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发明公开
基于平面型的低操作电压光电突触忆阻器及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN119173128A

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202411283017.2

申请日：2024-09-13

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 仪明东 , 丁滕阳 , 陈叶 , 李雯

IPC: H10N70/20 , H10N70/00

Abstract: 本发明属于有机电子和信息技术领域，具体涉及一种基于平面型的低操作电压光电突触忆阻器及其制备方法；所述忆阻器包括底部基底和在底部基底上依次设置的绝缘层、功能层和顶电极；其中，所述底部基底为硅，所述绝缘层为二氧化硅，所述功能层为钛菁铜，所述顶电极为银；所述忆阻器制备方法包括以下步骤：S1.在硅基底上生长二氧化硅绝缘层，清洗、烘干；S2.在S1处理后的样品上真空蒸镀钛菁铜功能层；S3.在S2处理后的样品上真空蒸镀银电极，冷却到室温得到所述基于平面型的低操作电压光电突触忆阻器；本发明结构简单，可重复性较好，为模拟视觉感知与机器学习提供了更多的可能性。

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