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公开(公告)号：CN116406169A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310277624.7
申请日：2023-03-21
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种有机场效应晶体管存储器，包括自上而下依次设置的源漏电极层、有机半导体蒸镀层、可溶性半导体层、电荷存储层、自组装层和栅绝缘层，以及作为衬底的栅电极层，所述栅绝缘层位于所述栅电极层上面。本发明还公开一种有机场效应晶体管存储器制备方法。本发明提供的一种有机场效应晶体管存储器及其制备方法，能够有效改善TIPS‑Pentacene和PS混合溶液相分离后的生长形貌，提高器件良品率和迁移率等性能。
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