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公开(公告)号：CN120018679A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510488426.4
申请日：2025-04-18
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于噻吩有机聚合物的神经形态忆阻器及其制备方法，属于有机二极管忆阻器件制备领域。所述神经形态忆阻器由上至下包括顶电极、有机活性层、底电极和基底，有机活性层由噻吩有机聚合物聚3‑十二烷基噻吩PQT‑12制备。本发明利用PQT‑12作为关键材料，模拟生物突触的可塑性，实现了高效的信息存储与处理，PQT‑12作为有机活性层，具备优异的电荷保持能力和低功耗特性。本发明制备的忆阻器在开关速度、稳定性和可扩展性方面表现出优异性能，具有广泛的应用前景，尤其在神经形态计算、低功耗存储器件以及人工智能系统等领域。
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公开(公告)号：CN114512609B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202210037716.3
申请日：2022-01-13
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种具有超低操作电压的有机忆阻器及其制备方法，该忆阻器为垂直三明治结构，自下而上依次包括基底、底部电极、有机功能层和顶部电极；其中，所述有机功能层是将有机功能层溶液旋涂于底部电极上制备形成的纳米薄膜，所述有机功能层溶液为叶绿素铜钠溶于超纯水形成，所述叶绿素铜钠的结构式如式(Ⅰ)所示。本发明使用中小型分子‑叶绿素铜钠(有机盐)，通过控制旋涂工艺参数，解决基于叶绿素铜钠旋涂过程易析晶问题，成功在水溶剂下旋涂制备出与蒸镀方式相媲美的均一光滑薄膜，并制备了基于ITO/叶绿素铜钠/Ag的垂直三明治结构器件，最终实现超低操作电压，高开关比，高的保持特性，读写擦循环＞6000次。
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公开(公告)号：CN113461594B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202110552186.1
申请日：2021-05-20
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D209/86 , C09K11/06 , H10K50/11 , H10K85/60
Abstract: 本申请公开了有机发光存储材料及应用该材料的有机双稳态发光二极管存储器，提出了两种有机发光存储材料以及使用该材料的OLED结构的发光存储器，本发明所述的两种有机双稳态发光二极管OBLED发光存储器件具备OLED器件的发光特性、同时还具有有机双稳态器件OBD的存储功能，是一种兼存储与发光功能于一身的多功能OBLED发光存储器件，并且都表现出相同的先低导态再高导态的一次写入多次读取WORM存储行为。在有机电致发光及可视信息和保密存储领域具有巨大的潜在应用价值。而且，本发明所述的OBLED发光存储器件制备工艺简单、成本低廉、OLED发光效果稳定，具有很高的使用及推广价值。
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公开(公告)号：CN117119813A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310725114.1
申请日：2023-06-19
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种神经突触仿生光电缓变忆阻器及其制备方法，属于有机电子以及光电信息技术领域，缓变忆阻器的器件结构是交叉结构，在导电玻璃上由下而上依次包括底电极、功能层和顶电极三个部分，所述的功能层是聚[2‑甲氧基‑5‑(2‑乙基己氧基)‑1,4‑苯乙炔]MEH‑PPV层；所述底电极为氧化铟锡ITO，所述顶电极为Ag，所述MEH‑PPV层是连续平整的无定形薄膜。MEH‑PPV层采用溶液旋涂法制备，具有好的可持续性、溶解性好、制作简单、光电性能优异等优点；制备的神经突触仿生光电缓变忆阻器能够进行多种神经形态模拟，对不同波长、不同强度的光有不同的响应；成本低，可重复性好，可用于人工神经形态计算系统中，为构建视觉感知系统提供了更多的可能性。
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公开(公告)号：CN116744696A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310908874.6
申请日：2023-07-24
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种有机半导体与聚合物绝缘材料共混的有机场效应晶体管存储器及制备方法，属于有机电子与信息技术领域。所述的存储器结构自上而下依次为源漏电极，半导体层，电荷存储层，栅绝缘层以及作为衬底的栅极。本发明所描述的晶体管存储器电荷存储层是将P型有机半导体聚[双(4‑苯基)(2,4,6‑三甲基苯基)胺](PTAA)与聚合物绝缘材料聚苯乙烯(PS)共混，采用旋涂共混溶液加工法制备，制备工艺简单，具有可大面积制备的特点。实现了其存储容量，迁移率和开关比的提升，稳定性也得到了很大的改善，价格低廉且节约成本，便于推广及集成商业化应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116471850A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310357670.8
