一种基于纳米格子分子的有机场效应晶体管存储器及其制备方法

    公开(公告)号:CN109524546B

    公开(公告)日:2020-09-22

    申请号:CN201811350364.7

    申请日:2018-11-14

    Abstract: 本发明公开了一种基于纳米格子分子的有机场效应晶体管存储器及其制备方法,属于有机电子和信息技术领域。该存储器从上至下依次包括源漏电极、有机半导体层、纳米格子分子存储层、栅绝缘层、衬底及形成于该衬底之上的栅电极。本发明的存储器属于典型的电荷捕获‑释放机制,对比聚合物驻极体存储器和浮栅型存储器,表现出明显的电荷维持稳定、耐受性以及大的存储窗口和存储密度,还表现出了有机存储器适合柔性、大面积以及工艺成本低等优势。本发明通过简单的工艺手段制备存储器件,使其存储容量、开关速度和稳定性得到很大提升,并且降低了器件制备成本,便于推广、应用。

    一种侧链修饰的卟啉分子及其应用

    公开(公告)号:CN110526923A

    公开(公告)日:2019-12-03

    申请号:CN201910733037.8

    申请日:2019-08-09

    Abstract: 本发明公开了一种侧链修饰的卟啉分子及其应用,其侧链修饰的卟啉分子以富电子功能的卟啉分子为俘获电荷的核心,以烷氧基链段为电荷传递过程的抑制部分,保证其可应用于可溶液加工的柔性结构。本发明从薄膜形貌、制备工艺、性能调控的角度对分子结构进行理性设计并对比有机场效应晶体管存储器器件性能。本发明提出了做到了调节其存储器性能的同时,提供了一种可商业推广、成本低廉、工艺简化的材料与器件的制备方法。

    一类高荧光量子效率芴基给受体H型分子材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN106397428B

    公开(公告)日:2018-11-02

    申请号:CN201610793010.4

    申请日:2016-08-31

    Abstract: 本发明公开了一类高荧光量子效率芴基给受体H型分子材料及其制备方法和应用,此类材料是以卤代芳基的叔醇Friedel–Crafts反应桥连电子受体单元做桥连基团,芳基通过卤素偶联发色团而成的H型分子材料,具体结构通式如下:式中:Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar11为芳香基团,Ar11为电子受体单元,Ar5、Ar6、Ar7、Ar8、Ar9、Ar10为芳香基团或者非芳香基团,SG1、SG2、SG3、SG4为芳香基团或者非芳香基团。该类材料合成方式模块化,电子受体单元的可选性多,反应步骤简单,条件温和,且表现出高热学、电化学、光学稳定性,是一类非常具有应用前景的有机光电功能材料。

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