-
公开(公告)号：CN120018679A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510488426.4
申请日：2025-04-18
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于噻吩有机聚合物的神经形态忆阻器及其制备方法，属于有机二极管忆阻器件制备领域。所述神经形态忆阻器由上至下包括顶电极、有机活性层、底电极和基底，有机活性层由噻吩有机聚合物聚3‑十二烷基噻吩PQT‑12制备。本发明利用PQT‑12作为关键材料，模拟生物突触的可塑性，实现了高效的信息存储与处理，PQT‑12作为有机活性层，具备优异的电荷保持能力和低功耗特性。本发明制备的忆阻器在开关速度、稳定性和可扩展性方面表现出优异性能，具有广泛的应用前景，尤其在神经形态计算、低功耗存储器件以及人工智能系统等领域。
Search Results
1
records
(took 0.013 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
