一种纳米柱结构有机场效应晶体管存储器及其制备方法

    公开(公告)号:CN106098942B

    公开(公告)日:2019-09-20

    申请号:CN201610622661.7

    申请日:2016-07-29

    Abstract: 本发明公开了一种纳米柱结构有机场效应晶体管存储器及其制备方法,涉及半导体行业存储器技术和生物薄膜技术领域。所述纳米柱结构有机场效应晶体管存储器包括源漏电极、有机半导体层、第二类栅绝缘层、第一类栅绝缘层、栅电极以及衬底,所述有机半导体层与第二类栅绝缘层之间设有纳米柱薄膜层。本发明的有益效果是,通过简单的旋涂工艺制备形貌可控的纳米柱薄膜且改进了器件的存储性能,使其存储容量、存储速度、存储稳定性及其反复擦写可靠性能得到很大提升,并且降低了器件制备成本,具有很大的商业应用价值。

    芴基风车格子及其制备和应用方法

    公开(公告)号:CN105646529B

    公开(公告)日:2018-03-06

    申请号:CN201610029902.7

    申请日:2016-01-15

    Abstract: 本发明涉及一类芴基风车格子及其制备和应用方法,属于有机分子材料与光电高新技术领域。该类芴基风车格子是以芴基小分子为单体的环状寡聚物,具体通式结构如下:该类材料具有以下特点:(1)芴基风车格子表现兼有孔与半导体光电特征;(2)原料廉价、易得,反应条件温和、容易操作;(3)具有纳米材料优良的机械特性;(4)具有较好的溶解度,方便进行纳米薄膜或纤维化加工;(5)刚性骨架具有高玻璃化转变温度、高热学、电化学稳定性、光谱稳定性等优点。因此,芴基风车格子有希望成为新一代实用有机小分子光电材料,这类芴基风车格子在有机电子、自旋电子、光电子、机械电子以及纳米生物等领域具有很好的应用前景。

    一种纳米柱结构有机场效应晶体管存储器及其制备方法

    公开(公告)号:CN106098942A

    公开(公告)日:2016-11-09

    申请号:CN201610622661.7

    申请日:2016-07-29

    Abstract: 本发明公开了一种纳米柱结构有机场效应晶体管存储器及其制备方法,涉及半导体行业存储器技术和生物薄膜技术领域。所述纳米柱结构有机场效应晶体管存储器包括源漏电极、有机半导体层、第二类栅绝缘层、第一类栅绝缘层、栅电极以及衬底,所述有机半导体层与第二类栅绝缘层之间设有纳米柱薄膜层。本发明的有益效果是,通过简单的旋涂工艺制备形貌可控的纳米柱薄膜且改进了器件的存储性能,使其存储容量、存储速度、存储稳定性及其反复擦写可靠性能得到很大提升,并且降低了器件制备成本,具有很大的商业应用价值。

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