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公开(公告)号：CN105679938A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610080277.9
申请日：2016-02-04
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: H01L51/0508 , H01L51/0034 , H01L51/005
Abstract: 本发明涉及基于小分子的有机非易失性场效应晶体管存储器件领域。公开了一种螺环小分子浮栅型有机场效应晶体管存储器及其制备方法。所述存储器从上至下依次结构包括源漏电极、半导体层、隧穿层、浮栅层、电荷阻挡层，栅绝缘层，其中隧穿层、浮栅层、电荷阻挡层共同组合成了电荷捕获层。本发明所述晶体管存储器采用溶液加工法制备，操作简便，成本低廉，节约能源，有利于大规模批量化生产电荷捕获层为一层平滑的小分子螺环材料和高介电常数聚合物的复合纳米薄膜该存储器实现了高密度、稳定的非易失性存储性能，且保持较高迁移率和开关比(104)，且操作工艺简单，成本较低，便于存储器件的推广、生产。
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公开(公告)号：CN105679760A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610134612.9
申请日：2016-03-09
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L27/102 , H01L29/16
CPC classification number: H01L27/1021 , H01L29/1606
Abstract: 本发明公开一种利用氧化石墨烯基材料制作的二极管动态随机存储器，自下而上依次包括基底、下电极、氧化石墨烯基活性层和上电极，所述氧化石墨烯基活性层的材料是氧化石墨烯或通过化学方法选择性还原后氧化石墨烯CrGO。通过测量器件的电学性质以及相关实验数据，判定该二极管器件具有动态随机存储器的性质。本发明利用简单的增加氧化石墨烯基活性层的厚度，该二极管器件具有稳定的动态随机存储功能，在连续电压脉冲作用下读写擦循环次数多，器件的电流开关比较大，器件性能稳定，产率高；同时相比同类型器件，器件结构易于设计，工艺简单，材料绿色环保，可作为深入研究并推广。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105679938B
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201610080277.9
申请日：2016-02-04
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及基于小分子的有机非易失性场效应晶体管存储器件领域。公开了一种螺环小分子浮栅型有机场效应晶体管存储器及其制备方法。所述存储器从上至下依次结构包括源漏电极、半导体层、隧穿层、浮栅层、电荷阻挡层，栅绝缘层，其中隧穿层、浮栅层、电荷阻挡层共同组合成了电荷捕获层。本发明所述晶体管存储器采用溶液加工法制备，操作简便，成本低廉，节约能源，有利于大规模批量化生产电荷捕获层为一层平滑的小分子螺环材料和高介电常数聚合物的复合纳米薄膜该存储器实现了高密度、稳定的非易失性存储性能，且保持较高迁移率和开关比(104)，且操作工艺简单，成本较低，便于存储器件的推广、生产。
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公开(公告)号：CN104979473A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510347180.5
申请日：2015-06-19
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种同时具备存储和整流的有机二极管电存储器件和方法，该器件在阳极-介质层界面间增加一层缓冲层，整个器件从上到下依次是：金属阴极、介质层、阳极缓冲层、ITO阳极衬底，这一结构的阳极缓冲层既具有较好的绝缘性，同时也可以修饰ITO。通过测量器件电学性质以及相关实验数据，可以判定本器件是一个同时具备存储和整流的稳定有机二极管电存储器件。本发明的优点是，该有机二极管存储器件同时具有存储回滞和可观的整流效应，具有大的开关比整流比，并且施加持续外在电压后也维持较好性能，同时，相比同类型器件结构易于设计，本发明产率高，具有普适性，有着重要的研究意义。
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公开(公告)号：CN104993052B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201510359744.7
申请日：2015-06-25
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种多孔结构隧穿层有机场效应晶体管存储器及其制备方法，属于半导体行业存储器技术和生物薄膜技术领域。该存储器包括源漏电极、半导体、第二类栅绝缘层、浮栅层、第一类栅绝缘层，所述第一类栅绝缘层为二氧化硅/硅基片，所述半导体与第一类栅绝缘层之间从上到下依次有具有多孔结构聚合物薄膜层和纳米结构浮栅层。本发明通过简单的工艺手段改进存储器性能，使其反复擦写可靠性得到很大提升；并且采用金属铜作为器件源漏电极，降低了器件制备成本，便于推广、应用。
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公开(公告)号：CN116737919A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310723510.0
申请日：2023-06-19
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G06F16/34 , G06N3/0455 , G06N3/0895 , G06F18/214 , G06F18/21
Abstract: 本发明公开了一种基于对比学习的文本摘要生成方法及系统，方法包括：S1：获取生成文本摘要所需的数据集，对数据集中样本进行预处理；S2：将预处理后的样本载入预设的模型进行微调；S3：对微调后的模型进行迭代训练得到最终模型；S4：将文本输入最终模型中，生成文本摘要。本发明作为生成模型基于极大似然估计(MLE)损失进行微调，然后将模型作为重排序器对模型生成的候选摘要对评价指标进行排序得到对比损失，采用多任务学习的方式结合MLE损失和对比损失对模型进行优化，通过MLE损失来确保词级预测准确度的同时，通过对比损失使得模型给具有更高评价指标得分的候选摘要分配有更高的生成概率。
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公开(公告)号：CN104993052A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510359744.7
申请日：2015-06-25
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L51/001 , H01L51/0516 , H01L51/0533
Abstract: 本发明涉及一种多孔结构隧穿层有机场效应晶体管存储器及其制备方法，属于半导体行业存储器技术和生物薄膜技术领域。该存储器包括源漏电极、半导体、第二类栅绝缘层、浮栅层、第一类栅绝缘层，所述第一类栅绝缘层为二氧化硅/硅基片，所述半导体与第一类栅绝缘层之间从上到下依次有具有多孔结构聚合物薄膜层和纳米结构浮栅层。本发明通过简单的工艺手段改进存储器性能，使其反复擦写可靠性得到很大提升；并且采用金属铜作为器件源漏电极，降低了器件制备成本，便于推广、应用。
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