公开(公告)号：CN110289350A

公开(公告)日：2019-09-27

申请号：CN201910490540.5

申请日：2019-06-06

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 解令海 ,  鞠若麟 ,  仪明东 ,  马可 ,  陈叶 ,  黄维

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种基于金属卟啉异质结忆阻器及其制备方法和应用，该忆阻器包括自下而上依次设置的底电极、异质结层、金属氧化物层和顶电极；所述异质结层包括两层金属卟啉层，用于调控忆阻器的电学性能，所述金属氧化物层用于提供忆阻器运行需要的离子和空位。本发明提供的金属卟啉异质结忆阻器制备工艺简单，性能稳定，适合柔性器件，可以大面积加工，性能指标多变可调并具有电压依赖的过滤特性；同时器件的产率、重复性和性能稳定都很高。

公开(公告)号：CN110289350B

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN201910490540.5

申请日：2019-06-06

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 解令海 ,  鞠若麟 ,  仪明东 ,  马可 ,  陈叶 ,  黄维

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种基于金属卟啉异质结忆阻器及其制备方法和应用，该忆阻器包括自下而上依次设置的底电极、异质结层、金属氧化物层和顶电极；所述异质结层包括两层金属卟啉层，用于调控忆阻器的电学性能，所述金属氧化物层用于提供忆阻器运行需要的离子和空位。本发明提供的金属卟啉异质结忆阻器制备工艺简单，性能稳定，适合柔性器件，可以大面积加工，性能指标多变可调并具有电压依赖的过滤特性；同时器件的产率、重复性和性能稳定都很高。