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公开(公告)号：CN114512607B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202210037694.0
申请日：2022-01-13
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米隧道与银纳米粒子共存的有机场效应晶体管存储器及其制备方法，该存储器的结构自上而下依次包括源漏电极、有机半导体层、电荷存储层、栅绝缘层、衬底及形成在衬底之上的栅电极；其中，所述电荷存储层为两层，第一层为具有纳米隧道结构的聚合物层，第二层为均匀分布在聚合物层之上的银纳米粒子层。电荷存储层采用二次旋涂溶液加工法制备，制备工艺简单，具有可大面积制备的特点。可通过简单的调节旋涂转速一次旋涂便可调控纳米孔的薄膜形貌，再通过二次旋涂将银纳米粒子均匀的分布于纳米孔形貌之上。实现了其存储容量，高迁移率和开关比，稳定性也得到了很大的提升，价格低廉且节约成本，便于推广及集成商业化应用。
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公开(公告)号：CN116471848A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310434614.X
申请日：2023-04-21
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于蒸镀F4‑TCNQ改善聚苯乙烯有机场效应晶体管存储器，包括自上而下依次设置的源漏电极层，有机半导体层，电荷俘获储层，界面修饰层，栅绝缘层以及作为衬底的栅极层，界面修饰层修饰在栅绝缘层表面，栅绝缘层位于栅电极层上面。本发明还公开一种基于蒸镀F4‑TCNQ改善聚苯乙烯有机场效应晶体管存储器制备方法。本发明提供的一种基于蒸镀F4‑TCNQ改善聚苯乙烯有机场效应晶体管存储器及其制备方法，能够提高器件载流子迁移率，以及提高改善读写擦和维持方面开关比。
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公开(公告)号：CN114512607A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210037694.0
申请日：2022-01-13
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米隧道与银纳米粒子共存的有机场效应晶体管存储器及其制备方法，该存储器的结构自上而下依次包括源漏电极、有机半导体层、电荷存储层、栅绝缘层、衬底及形成在衬底之上的栅电极；其中，所述电荷存储层为两层，第一层为具有纳米隧道结构的聚合物层，第二层为均匀分布在聚合物层之上的银纳米粒子层。电荷存储层采用二次旋涂溶液加工法制备，制备工艺简单，具有可大面积制备的特点。可通过简单的调节旋涂转速一次旋涂便可调控纳米孔的薄膜形貌，再通过二次旋涂将银纳米粒子均匀的分布于纳米孔形貌之上。实现了其存储容量，高迁移率和开关比，稳定性也得到了很大的提升，价格低廉且节约成本，便于推广及集成商业化应用。
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