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公开(公告)号：CN110289350B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN201910490540.5
申请日：2019-06-06
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种基于金属卟啉异质结忆阻器及其制备方法和应用，该忆阻器包括自下而上依次设置的底电极、异质结层、金属氧化物层和顶电极；所述异质结层包括两层金属卟啉层，用于调控忆阻器的电学性能，所述金属氧化物层用于提供忆阻器运行需要的离子和空位。本发明提供的金属卟啉异质结忆阻器制备工艺简单，性能稳定，适合柔性器件，可以大面积加工，性能指标多变可调并具有电压依赖的过滤特性；同时器件的产率、重复性和性能稳定都很高。
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公开(公告)号：CN110854275A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201911196975.5
申请日：2019-11-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种光调控三端口人工突触器件及制备方法，所述器件的结构包含衬底；位于所述衬底上的栅电极和栅绝缘层；位于所述栅绝缘层上的聚合物薄膜层；位于所述聚合物薄膜层上的有机半导体层；位于所述有机半导体层上的半导体沟道层；位于所述半导体沟道层两端的源电极和漏电极。所述制备方法包括选择衬底、形成栅电极和栅绝缘层、配制聚合物溶液、旋涂形成聚合物薄膜层、真空混蒸有机半导体层和源漏电极。本发明的器件将三端口人工突触中的有机半导体层用P型半导体和N型半导体混蒸而成，既保留了器件的器件特性，又优化器件结构；其制备方法操作简单，成本低廉，适宜大规模生产；可应用于人工智能和视觉神经网络领域。
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公开(公告)号：CN109146068B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN201811011443.5
申请日：2018-08-31
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G06N3/06
Abstract: 本发明公开了一种液体忆阻器及其制备方法和应用，该液体忆阻器由金属电极置入溶液中构成的器件，所述溶液是将卤化铅溶解在有机溶剂中形成的离子溶液，所述卤化铅在器件结构中提供离子源，铅离子随着有机溶剂的缓冲作用从而自由平稳地移动。本发明基于卤化铅的液体忆阻器可以灵活地调节离子溶液浓度，离子种类和电极位置，可以利用不同形式的电信号来模拟特定的突触功能，还可以调整液体装置的内部结构因素用于更高级的神经模拟功能。以柔性调节为特征的所述液体忆阻器为实现多功能突触可塑性开辟了一条新途径，将进一步拓展神经网络和人工智能领域的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109346598A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811011442.0
申请日：2018-08-31
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种具有生物突触模拟功能的卟啉忆阻器及其制备方法和应用，该具有生物突触模拟功能的卟啉忆阻器的器件的结构从上到下依次是：金属阴极、阻变层、ITO导电玻璃，所述阻变层修饰层和介质层，所述介质层为卟啉层。一种具有生物突触模拟功能的卟啉忆阻器，该有机忆阻器属于典型的离子传输机制，具有模拟生物突触功能的特点，并且具有大面积、低成本、可柔性化制作等优点，整个忆阻器的结构易于设计，工艺简单，性能稳定，并且其阻值变化对应于人类人脑的神经突触具有高度相似性，因此，基于忆阻器的神经突触仿生器件研究必将为人工智能领域带来新的思路，从而促进更加精确地实现对人工智能器件的发展。
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公开(公告)号：CN110854275B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN201911196975.5
申请日：2019-11-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种光调控三端口人工突触器件及制备方法，所述器件的结构包含衬底；位于所述衬底上的栅电极和栅绝缘层；位于所述栅绝缘层上的聚合物薄膜层；位于所述聚合物薄膜层上的有机半导体层；位于所述有机半导体层上的半导体沟道层；位于所述半导体沟道层两端的源电极和漏电极。所述制备方法包括选择衬底、形成栅电极和栅绝缘层、配制聚合物溶液、旋涂形成聚合物薄膜层、真空混蒸有机半导体层和源漏电极。本发明的器件将三端口人工突触中的有机半导体层用P型半导体和N型半导体混蒸而成，既保留了器件的器件特性，又优化器件结构；其制备方法操作简单，成本低廉，适宜大规模生产；可应用于人工智能和视觉神经网络领域。
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公开(公告)号：CN108200156A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201711477732.X
申请日：2017-12-29
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H04L29/08
Abstract: 本发明公布了一种云环境下分布式文件系统的动态负载均衡方法，该方法主要包括：获取云环境下分布式文件系统所有节点的信息，判断文件系统是否平衡，根据每个节点的磁盘空间使用率、CPU利用率、内存利用率、磁盘I/O占用率、网络带宽占用率计算出均衡时需要的阈值，根据该阈值和磁盘空间使用率对文件系统的负载进行失衡调整。本方法支持云计算任务执行的同时对文件系统进行负载均衡，通过对节点的监测信息不断对负载进行调整，提高云计算对文件系统的执行效率。
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公开(公告)号：CN110289350A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201910490540.5
申请日：2019-06-06
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种基于金属卟啉异质结忆阻器及其制备方法和应用，该忆阻器包括自下而上依次设置的底电极、异质结层、金属氧化物层和顶电极；所述异质结层包括两层金属卟啉层，用于调控忆阻器的电学性能，所述金属氧化物层用于提供忆阻器运行需要的离子和空位。本发明提供的金属卟啉异质结忆阻器制备工艺简单，性能稳定，适合柔性器件，可以大面积加工，性能指标多变可调并具有电压依赖的过滤特性；同时器件的产率、重复性和性能稳定都很高。
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公开(公告)号：CN109146068A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811011443.5
申请日：2018-08-31
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G06N3/06
CPC classification number: G06N3/06
Abstract: 本发明公开了一种液体忆阻器及其制备方法和应用，该液体忆阻器由金属电极置入溶液中构成的器件，所述溶液是将卤化铅溶解在有机溶剂中形成的离子溶液，所述卤化铅在器件结构中提供离子源，铅离子随着有机溶剂的缓冲作用从而自由平稳地移动。本发明基于卤化铅的液体忆阻器可以灵活地调节离子溶液浓度，离子种类和电极位置，可以利用不同形式的电信号来模拟特定的突触功能，还可以调整液体装置的内部结构因素用于更高级的神经模拟功能。以柔性调节为特征的所述液体忆阻器为实现多功能突触可塑性开辟了一条新途径，将进一步拓展神经网络和人工智能领域的应用。
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