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公开(公告)号：CN119173128A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411283017.2
申请日：2024-09-13
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明属于有机电子和信息技术领域，具体涉及一种基于平面型的低操作电压光电突触忆阻器及其制备方法；所述忆阻器包括底部基底和在底部基底上依次设置的绝缘层、功能层和顶电极；其中，所述底部基底为硅，所述绝缘层为二氧化硅，所述功能层为钛菁铜，所述顶电极为银；所述忆阻器制备方法包括以下步骤：S1.在硅基底上生长二氧化硅绝缘层，清洗、烘干；S2.在S1处理后的样品上真空蒸镀钛菁铜功能层；S3.在S2处理后的样品上真空蒸镀银电极，冷却到室温得到所述基于平面型的低操作电压光电突触忆阻器；本发明结构简单，可重复性较好，为模拟视觉感知与机器学习提供了更多的可能性。
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公开(公告)号：CN112259683B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202010964464.X
申请日：2020-09-15
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种自组装双极性有机场效应晶体管存储器及其制备方法，存储器由上至下依次包括源漏电极、有机半导体层、栅绝缘层和衬底，有机半导体层和栅绝缘层之间设有电荷俘获层，电荷俘获层为十八烷基三氯硅烷与具有高介电常数的聚合物通过自组装而形成的纳米柱状薄膜；制备方法通过两种聚合物溶液组合自组装，构造出纳米柱的结构，从而实现电荷空穴载流子的传输以达到的双极性信息存储。同时，混合两种聚合物的自组装降低了制备超平滑OTS层的难度，对比于超平滑OTS薄膜晶体管存储器，混合自组装的晶体管存储器表现出明显的电荷稳定，在保证的各项晶体管性能参数的前提下，实现了较好的存储性能以及器件的维持性能。
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公开(公告)号：CN109146068B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN201811011443.5
申请日：2018-08-31
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G06N3/06
Abstract: 本发明公开了一种液体忆阻器及其制备方法和应用，该液体忆阻器由金属电极置入溶液中构成的器件，所述溶液是将卤化铅溶解在有机溶剂中形成的离子溶液，所述卤化铅在器件结构中提供离子源，铅离子随着有机溶剂的缓冲作用从而自由平稳地移动。本发明基于卤化铅的液体忆阻器可以灵活地调节离子溶液浓度，离子种类和电极位置，可以利用不同形式的电信号来模拟特定的突触功能，还可以调整液体装置的内部结构因素用于更高级的神经模拟功能。以柔性调节为特征的所述液体忆阻器为实现多功能突触可塑性开辟了一条新途径，将进一步拓展神经网络和人工智能领域的应用。
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公开(公告)号：CN109346598A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811011442.0
申请日：2018-08-31
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种具有生物突触模拟功能的卟啉忆阻器及其制备方法和应用，该具有生物突触模拟功能的卟啉忆阻器的器件的结构从上到下依次是：金属阴极、阻变层、ITO导电玻璃，所述阻变层修饰层和介质层，所述介质层为卟啉层。一种具有生物突触模拟功能的卟啉忆阻器，该有机忆阻器属于典型的离子传输机制，具有模拟生物突触功能的特点，并且具有大面积、低成本、可柔性化制作等优点，整个忆阻器的结构易于设计，工艺简单，性能稳定，并且其阻值变化对应于人类人脑的神经突触具有高度相似性，因此，基于忆阻器的神经突触仿生器件研究必将为人工智能领域带来新的思路，从而促进更加精确地实现对人工智能器件的发展。
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公开(公告)号：CN114512607B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202210037694.0
申请日：2022-01-13
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米隧道与银纳米粒子共存的有机场效应晶体管存储器及其制备方法，该存储器的结构自上而下依次包括源漏电极、有机半导体层、电荷存储层、栅绝缘层、衬底及形成在衬底之上的栅电极；其中，所述电荷存储层为两层，第一层为具有纳米隧道结构的聚合物层，第二层为均匀分布在聚合物层之上的银纳米粒子层。电荷存储层采用二次旋涂溶液加工法制备，制备工艺简单，具有可大面积制备的特点。可通过简单的调节旋涂转速一次旋涂便可调控纳米孔的薄膜形貌，再通过二次旋涂将银纳米粒子均匀的分布于纳米孔形貌之上。实现了其存储容量，高迁移率和开关比，稳定性也得到了很大的提升，价格低廉且节约成本，便于推广及集成商业化应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110289350B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN201910490540.5
