公开(公告)号：CN106169536A

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201610615166.3

申请日：2016-07-29

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 解令海 ,  徐姣姣 ,  黄维 ,  仪明东 ,  李昊龙

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/0508 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0034

Abstract: 本发明属于半导体行业存储器技术领域，提供一种基于簇星状结构聚合物有机场效应晶体管存储器及其制备方法。该存储器从上至下依次包括源漏电极、有机半导体层、电荷存储层和栅绝缘层；其特征在于，采用核壳型簇星状结构聚合物为电荷存储层，即簇星状结构聚合物薄膜层。本发明采用旋涂法在栅绝缘层基片上制备簇星状结构的聚合物薄膜层，并将其作为电荷存储层。本发明通过采用核壳型簇星状结构聚合物为电荷存储层，使其存储容量、开关速度和耐受性能力得到很大提升；并且降低了器件制备成本，便于推广、应用。