本发明的忆阻器件表现出优异的温度稳定性，在无封装的情况下，从低温‑196℃到高温300℃的超宽温度范围下仍保持忆阻性能，其阻值变化可以用来有效地模拟生物突触功能。
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公开(公告)号：CN114512609A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210037716.3
申请日：2022-01-13
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种具有超低操作电压的有机忆阻器及其制备方法，该忆阻器为垂直三明治结构，自下而上依次包括基底、底部电极、有机功能层和顶部电极；其中，所述有机功能层是将有机功能层溶液旋涂于底部电极上制备形成的纳米薄膜，所述有机功能层溶液为叶绿素铜钠溶于超纯水形成，所述叶绿素铜钠的结构式如式(Ⅰ)所示。本发明使用中小型分子‑叶绿素铜钠(有机盐)，通过控制旋涂工艺参数，解决基于叶绿素铜钠旋涂过程易析晶问题，成功在水溶剂下旋涂制备出与蒸镀方式相媲美的均一光滑薄膜，并制备了基于ITO/叶绿素铜钠/Ag的垂直三明治结构器件，最终实现超低操作电压，高开关比，高的保持特性，读写擦循环＞6000次。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114512609B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202210037716.3
申请日：2022-01-13
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种具有超低操作电压的有机忆阻器及其制备方法，该忆阻器为垂直三明治结构，自下而上依次包括基底、底部电极、有机功能层和顶部电极；其中，所述有机功能层是将有机功能层溶液旋涂于底部电极上制备形成的纳米薄膜，所述有机功能层溶液为叶绿素铜钠溶于超纯水形成，所述叶绿素铜钠的结构式如式(Ⅰ)所示。本发明使用中小型分子‑叶绿素铜钠(有机盐)，通过控制旋涂工艺参数，解决基于叶绿素铜钠旋涂过程易析晶问题，成功在水溶剂下旋涂制备出与蒸镀方式相媲美的均一光滑薄膜，并制备了基于ITO/叶绿素铜钠/Ag的垂直三明治结构器件，最终实现超低操作电压，高开关比，高的保持特性，读写擦循环＞6000次。
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公开(公告)号：CN117119813A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310725114.1
申请日：2023-06-19
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种神经突触仿生光电缓变忆阻器及其制备方法，属于有机电子以及光电信息技术领域，缓变忆阻器的器件结构是交叉结构，在导电玻璃上由下而上依次包括底电极、功能层和顶电极三个部分，所述的功能层是聚[2‑甲氧基‑5‑(2‑乙基己氧基)‑1,4‑苯乙炔]MEH‑PPV层；所述底电极为氧化铟锡ITO，所述顶电极为Ag，所述MEH‑PPV层是连续平整的无定形薄膜。MEH‑PPV层采用溶液旋涂法制备，具有好的可持续性、溶解性好、制作简单、光电性能优异等优点；制备的神经突触仿生光电缓变忆阻器能够进行多种神经形态模拟，对不同波长、不同强度的光有不同的响应；成本低，可重复性好，可用于人工神经形态计算系统中，为构建视觉感知系统提供了更多的可能性。
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公开(公告)号：CN116744696A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310908874.6
申请日：2023-07-24
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种有机半导体与聚合物绝缘材料共混的有机场效应晶体管存储器及制备方法，属于有机电子与信息技术领域。所述的存储器结构自上而下依次为源漏电极，半导体层，电荷存储层，栅绝缘层以及作为衬底的栅极。本发明所描述的晶体管存储器电荷存储层是将P型有机半导体聚[双(4‑苯基)(2,4,6‑三甲基苯基)胺](PTAA)与聚合物绝缘材料聚苯乙烯(PS)共混，采用旋涂共混溶液加工法制备，制备工艺简单，具有可大面积制备的特点。实现了其存储容量，迁移率和开关比的提升，稳定性也得到了很大的改善，价格低廉且节约成本，便于推广及集成商业化应用。
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公开(公告)号：CN116471850A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310357670.8
申请日：2023-04-06
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于体异质结的光突触器件及其制备方法与应用，属于信息技术与人工智能技术领域，包括由下至上依次连接的基底、底电极、功能层和顶电极，所述功能层为体异质结，所述体异质结包括聚[2‑甲氧基‑5‑(2‑乙基己氧基)‑1,4‑苯乙炔]和[6,6]‑苯基C61丁酸甲酯，所述体异质结采用混合溶液旋涂法制备而成，所述体异质结的厚度为70‑90nm；本发明能够实现光突触器件利用光信号进行光学习记忆行为模拟，这将进一步拓展在光作用下的神经形态网络、生物仿真和人工智能领域的应用。
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公开(公告)号：CN115241376A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210862520.8
申请日：2022-07-21
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种极耐湿度的稳定型忆阻器及其制备方法。忆阻器由上至下依次包括顶电极、有机活性层、底电极和基底，有机活性层由有机小分子材料全氟酞菁铜制备。本发明的忆阻器表现出优异的湿度稳定性，在60%相对湿度的空气中暴露1年后仍能保持良好的忆阻特性，在90%相对湿度的恒温恒湿箱中放置45天依旧具有性能，最重要的是将器件浸泡在水中96小时后仍能正常工作，除浸泡在水中之外，发现将其浸泡在氨水中48小时后仍具有性能，证明本发明可抵抗比水更恶劣的环境。本发明可用于构建耐高湿度神经形态系统的人工突触器件，弥补了目前忆阻器件无法在水中正常工作的空白。
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