申请日：2019-06-06
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种基于金属卟啉异质结忆阻器及其制备方法和应用，该忆阻器包括自下而上依次设置的底电极、异质结层、金属氧化物层和顶电极；所述异质结层包括两层金属卟啉层，用于调控忆阻器的电学性能，所述金属氧化物层用于提供忆阻器运行需要的离子和空位。本发明提供的金属卟啉异质结忆阻器制备工艺简单，性能稳定，适合柔性器件，可以大面积加工，性能指标多变可调并具有电压依赖的过滤特性；同时器件的产率、重复性和性能稳定都很高。
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公开(公告)号：CN112271256A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202010964865.5
申请日：2020-09-15
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种空气稳定型忆阻器及其制备方法，忆阻器由上至下包括顶电极、有机活性层、底电极和基底，有机活性层由氯代酞菁铜组成，有机活性层的厚度为70~85 nm。制备方法包括先在基底表面生长一层底电极，然后清洗并烘干，接着进行紫外臭氧处理，最后在真空蒸镀系统中依次蒸镀有机活性层和顶电极。本发明的忆阻器具有良好的空气稳定性及耐热耐湿性，并且具有可柔性化制作的优点，其阻值变化可以用来有效地模拟生物突触功能，开拓了可靠的人工突触在空气环境中长期运行的新材料策略。
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公开(公告)号：CN112259684B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202010964466.9
申请日：2020-09-15
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米阵列与隧道结构共存有机场效应晶体管存储器及其制备方法，存储器由上至下依次包括源漏电极、有机半导体层、栅绝缘层和衬底，有机半导体层和栅绝缘层之间设有电荷存储层，电荷存储层为具有高介电常数的聚合物溶液通过旋涂调控而得到的纳米薄膜，纳米薄膜表面为纳米阵列与隧道结构共存的的结构，电荷存储层的厚度为10~30nm；制备方法采用旋涂溶液加工法制备。本发明通过简单的调节旋涂转速便可调控纳米整列与隧道结构的薄膜形貌，实现了大存储容量，高迁移率和开关比，存储器件具有电子和空穴双重俘获能力并具有较大的存储窗口和优异的光电协同效应，价格低廉且节约成本，便于推广及集成商业化应用。
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公开(公告)号：CN114512607A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210037694.0
申请日：2022-01-13
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米隧道与银纳米粒子共存的有机场效应晶体管存储器及其制备方法，该存储器的结构自上而下依次包括源漏电极、有机半导体层、电荷存储层、栅绝缘层、衬底及形成在衬底之上的栅电极；其中，所述电荷存储层为两层，第一层为具有纳米隧道结构的聚合物层，第二层为均匀分布在聚合物层之上的银纳米粒子层。电荷存储层采用二次旋涂溶液加工法制备，制备工艺简单，具有可大面积制备的特点。可通过简单的调节旋涂转速一次旋涂便可调控纳米孔的薄膜形貌，再通过二次旋涂将银纳米粒子均匀的分布于纳米孔形貌之上。实现了其存储容量，高迁移率和开关比，稳定性也得到了很大的提升，价格低廉且节约成本，便于推广及集成商业化应用。
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公开(公告)号：CN112259684A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202010964466.9
申请日：2020-09-15
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米阵列与隧道结构共存有机场效应晶体管存储器及其制备方法，存储器由上至下依次包括源漏电极、有机半导体层、栅绝缘层和衬底，有机半导体层和栅绝缘层之间设有电荷存储层，电荷存储层为具有高介电常数的聚合物溶液通过旋涂调控而得到的纳米薄膜，纳米薄膜表面为纳米阵列与隧道结构共存的的结构，电荷存储层的厚度为10~30nm；制备方法采用旋涂溶液加工法制备。本发明通过简单的调节旋涂转速便可调控纳米整列与隧道结构的薄膜形貌，实现了大存储容量，高迁移率和开关比，存储器件具有电子和空穴双重俘获能力并具有较大的存储窗口和优异的光电协同效应，价格低廉且节约成本，便于推广及集成商业化应用。
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