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公开(公告)号：CN106169536A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201610615166.3
申请日：2016-07-29
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: H01L51/0508 , H01L51/0003 , H01L51/0034
Abstract: 本发明属于半导体行业存储器技术领域，提供一种基于簇星状结构聚合物有机场效应晶体管存储器及其制备方法。该存储器从上至下依次包括源漏电极、有机半导体层、电荷存储层和栅绝缘层；其特征在于，采用核壳型簇星状结构聚合物为电荷存储层，即簇星状结构聚合物薄膜层。本发明采用旋涂法在栅绝缘层基片上制备簇星状结构的聚合物薄膜层，并将其作为电荷存储层。本发明通过采用核壳型簇星状结构聚合物为电荷存储层，使其存储容量、开关速度和耐受性能力得到很大提升；并且降低了器件制备成本，便于推广、应用。
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公开(公告)号：CN106920879A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201710166293.4
申请日：2017-03-20
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: H01L51/0003 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L51/0026 , H01L51/0545
Abstract: 本发明公开了一种自组装的天然纳米柱薄膜的形成方法，将位阻胺材料和宽带隙半导体材料分别溶于低沸点溶剂，共混后旋涂在基片上并退火制备天然纳米柱薄膜；本申请可广泛应用于各类聚合物、可溶小分子驻极体型的纳米柱薄膜的产生，本申请通过采用纳米柱薄膜为电荷存储层，与有机活性层接触面积大大提高，使得存储容量以及电荷稳定性得到很大的提升，在有机场效应晶体管存储器中有着巨大的潜在应用前景，并且降低了器件制备成本，便于推广、应用。
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公开(公告)号：CN106098942A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610622661.7
申请日：2016-07-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米柱结构有机场效应晶体管存储器及其制备方法，涉及半导体行业存储器技术和生物薄膜技术领域。所述纳米柱结构有机场效应晶体管存储器包括源漏电极、有机半导体层、第二类栅绝缘层、第一类栅绝缘层、栅电极以及衬底，所述有机半导体层与第二类栅绝缘层之间设有纳米柱薄膜层。本发明的有益效果是，通过简单的旋涂工艺制备形貌可控的纳米柱薄膜且改进了器件的存储性能，使其存储容量、存储速度、存储稳定性及其反复擦写可靠性能得到很大提升，并且降低了器件制备成本，具有很大的商业应用价值。
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公开(公告)号：CN106098942B
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201610622661.7
申请日：2016-07-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米柱结构有机场效应晶体管存储器及其制备方法，涉及半导体行业存储器技术和生物薄膜技术领域。所述纳米柱结构有机场效应晶体管存储器包括源漏电极、有机半导体层、第二类栅绝缘层、第一类栅绝缘层、栅电极以及衬底，所述有机半导体层与第二类栅绝缘层之间设有纳米柱薄膜层。本发明的有益效果是，通过简单的旋涂工艺制备形貌可控的纳米柱薄膜且改进了器件的存储性能，使其存储容量、存储速度、存储稳定性及其反复擦写可靠性能得到很大提升，并且降低了器件制备成本，具有很大的商业应用价值。
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