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公开(公告)号：CN116761438A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310780374.9
申请日：2023-06-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明属于有机电子与信息技术领域，具体涉及一种多功能有机场效应晶体管、制备方法及应用。多功能有机场效应晶体管，包括，栅极层；位于栅极层表面的栅绝缘层；位于栅绝缘层表面的共混层；共混层由聚[2,6′]‑4,8‑二(5‑乙基己基噻吩)苯并[1,2‑b；3,3‑b]二噻吩]{3‑氟‑2[(2‑乙基己基)羰基]噻吩[3,4‑b]噻吩二基}、6,13‑双(三异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯的混合溶液在所述栅绝缘层表面一步涂覆、干燥后制成；位于共混层表面的源电极和漏电极。本发明提供的多功能有机场效应晶体管能够同时实现存储器和光电突触晶体管功能，在构建类脑计算系统具有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN116406169A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310277624.7
申请日：2023-03-21
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种有机场效应晶体管存储器，包括自上而下依次设置的源漏电极层、有机半导体蒸镀层、可溶性半导体层、电荷存储层、自组装层和栅绝缘层，以及作为衬底的栅电极层，所述栅绝缘层位于所述栅电极层上面。本发明还公开一种有机场效应晶体管存储器制备方法。本发明提供的一种有机场效应晶体管存储器及其制备方法，能够有效改善TIPS‑Pentacene和PS混合溶液相分离后的生长形貌，提高器件良品率和迁移率等性能。
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公开(公告)号：CN116709790A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310781543.0
申请日：2023-06-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明属于有机电子与信息技术领域，具体涉及一种有机场效应晶体管、制备方法及应用。有机场效应晶体管，包括栅极层；位于栅极层表面的栅绝缘层；位于栅绝缘层表面的功能层；功能层为聚苯乙烯和聚[2,6′]‑4,8‑二(5‑乙基己基噻吩)苯并[1,2‑b；3,3‑b]二噻吩]{3‑氟‑2[(2‑乙基己基)羰基]噻吩[3,4‑b]噻吩二基}的共混膜；位于功能层表面的有机半导体层；位于有机半导体层表面的源电极和漏电极。本发明提供的有机场效应晶体管能够同时实现存储器和光电突触晶体管功能，在构建类脑计算系统中中具有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN116234425A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310257896.0
申请日：2023-03-16
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明公开了一种具有线性连续电导变化的异质结忆阻器及其制备方法。忆阻器由上至下依次包括顶电极、上层活性层、下层活性层、底电极和基底，上层活性层由有机聚合物材料聚(3‑己基噻吩‑2,5‑二基)组成，下层活性层由非金属单质碳60组成。制备方法包括先在基底表面生长一层底电极，然后清洗并烘干，接着进行紫外臭氧处理，然后在真空蒸镀系统中蒸镀下层活性层碳60，在下层活性层上旋涂聚(3‑己基噻吩‑2,5‑二基)上层活性层，最后在真空蒸镀系统中蒸镀顶电极。本发明的异质结结构忆阻器在回扫电压和脉冲电压刺激下，具有多阻态特性，同时在特定脉冲电压下能够保持线性电导增长趋势。
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