申请日：2023-04-06
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于体异质结的光突触器件及其制备方法与应用，属于信息技术与人工智能技术领域，包括由下至上依次连接的基底、底电极、功能层和顶电极，所述功能层为体异质结，所述体异质结包括聚[2‑甲氧基‑5‑(2‑乙基己氧基)‑1,4‑苯乙炔]和[6,6]‑苯基C61丁酸甲酯，所述体异质结采用混合溶液旋涂法制备而成，所述体异质结的厚度为70‑90nm；本发明能够实现光突触器件利用光信号进行光学习记忆行为模拟，这将进一步拓展在光作用下的神经形态网络、生物仿真和人工智能领域的应用。
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公开(公告)号：CN115241376A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210862520.8
申请日：2022-07-21
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种极耐湿度的稳定型忆阻器及其制备方法。忆阻器由上至下依次包括顶电极、有机活性层、底电极和基底，有机活性层由有机小分子材料全氟酞菁铜制备。本发明的忆阻器表现出优异的湿度稳定性，在60%相对湿度的空气中暴露1年后仍能保持良好的忆阻特性，在90%相对湿度的恒温恒湿箱中放置45天依旧具有性能，最重要的是将器件浸泡在水中96小时后仍能正常工作，除浸泡在水中之外，发现将其浸泡在氨水中48小时后仍具有性能，证明本发明可抵抗比水更恶劣的环境。本发明可用于构建耐高湿度神经形态系统的人工突触器件，弥补了目前忆阻器件无法在水中正常工作的空白。
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公开(公告)号：CN112259683B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202010964464.X
申请日：2020-09-15
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种自组装双极性有机场效应晶体管存储器及其制备方法，存储器由上至下依次包括源漏电极、有机半导体层、栅绝缘层和衬底，有机半导体层和栅绝缘层之间设有电荷俘获层，电荷俘获层为十八烷基三氯硅烷与具有高介电常数的聚合物通过自组装而形成的纳米柱状薄膜；制备方法通过两种聚合物溶液组合自组装，构造出纳米柱的结构，从而实现电荷空穴载流子的传输以达到的双极性信息存储。同时，混合两种聚合物的自组装降低了制备超平滑OTS层的难度，对比于超平滑OTS薄膜晶体管存储器，混合自组装的晶体管存储器表现出明显的电荷稳定，在保证的各项晶体管性能参数的前提下，实现了较好的存储性能以及器件的维持性能。
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公开(公告)号：CN109146068B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN201811011443.5
申请日：2018-08-31
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G06N3/06
Abstract: 本发明公开了一种液体忆阻器及其制备方法和应用，该液体忆阻器由金属电极置入溶液中构成的器件，所述溶液是将卤化铅溶解在有机溶剂中形成的离子溶液，所述卤化铅在器件结构中提供离子源，铅离子随着有机溶剂的缓冲作用从而自由平稳地移动。本发明基于卤化铅的液体忆阻器可以灵活地调节离子溶液浓度，离子种类和电极位置，可以利用不同形式的电信号来模拟特定的突触功能，还可以调整液体装置的内部结构因素用于更高级的神经模拟功能。以柔性调节为特征的所述液体忆阻器为实现多功能突触可塑性开辟了一条新途径，将进一步拓展神经网络和人工智能领域的应用。
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公开(公告)号：CN110423238A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910739710.9
申请日：2019-08-12
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D487/22 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
Abstract: 本发明公开了一种可进行芴基傅克反应修饰的卟啉分子及其后修饰材料和制备方法与应用，利用傅克反应对卟啉分子功能化修饰的方法是将一种卟啉环引入共轭打断的位阻基团分子，有利地破坏了其面面间的π-π作用，有效调控能级结构，实现其功能化修饰。本发明提供的傅克反应的合成策略绿色环保、低损耗高收率、操作简单、成本低价，是可以推广应用的新的卟啉功能化修饰的方法。本发明设计合成的卟啉傅克后修饰的结构分子是一种功能化的光电信息材料，将其应用于忆阻器活性层，用于人工神经网络的功能模拟，有望为有机忆阻器材料应用提供新的可能。
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