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公开(公告)号：CN116744696A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310908874.6
申请日：2023-07-24
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种有机半导体与聚合物绝缘材料共混的有机场效应晶体管存储器及制备方法，属于有机电子与信息技术领域。所述的存储器结构自上而下依次为源漏电极，半导体层，电荷存储层，栅绝缘层以及作为衬底的栅极。本发明所描述的晶体管存储器电荷存储层是将P型有机半导体聚[双(4‑苯基)(2,4,6‑三甲基苯基)胺](PTAA)与聚合物绝缘材料聚苯乙烯(PS)共混，采用旋涂共混溶液加工法制备，制备工艺简单，具有可大面积制备的特点。实现了其存储容量，迁移率和开关比的提升，稳定性也得到了很大的改善，价格低廉且节约成本，便于推广及集成商业化应用。
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